在半導體製造中,根據刻蝕的方法,可分為兩種基本的刻蝕工藝:乾法刻蝕和濕法刻蝕。而根據刻蝕有無掩蔽層,可以分為有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。
而反刻,就是在想要把某一層膜的總的厚度減小時採用的(如平坦化矽片表面時需要減少形貌特徵)。
在半導體製造中,根據刻蝕的方法,可分為兩種基本的刻蝕工藝:乾法刻蝕和濕法刻蝕。而根據刻蝕有無掩蔽層,可以分為有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。
而反刻,就是在想要把某一層膜的總的厚度減小時採用的(如平坦化矽片表面時需要減少形貌特徵)。V百科往期回顧 詞條統計 瀏覽次數:次 編輯次數:2次歷史版本 最近...
無圖形刻蝕、反刻或剝離是在整個矽片沒有掩模的情況下進行的,這種刻蝕工藝用於剝離掩模層(如STI氮化矽剝離和用於製備電晶體注入側牆的矽化物工藝後鈦的剝離)。...
柱身上方接近圓蓋處,有一長方形柱額,其上反刻“梁故侍中中撫將軍開府儀同三司吳平忠侯蕭公之神道”23字,字跡清晰,令人耳目一新。這種別有意趣的特殊書體在...
柱身上方接近圓蓋處,有一長方形柱額,其上反刻“梁故侍中中撫將軍開府儀同三司吳平忠侯蕭公之神道”23字,字跡清晰,令人耳目一新。這種別有意趣的特殊書體在...