薄膜刻蝕技術

薄膜刻蝕技術是一種使用物理或化學的方法使薄膜材料消蝕的技術。

基本介紹

• 中文名：薄膜刻蝕技術
• 主題詞：信息科學 刻蝕技術 薄膜材料
• 內容：它是薄膜澱積的反過程
• 實際套用：把薄膜當作保護或裝飾材料使用

簡介

名稱: 薄膜刻蝕技術

主題詞或關鍵字: 信息科學 刻蝕技術 薄膜材料

內容

它是薄膜澱積的反過程。在薄膜材料的實際套用中，只把薄膜當作保護或裝飾材料使用時，將物件表面鍍一層均勻薄膜即可。但是用於製作器件的薄膜材料，一般都要求印刷電路版上的銅膜是具有一定形狀和走向的線條，因此對各種薄膜材料的形狀和大小的要求就更為複雜和嚴格。形成具有一定形狀和大小的圖形薄膜的方法是在鍍膜過程中使用掩模板，使基體表面裸露部分生長有薄膜材料，而被掩蓋部分則不存在薄膜。

發展

60年代以後，積體電路促進了薄膜技術的發展。在腐蝕工藝中，採用液相化學腐蝕劑的方法稱為濕刻法。其中，採用感光法進行薄膜圖形刻蝕的技術稱為光刻，抗蝕膜的製作就採用光刻法。70年代以後，大規模和超大規模積體電路的發展又要求獲得更精細的、直至亞微米級的圖形薄膜。濕刻法已不能適應需要，於是出現定向腐蝕法，它是通過電漿刻蝕或反應離子刻蝕得到的。因為這兩種技術不使用液體化學品，所以稱為乾刻。

意義

本發明為一種薄膜刻蝕方法，是套用於一半導體或薄膜電晶體陣列（TFTArray）的薄膜製程中，用以改良現有刻蝕後產生倒角（Undercut）的問題，或使刻蝕後的薄膜形狀更加的完美。該薄膜刻蝕方法是將現有的刻蝕製程，分為兩階段加以進行，且於該兩階段的刻蝕製程間，再插入一退光刻膠的刻蝕製程，通過由將光刻膠適度的刻蝕後，使得薄膜與刻蝕材料的接觸面積增加，因此可以消除現有刻蝕所產生的倒角或薄膜形狀不完美的問題。