全耗盡型半導體探測器（total depleted semiconductor detector）是2014年公布的放射醫學與防護名詞。 基本介紹 中文名：全耗盡型半導體探測器外文名：total depleted semiconductor detector所屬學科：放射醫學與防護公布時間：2014年 定義,出處, 定義一種耗盡層厚度等於半導體材料厚度的半導體探測器。在PN結探測器中，耗盡層的厚度是與半導體材料的電阻率和外加偏壓的平方根成正比。目前可得到厚度為50～100μm不同規格的全耗盡層半導體探測器。出處《放射醫學與防護名詞》第一版。
