混合型半導體探測器是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2013年12月20日啟用。
混合型半導體探測器是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2013年12月20日啟用。技術指標感測器厚度：450mm；性能等級： 有效探測像素點超過總面積的99,97%；專門配置的數據採集電腦。1主要功能結合快門數據採集，傳...
常用半導體探測器有：(1) P-N結型半導體探測器；(2) 鋰漂移型半導體探測器；(3) 高純鍺半導體探測器；P-N結半導體探測器 工作原理 多數載流子擴散，空間電荷形成內電場並形成結區。結區記憶體在著勢壘，結區又稱為勢壘區。勢壘區內為耗盡層，無載流子存在，實現高電阻率，遠高於本徵電阻率。在P-N結上加反向...
半導體射線探測器，用半導體材料製成的能將射線信息轉換成電信號的探測器。歷史 1949年K.G.麥凱首次用放射線照射PN結二極體觀察到輸出信號。原理 半導體探測器實質上是一個半導體PN結。在一般通用二極體或三極體所用的半導體PN結交界處，存在一個沒有自由載流子的耗盡區。由於N型半導體的多數載流子（電子）與P型半導體...
《半導體輻射探測器》是國防工業出版社2005年出版的圖書，由Gerhard Lutz編著。內容簡介 本書全面講解了半導體輻射探測器的工作原理、器件結構、信號讀出電子學、器件穩定性用輻射加固等內容。全書共分12章，內容包括：半導體物理、基本半導體結構、能量及輻射水平測量的探測器、位置及能量測量的探測器、探測器及其電子電路...
半導體可燃氣體探測器 半導體可燃氣體探測器要用靈敏度較高的氣敏半導體元件，它在工作狀態時，遇到可燃氣體，半導體電阻下降，下降值與可燃氣體濃度有對應關係。半導體可燃氣體探測器是一種儀器。
《位置靈敏的像素碲鋅鎘半導體探測器的研製》是依託清華大學，由李元景擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 室溫下可操作的具有高的探測效率，高的能量分辯率，便於攜帶的重量輕，體積小的化合物半導體探測器碲鋅鎘(CdZnTe)的研究始於二三十年前，並在上個世紀末達到高峰。它不僅可用於國防和環境安全等傳統的核輻射...
半導體探測器電荷收集時間（charge collection time of semiconductor detector）是2014年全國科學技術名詞審定委員會公布的放射醫學與防護名詞。定義 一個電離輻射粒子射入半導體探測器後，探測器收集電荷所需要的時間。一般用收集到的電荷從其最大值的10%增到90%所需要的時間表示。出處 《放射醫學與防護名詞》第一版 ...
半導體探測器材料 半導體探測器材料是製作輻射探測器的材料。最通用的半導體材料是鍺和矽，其基本原理是利用放射源發射的粒子束對介質的電離作用來進行測量。
II-VI族半導體外延及其探測器製作虛擬仿真實驗是廈門大學建設的虛擬仿真實驗課程。課程性質 課程背景 半導體材料及其器件在現代信息社會發展中起著極其重要的作用。在國家急需培養半導體”芯人”, 突破關鍵共性技術等半導體產業發展戰略大背景下，為 了實現創新型、複合型、套用型人才的培養需求,我們秉承"物理為先導,材料...
實現了納秒級回響的ZnO單晶半導體脈衝輻射探測器；研究了ZnO肖特基結和異質pn結型輻射探測器件的製備工藝、回響特性和器件物理，實現了零偏下自供電X射線探測器並且回響時間達到了毫秒級，在反偏條件下實現了跨4個數量級的寬範圍線性回響；探索了矽酸鋅、氧化銀等其它氧化物用於X射線探測的可行性；後續將繼續探索具有...
[半導體探測器的]電荷收集時間 [半導體探測器的]電荷收集時間（charge collection time [of semiconductor detector]）是2015年公布的計量學名詞。定義 一個電離粒子射入半導體探測器後，探測器收集電荷所需要的時間。通常用從收集到的電荷最終值的 10%增到 90%所需要的時間來表示。出處 《計量學名詞》。
矽鋰半導體探測器（Si(Li) semiconductor detector）是2014年公布的放射醫學與防護名詞，出自《放射醫學與防護名詞》第一版。定義 由裝在真空室里的鋰漂移矽半導體，致冷的前置放大器和盛裝液氮的杜瓦瓶組成的一種鋰漂移型半導體探測器。它可在室溫下保存，但要在液氮溫度下使用。主要用於低能γ射線和X射線能譜測量，...
擴散結半導體探測器（diffused junction semiconductor detector）是2014年公布的放射醫學與防護名詞。定義 將某一種導電類型的雜質擴散到相反類型的半導體中形成PN結的半導體探測器。可用來探測穿透本領較高的β粒子和X射線。這種探測器比較牢固耐用，對環境要求不嚴格，有較強的抗輻射損傷的能力。出處 《放射醫學與防護...
探測器時間分辨能力主要由探測器系統信號輸出的上升時間和數據信號獲取的採集時間兩方面決定[6]。當然也和探測器的光敏面積、探測器材料、環境溫度等條件相關。分類 氣體探測器 氣體探測器均以氣體作為探測介質，內部多充有以多種惰性氣體為主混合氣體，並在探測器兩極加上電壓小室。其小室的形狀大小結構因氣體探測器的...
同軸鍺鋰半導體探測器（coaxial Ge(Li) semiconductor detector）是2014年公布的放射醫學與防護名詞，出自《放射醫學與防護名詞》第一版。定義 一種鋰漂移型鍺半導體探測器。它是一個大型的同軸PIN二極體。其優點是能量解析度高，線性範圍寬，輸出脈衝上升時間快。出處 《放射醫學與防護名詞》第一版。
[半導體探測器的]耗盡層 [半導體探測器的]耗盡層（depletion layer [in semiconductor detector]）是2015年公布的計量學名詞。定義 半導體探測器中構成靈敏體積的一層半導體材料。粒子在其中損耗的絕大部分能量對輸出信號均有貢獻。出處 《計量學名詞》。
《碲鋅鎘室溫半導體核輻射探測器的製備及其特性研究》是依託四川大學，由朱世富擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 碲鋅鎘是一種性能優異的新型化合物半導體材料，可製成室溫核輻射探測器和攜帶型譜儀，其傷用途極廣范，因此生長這種晶體，研究其探測器製備工藝、鋅含量、雜質、缺陷等對其性能的影響，製備出對X、γ...
全耗盡半導體探測器 全耗盡半導體探測器（totally depleted semiconductor detector）是1993年公布的電子學名詞。公布時間 1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》第一版。
《室溫半導體CdZnTe探測器低本底實驗關鍵技術問題研究》是依託清華大學，由曾鳴擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 在極低放射性水平的0υββ衰變測量實驗中，探測器自身本底水平和對本底事件的甄別能力直接影響著0υββ半衰期和中微子質量的測量水平，具有十分重要的研究意義。CdZnTe包含5種0υββ衰變同位素,...
本項目根據研究計畫，在CdTe基半導體的能帶調製及其合金性質的研究、電極材料與CdZnTe的界面性質、晶體生長和探測器製備研究方面取得了重大進展。首先，基於密度泛函理論(DFT) 框架下的PBE型廣義梯度近似（GGA）平面波贗勢的方法和混合密度泛函理論的HSE方法，計算了閃鋅礦結構的CdTe體材料的光學特性、Cd空位、 Te反位和Te...
[半導體探測器的]死層 [半導體探測器的]死層（dead layer [of semiconductor detector]）是2015年公布的計量學名詞。定義 半導體探測器中緊接耗盡層的不靈敏部分。待測粒子在其中損失的能量對形成最終信號沒有明顯貢獻。出處 《計量學名詞》。
補償型半導體探測器 補償型半導體探測器（compensated semiconductor detector）是2014年公布的放射醫學與防護名詞。定義 由在P型和N型區之間有一個補償區的半導體組成的半導體探測器。鋰漂移型半導體探測器是現在最為廣泛使用的一種補償型半導體探測器。出處 《放射醫學與防護名詞》第一版。
穿透式半導體探測器（transmission semiconductor detector）是2014年公布的放射醫學與防護名詞。定義 一種入射窗和射出窗都薄得能使核輻射穿透的全耗盡層半導體探測器。這種探測器輸出脈衝的幅度能反映入射粒子通過探測器的能量損失，可根據在單位厚度上的能量損失來辨別粒子的種類。出處 《放射醫學與防護名詞》第一版。
全耗盡型半導體探測器（total depleted semiconductor detector）是2014年公布的放射醫學與防護名詞。定義 一種耗盡層厚度等於半導體材料厚度的半導體探測器。在PN結探測器中，耗盡層的厚度是與半導體材料的電阻率和外加偏壓的平方根成正比。目前可得到厚度為50～100μm不同規格的全耗盡層半導體探測器。出處 《放射醫學與...
半導體探測器 半導體探測器給輻射探測器的發展, 尤其對帶電粒子能譜學和射線譜學帶來重大飛躍。原理 帶電粒子在半導體探測器的靈敏體積內產生電子-空穴對，電子-空穴對在外電場的作用下遷移而輸出信號。其探測原理和氣體電離室類似，有時也稱為固體電離室。 特點 線性回響好、能量解析度最佳; 射線...
l 全世界最長的硫化氫氣體探測器的保修期 l 低廉的更換及維護成本 l 不受長時間曝露於硫化氫環境的影響 三、套用領域 在哪些地方用Detcon公司的固體氧化物半導體型硫化氫探測器最適宜？惡劣氣候 l 沙漠及高溫地區 l 零度以下環境 l 熱帶亞熱帶潮濕環境 惡劣環境 l 遠洋作業 l 石油天然氣鑽井作業 l 硫化氫氣體經常...
