半導體探測器電荷收集時間（charge collection time of semiconductor detector）是2014年全國科學技術名詞審定委員會公布的放射醫學與防護名詞。
基本介紹
- 中文名：半導體探測器電荷收集時間
- 外文名：charge collection time of semiconductor detector
- 所屬學科：放射醫學與防護
- 公布時間：2014年
定義,出處,
半導體探測器電荷收集時間（charge collection time of semiconductor detector）是2014年全國科學技術名詞審定委員會公布的放射醫學與防護名詞。
半導體探測器電荷收集時間（charge collection time of semiconductor detector）是2014年全國科學技術名詞審定委員會公布的放射醫學與防護名詞。定義一個電離輻射粒子射入半導體探...
非常快的回響時間 在半導體探測器中，由於採用微電子工藝的半導體探測器很薄，它的電荷在很小的區域裡收集，回響時間非常快，一般可達到5ns左右。因此，可以實現高計數率，可超過108/cm²·s。體積可做得很小 由於矽半導體密度大，有一定的剛度，它可以做得很薄並能自身支持，典型的厚度是300μm左右，當帶電...
本項目利用氧氣氛高溫熱處理方法獲得探測器級高阻ZnO單晶，並重點研究ZnO單晶半導體脈衝輻射探測器。基於本徵ZnO單晶點缺陷熱動力學形成機制理論，最佳化高溫熱處理工藝以獲取探測器級半絕緣ZnO單晶；基於高阻ZnO單晶的射線回響機制和載流子的深能級陷阱效應，建立ZnO核輻射探測器的器件物理模型，包括電荷收集效率、靈敏度和時...
特別是當處於全耗盡狀態工作，即加較高電壓使耗盡區接近材料厚度時，能對空穴–電子對有完全的收集，且死區極薄，可得到薄窗和進行高精度的粒子能量沉積測量，並有快回響時間。這些特點適合於粒子定時和粒子鑑別。但這種探測器厚度只能做到1毫米以下，不能測量稍高能量的粒子全部能量。②鋰漂移型探測器。利用鋰漂移...
電荷耦合探測器（charge-coupled device detector）是2018年公布的生物物理學名詞。定義 由矽晶片構成的電荷耦合器件取代了老式電子平面探測器中的真空感測器件的一種在很大波段範圍內可實現多點探測和成像的裝置。呈現在螢光屏上的衍射圖樣，經圖像增強器增強後通過光學纖維聚集到固體器件上，再將光信號轉化為電信號，並...
通過實驗，得到GaN核探測器電荷收集效率、時間回響特性、能譜分辨本領等性能參數退化量與輻照能量、劑量之間的關係。深入研究輻照對GaN核探測器電學參數和1/f噪聲的影響，探討輻照引入表面態、深能級對探測器中非平衡載流子複合的作用機理。通過深能級瞬態譜和變溫光致發光譜表征手段，研究輻照在GaN核探測器及材料中引入...
TFr最初常用於手提電腦的液晶顯示屏中，它是由半導體矽片切割製成的，分成許多個分離的探測器元素，每個探測器由一個電荷收集存儲器和一個開關電晶體構成，X線轉換信息被分壓在檢測器矩陣上。根據吸收X線能量轉換為相應電荷的方式不同，分直接探測器和間接探測器兩種。在影像學領域中利用TFT晶體把X線曝光在影像增強器...
寬頻隙半導體材料 氮化鎵、碳化矽和氧化鋅等都是寬頻隙半導體材料，因為它的禁頻寬度都在3個電子伏以上，在室溫下不可能將價帶電子激發到導帶。器件的工作溫度可以很高，比如說碳化矽可以工作到600攝氏度；金剛石如果做成半導體，溫度可以更高，器件可用在石油鑽探頭上收集相關需要的信息。它們還在航空、航天等惡劣環境中有...
式中e是電子電荷，h是普朗克常數，υ是入射光頻率，c是光速。故R(λ)由入射光波長λ、量子效率η(λ)和倍增因子M決定。在某一入射光波作用下，沒有倍增時，量子效率的定義為單位時間內產生並被電極收集的光生載流子數與波長為 λ的入射光子數之比。η(λ)由器件表面的反射率、材料的光吸收係數α和吸收層厚度...
由於收集到的電荷量與兩個電極間電場強度有關，從而形成不同工作方式的氣體電離探測器。氣體探測器是一個圓柱形的內部充滿氣體的密閉容器，容器內有兩個相互絕緣的電極，金屬圓筒是陰極，圓筒中問的金屬絲是陽極，兩極之間加有直流高壓。當沒有射線入射到氣體電離室內時，氣體沒有被電離，電路里沒有電流。開關閉合後...
一個典型的探測器包括：閃爍體、光電轉換陣列和電子學部分。此外還有軟體、電源等附屬檔案。目CT中常用的探測器類型有兩種：(1)是收集螢光的探測器，稱閃爍探測器，也叫固體探測器。(2)是收集氣體電離電荷的探測器稱為氣體探測器。它收集電離作用產生的電子和離子，記錄由它們的電荷所產生的電壓信號。基本參數 能量—...
相對於輕粒子而言，重離子中有更多的電荷和核子，在相等的速度下有更高的能量，因此重離子反應有較複雜的反應產物，需要有粒子鑑別，使重離子探測具有更大的難度。能量和位置測量 收集和測量重離子在探測介質中所產生的電離電子就可確定重離子的能損或能量。核物理實驗中常用的探測器可分為固體探測器和氣體探測器兩...
進入MCP後的光電子在MCP內產生二次電子倍增,MCP倍增後輸出的電荷轟擊呈高阻特性的半導體Ge薄膜,通過電荷感應由Ge膜襯底背面的WSA位敏陽極收集;位敏陽極接收的電荷信號經過電荷靈敏前置放大器、整形放大器後由計算機進行數據採集和處理,最後得到不同位置的光子計數圖像。實驗結果和分析 MCP的增益性能 MCP的作用是實現電子...
通過收集射線在氣體中產生的電離電荷來測量核輻射。主要類型有電離室、正比計數器和蓋革(G-M)計數器(管）。它們的結構相似，一般都是具有兩個電極的圓筒狀容器，充有某種氣體，電極間加電壓，差別是工作電壓範圍不同。電離室工作電壓較低，直接收集射線在氣體中原始產生的離子對。其輸出脈衝幅度較小，上升時間較快...
設計製備了基於DCJTB/C60多層器件結構的有機近紅外光電探測器，可以很好地實現對980nm近紅外光的探測；通過UPS和XPS探測技術，我們分析研究了DCJTB/C60界面的能級排列與電子結構。實驗發現，DCJTB/C60/DCJTB之間低的電荷傳輸勢壘有利於電子和空穴在兩電極處得到有效的收集。通過本項目的實施，為電荷轉移複合物在近紅外...
第4章 氣體探測器 4.1 氣體探測器的測量原理 4.1.1 帶電粒子在氣體中的能量損失和統計規律 4.1.2 產生電子一離子對的能量 4.1.3 電子和離子在氣體中的運動 4.1.4 電荷收集過程和工作模式 4.2 三種基本的氣體探測器 4.2.1 電離室 ……第5章 半導體探測器 第6章 閃爍探測器 第7章 切...
1.2.2 電荷俘獲與收集5 1.3 矽探測器抗輻射強度評估7 1.3.1 矽探測器與高能物理實驗：一個成功的範例7 1.3.2 矽探測器的抗輻射加固設計8 1.3.3 n側信號讀取感測器的輻射限度10 1.3.4 探測器厚度變化的影響12 1.3.5 強輻射下標準型和薄型矽感測器的反向電流14 1.3.6 ...
像素的光生電荷耦合能在適當相應的時鐘脈衝驅動下，把存儲的電荷以電荷包的形式定向傳輸轉移到電荷存儲區，再依次輸出至放大器，實現自掃描。每個像素感光後所收集到的電荷總數直接與光子照射像素的數量有關。所有像素讀出後產生一個場景的電子圖像，完成從光信號到點信號的轉換。CCD的弱點是讀出的序列性，只有讀出速度...
閃爍體吸收射線後的次級效應產生的電子使閃爍體受激發射光子，光子通過光電倍增管轉換為電子，並倍增約105～108倍，被陽極收集，輸出脈衝信號。其幅度與被吸收的射線能量成正比，單位時間的脈衝計數與入射射線強度相關。鍺酸鉍（Bi4Ge3O12）閃爍體對 γ射線的吸收能力是NaI(Tl)的2.3倍，高能回響好，可用於高能γ...
SDD探測器的最突出特點有：1. 高計數率。由於收集陽極的電容極低，相比通常的矽PIN器件，SDD具有更短的上升時間，因而特別適合在高計數率的情況下工作。2. 高能量解析度。SDD的陽極面積小於通常矽PIN器件，由於電容的減小，在收集等量電荷的情況下具有更高的電壓，提高了其能量解析度。3. 可在常溫下工作。SDD的...
故通常使用脈衝信號波形與時間軸圍成的面積（即統計射線在探測器中產生的總電荷的數量）代表電離輻射源的能量。傳統電離輻射探測器中的脈衝能量獲取方法有兩種：一是通過使用電荷積分電路收集探測器輸出脈衝攜帶的電荷，然後使用低速的模擬數字轉換器（Analog-to-Digital Converter，以下簡稱ADC）採樣積分電路中電容器存儲的...
電離後的正、負離子將很快複合，不易收集。但在氣體中的忘離電荷卻很容易收集起來，利用電離電荷的多少可測定X射線的照射量：X射線測量儀器正是根據這個原理製成的。由於電離作用，使氣體能夠導電；某些物質可以發生化學反應；在有機體內可以誘發各種生物效應。電離作用是X射線損傷和治療的基礎。3．螢光作用 由於X射線...
當能量大於0.25MeV的電子穿過第一塊吸收片 ( 兼擋光片 ) 進入第一塊探頭時，便在探頭中損失能量，產生 電子空穴對，被電極收集，形成電荷脈衝。電荷脈衝由電荷靈敏前置放大器轉換成電壓脈衝。電壓脈衝的幅度與帶電粒子在探頭的靈敏層中所損失的能量成正比。探頭中信號的大小可由Rohrlich和Carlson公式求得。前置放大...
轉移控制柵控制光電荷向移位暫存器轉移，一般使信號轉移時間遠小於光積分時問。在光積分周期里，各個光敏元中所積累的光電荷與該光敏元上所接收的光照強度和光積分時間成正比，光電荷存儲於光敏單元的勢阱中。當轉移控制柵開啟時，各光敏單元收集的信號電荷並行地轉移到CCD移位暫存器的相應單元。當轉移控制柵關閉時，MOS...
這些系統基區均採用直接能隙半導體,光吸收率很高,故可做得較薄，大大縮短了基區渡越時間。 雙極型光電晶體通常增益很高，但速度不太快，對於GaAs-GaAlAs，β可大於1000，回響時間大於納秒（視增益大小不一）。其增益頻寬積GB在小電流弱光照時受發射極和收集極充電時間常數限制；而在大電流或強光照時則基本上由基...
通常需考慮:少數載流子對發射結和收集結勢壘電容( 和 )的充放電時間;少數載流子渡越基區所需時間;少數載流子掃過收集勢壘區的渡越時間;通過收集結到達收集區的電流流經收集區及外負載電阻產生的結壓將,使收集結電荷量改變的時間常數。於是光電三極體總回響時間應為上述各個時間之和。因此,光電三極體的回響時間比光電...
閃爍計數器是由閃爍體（螢光體）、光電倍增管和相應的電子線路組成。當射線穿入螢光體被吸收後，螢光體產生閃爍現象，放出光子。光子透過螢光體照射在光電倍增管的光陰極上，從光陰極上打出光電子，電子在管內得到倍增放大後被陰極收集,形成電脈衝輸出,被電子儀器記錄下來。入射線強，閃爍次數多，單位時間內的脈衝...
探測器 CCD 探測器 電荷耦合器件 CCD 探測器中儲存著電荷，而當光子照射到其光敏面時電荷就會被釋放。在積分時間的結尾，剩餘的電荷就會傳送到緩衝器中，然後這個信號被傳送到 A/D 轉換卡。 CCD 探測器具有自然積分的特性因此具有非常大的動態範圍，它只受暗（熱）電流和 AD 轉換卡數據處理速度的限制。 3648 ...