矽鋰半導體探測器(Si(Li) semiconductor detector)是2014年公布的放射醫學與防護名詞,出自《放射醫學與防護名詞》第一版。
基本介紹
- 中文名:矽鋰半導體探測器
- 外文名:Si(Li) semiconductor detector
- 所屬學科:放射醫學與防護
- 公布時間:2014年
矽鋰半導體探測器(Si(Li) semiconductor detector)是2014年公布的放射醫學與防護名詞,出自《放射醫學與防護名詞》第一版。
矽鋰半導體探測器(Si(Li) semiconductor detector)是2014年公布的放射醫學與防護名詞,出自《放射醫學與防護名詞》第一版。定義由裝在真空室里的鋰漂移矽半導體,致冷的前置放大器和盛裝液氮的杜瓦瓶...
矽-鋰探測器(Si-Li detector)是2016年公布的化學名詞。定義 基質材料為p型矽,通過加熱和加電場將鋰原子擴散到晶體中補償其中的受主雜質,在p區和n區之間形成本徵半導體,即探測器的靈敏體積。是一種半導體探測器。這種探測器的能量...
鋰漂移型探測器 簡介 為了探測穿透能力較強的γ射線,要求探測器有更大的靈敏區。這種效果通常是使鋰漂移進入P型半導體材料,進行補償而獲得。由於鍺比矽對γ射線有更高的探測效率,故一般採用鍺(鋰)漂移探測器。這種探測器的靈敏體積...
鋰探測器的趨向。④其他探測器。用於粒子物理實驗、核醫學和同步輻射等領域的位置靈敏矽微條探測器發展很快。砷化鎵、碲化鎘和碘化汞等化學半導體探測器受到重視。因它們皆有高原子序數、高密度,適合於測高能γ射線,並可在室溫下工作。
鋰漂移型半導體探測器(lithium drifted semiconductor detector)是2014年公布的放射醫學與防護名詞。定義 一種在外加電場的作用下,使鋰離子向P型晶體中移動以補償其束縛雜質電荷的補償型半導體探測器。常用的這類探測器有矽鋰漂移型和鍺...
常用矽、鍺做半導體材料,主要有三種類型:①在n型單晶上噴塗一層金膜的面壘型;②在電阻率較高的 p型矽片上擴散進一層能提供電子的雜質的擴散結型;③在p型鍺(或矽)的表面噴塗一薄層金屬鋰後並進行漂移的鋰漂移型。高純鍺探測...
2、可靠性:採用常溫半導體探測器(矽PIN),在常溫下具有與液氮下矽鋰漂移半導體探測器相同的能量解析度,避開了進口多元素分析儀中的矽鋰漂移半導體探測器必須的液氮製冷裝置,大大降低了現場的維護強度,保障了操作人員的安全性,儀表現場...
在核輻射探器及輻射探測技術方面,對各種氣體探測器和半導體探測有深入研究、其中高能量解析度矽鋰漂移X射線半導體探測器的研究成果達國際水平,1981年獲中國科學院科研成果進步二等獎,產生了相當的社會效益和經濟效益;70年代研製的底本底...