鋰漂移型半導體探測器（lithium drifted semiconductor detector）是2014年公布的放射醫學與防護名詞。
鋰漂移型半導體探測器（lithium drifted semiconductor detector）是2014年公布的放射醫學與防護名詞。定義一種在外加電場的作用下，使鋰離子向P型晶體中移動以補償其束縛雜質電荷的補償型半...
鋰漂移探測器是一種具有較大靈敏體積的一種半導體探測器。鋰漂移探測器可以用矽也可以用鍺製成，前者稱為鋰漂移矽[Si(Li)]探測器，其靈敏區厚度可達5-6mm，可用於β、Χ射線和低能γ射線計數測量和能譜測量。後者稱之為鋰漂移鍺[...
常用半導體探測器有：(1) P-N結型半導體探測器；(2) 鋰漂移型半導體探測器；(3) 高純鍺半導體探測器；P-N結半導體探測器 工作原理 多數載流子擴散，空間電荷形成內電場並形成結區。結區記憶體在著勢壘，結區又稱為勢壘區。勢壘區內...
矽鋰半導體探測器（Si(Li) semiconductor detector）是2014年公布的放射醫學與防護名詞，出自《放射醫學與防護名詞》第一版。定義 由裝在真空室里的鋰漂移矽半導體，致冷的前置放大器和盛裝液氮的杜瓦瓶組成的一種鋰漂移型半導體探測器。
鋰漂移型探測器有平面型、頂帽型、同軸型和槽溝型等結構。由矽–鋰探測器組成的X射線螢光分析儀已廣泛套用於工業、農業、醫學、考古、礦產、環境和空間技術等領域。鍺–鋰探測器雖然也可使探測器製得很厚，且有很高的能量解析度，在...
20世紀中期有人在使用α粒子照射鍺半導體點接觸型二極體時，發現有電脈衝輸出。1958年第一個金矽面壘型探測器被設計完成，直到20世紀60年代初期鋰漂移型探測器被研製成功後，半導體探測器才得到迅速的發展。半導體探測器的工作原理如圖4...
常用矽、鍺做半導體材料，主要有三種類型：①在n型單晶上噴塗一層金膜的面壘型;②在電阻率較高的 p型矽片上擴散進一層能提供電子的雜質的擴散結型;③在p型鍺（或矽）的表面噴塗一薄層金屬鋰後並進行漂移的鋰漂移型。高純鍺探測...
Ⅲ.探測器的封裝 §8鋰漂移探測器的輸出信號與主要性能 I.鋰漂移探測器的輸出信號 Ⅱ.鋰漂移探測器的主要性能 §9鋰漂移探測器的套用 I.鋰漂移探測器的使用技術 Ⅱ.鋰漂移探測器與其它γ射線譜儀的比較 Ⅲ.半導體γ譜儀在核物理...
第6章 用於位置及能量測量的探測器 6.1 電阻的電荷分配 6.2 雙面讀出條形探測器 6.3 二極體條形探測器 6.4 有積體電路讀出耦合的條件探測器 6.5 漂移探測器 6.6 用作探測器的電荷耦合器件 6.7 小結 第7章 讀出功能的電子...
混合型半導體探測器是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2013年12月20日啟用。技術指標 感測器厚度：450mm；性能等級： 有效探測像素點超過總面積的99,97%；專門配置的數據採集電腦。主要功能 結合快門數據採集，感測器面積大，可以輕而易...
第十一章 半導體二極體探測器 11.1半導體的性質 11.2電離輻射在半導體中的作用 11.3作為輻射探測器的半導體 11.4半導體探測器的各種結構 11.5工作特性 11.6面壘探測器與擴散結探測器的套用 第十二章 鋰漂移鍺探測器 12.1離子漂移...
全耗盡型半導體探測器（total depleted semiconductor detector）是2014年公布的放射醫學與防護名詞。定義 一種耗盡層厚度等於半導體材料厚度的半導體探測器。在PN結探測器中，耗盡層的厚度是與半導體材料的電阻率和外加偏壓的平方根成正比。
2.3.3鋰漂移型半導體探測器 2.3.4高純鍺（HPGe）探測器 2.4閃爍探測器 2.4.1閃爍探測器的工作原理 2.4.2閃爍體 2.4.3光電倍增管 2.4.4高壓電源和分壓器 2.5核輻射測量方法 2.5.1α、β放射性活度測量的小立體角法...
另一種廣泛使用的探測器是半導體探測器。它的最主要優點是能量解析度高，可用於γ 譜線測量。空間天文探測上較常使用的是鋰漂移型矽、鍺探測器。能量高於10兆電子伏的γ 射線探測使用火花室。火花室配有塑膠閃爍計數器和切連科夫計數器...
