鋰漂移探測器

鋰漂移探測器是一種具有較大靈敏體積的一種半導體探測器。鋰漂移探測器可以用矽也可以用鍺製成，前者稱為鋰漂移矽[Si(Li)]探測器，其靈敏區厚度可達5-6mm，可用於β、Χ射線和低能γ射線計數測量和能譜測量。後者稱之為鋰漂移鍺[Ge（Li）]探測器，靈敏區厚20mm，靈敏體積達50cm3，較矽有更大的光面截面，對γ射線能量有極好的分辨和檢測器檢測器較高的探測效率，因而更適合於測量γ射線。鋰漂移探測器必須在乾冰溫度下存放，在液氮溫度下使用，以避免鋰漂移出晶體。