乾刻蝕（dry etching）是2019年公布的物理學名詞。
基本介紹
- 中文名：乾刻蝕
- 外文名：dry etching
- 所屬學科：物理學
- 公布時間：2019年
公布時間,出處,
乾刻蝕
相關詞條
- 乾刻蝕
乾刻蝕 乾刻蝕（dry etching）是2019年公布的物理學名詞。公布時間 2019年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《物理學名詞》第三版。
- 刻蝕工藝
刻蝕（Etch）的目的是將光刻得到的光刻膠圖形轉移到晶圓表面的薄膜上,即利用光刻膠膜的覆蓋和保護作用，以化學反應或物理作用的方式去除沒有光刻膠保護的薄膜，完成圖形轉移的目的。分類 刻蝕工藝主要分為濕法刻蝕工藝和乾法刻蝕工藝。濕...
- 刻蝕技術
乾刻蝕是一類較新型，但迅速為半導體工業所採用的技術。其利用電漿 (plasma) 來進行半導體薄膜材料的刻蝕加工。其中電漿必須在真空度約10至0.001 Torr 的環境下，才有可能被激發出來；而乾刻蝕採用的氣體，或轟擊質量頗巨，或...
- 刻蝕
刻蝕，英文為Etch，它是半導體製造工藝，微電子IC製造工藝以及微納製造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻相聯繫的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，...
- ICP乾法刻蝕機
ICP乾法刻蝕機是一種用於材料科學、物理學、電子與通信技術、動力與電氣工程領域的科學儀器，於2013年10月29日啟用。技術指標 1. 反應腔室本底真空：＜1 x 10-6 mbar (1x 10-4 Pa)，抽真空2小時後 2. 反應腔室漏率：＜5 x...
- 乾刻蝕機
乾刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2014年6月11日啟用。技術指標 本設備能精確控制刻蝕速率、適用於對均勻性要求高的刻蝕和不易濕法刻蝕的薄膜： 1. 選擇比（刻蝕速率比）： SiOx/Mo5，SiOx/Al20，SiOx/ITO＞20，...
- 乾法刻蝕系統
乾法刻蝕系統是一種用於化學、信息與系統科學相關工程與技術、材料科學、化學工程領域的工藝試驗儀器，於2019年03月11日啟用。技術指標 功率使用範圍：0-600W 頻率 13.56MHz 精度±0.005％ 最小輸出功率 10W 最大輸出功率 500W 反射...
- ICP乾法刻蝕系統
ICP乾法刻蝕系統 ICP乾法刻蝕系統是一種用於統計學領域的分析儀器，於2006年8月1日啟用。技術指標 1*10-6pa。主要功能 ICP乾法刻蝕系統。
- 薄膜刻蝕技術
濕刻法已不能適應需要，於是出現定向腐蝕法，它是通過電漿刻蝕或反應離子刻蝕得到的。因為這兩種技術不使用液體化學品，所以稱為乾刻。意義 本發明為一種薄膜刻蝕方法，是套用於一半導體或薄膜電晶體陣列（TFTArray）的薄膜製程中，用...
- 刻蝕剖面
刻蝕剖面指的是被刻蝕圖形的側壁形狀。有兩種基本的刻蝕剖面：各向同性和各向異性刻蝕剖面。各向同性的刻蝕剖面是在所有方向上（橫向和縱向）以相同的刻蝕速率進行刻蝕，導致被刻蝕材料在掩模下面產生鑽蝕（見圖）而形成的，這帶來不希望的...
- 高性能ICP刻蝕機
高性能ICP刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器，於2018年11月30日啟用。技術指標 環境溫度： 23±3℃ 環境濕度： ≤ 60% RH 刻蝕深度均勻性差異小於5%；可進行4英寸基片刻蝕。主要功能 用於III-V材料的乾法刻蝕。
- 等離子刻蝕機
等離子刻蝕機，又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、電漿刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統等。等離子刻蝕，是乾法刻蝕中最常見的一種形式，其原理是暴露在電子區域的氣體形成電漿，由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的...
- ICP刻蝕系統
ICP刻蝕系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2015年5月25日啟用。技術指標 1.片內均勻性（3”）4%（距離基片邊緣3mm處） 2.批-批均勻性（3”）4%（距離基片邊緣3mm處） 3.極限真空度（在12小時以內）3*10-7Torr 4...
- 15-ICP刻蝕機
15-ICP刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2018年12月29日啟用。技術指標 Main Unit：750(W) x 2100(D) x 1800(H)mm；Pump Unit：700(W) x 690(D) x 850(H) mm。主要功能 半導體器件高精度乾法刻蝕工藝...
- MEMS製造工藝
起源於半導體和微電子工藝，以光刻、外延、薄膜澱積、氧化、擴散、注入、濺射、蒸鍍、刻蝕、劃片和封裝等為基本工藝步驟來製造複雜三維形體的微加工技術。光刻 光刻是將製作在光刻掩模上的圖形轉移（Pattern Transfer）到襯底的表面上。無論...
- 半導體器件的製造方法
而在傳統工藝中由於AA（Active Area）與STI交界處存在梯度，使得在乾法刻蝕氮化矽後會在交界處形成類似於側牆的氮化矽殘留，而氮化矽的殘留不僅會增加後續工藝的缺陷，還會使得其下的墊氧化層難以去除，從而導致柵氧形成之後AA邊緣形成...
- 一種提高LED亮度的藍寶石圖形化襯底製備方法
PSS（Patterned Sapphire Substrate），是在藍寶石襯底上生長乾法刻蝕用掩膜，用標準的光刻工藝將掩膜刻出圖形，利用ICP刻蝕技術刻蝕藍寶石，並去掉掩膜，再在其上生長GaN材料，使GaN材料的縱向外延變為橫向外延。圖形化藍寶石襯底可以增加LED...
- 終點檢測
終點檢測是指在乾法刻蝕不同於濕法腐蝕（它對下面的材料沒有好的選擇比）的情況下，需要進行終點檢測來監測刻蝕工藝並停止刻蝕以減小對下面材料的過度刻蝕。釋義 終點檢測系統測量一些不同的參量，如刻蝕速率的變化、在刻蝕中被去除的腐蝕...
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- DRIE
DRIE，全稱是Deep Reactive Ion Etching，中文是深反應離子刻蝕，是一種主要用於微機電系統的乾法腐蝕工藝。簡介 DRIE，全稱是Deep Reactive Ion Etching，深反應離子刻蝕，一種微電子乾法腐蝕工藝。基於氟基氣體的高深寬比矽刻蝕技術。與...
- 乾法製備石墨烯量子點陣列與近場光學研究
對於特定基底上的石墨烯，發展乾法刻蝕技術直接獲得石墨烯量子點對光電集成至關重要。本項目中，我們對SiO2/Si基底上的石墨烯採用基於臭氧刻蝕的乾法技術製備石墨烯量子點陣列，實現其光致發光。在低溫下，利用掃描近場光學顯微鏡（SNOM）...
- 半導體製造工藝(第2版)
重點介紹了包括清洗、氧化、化學氣相澱積、金屬化、光刻、刻蝕、摻雜、平坦化幾大積體電路製造工藝的工藝原理工藝過程，工藝設備、工藝參數、質量控制及工藝模擬的相關內容。圖書目錄 目錄 前言 第1章緒論 1.1引言 1.2基本半導體元器件...
