半導體探測器材料是製作輻射探測器的材料。最通用的半導體材料是鍺和矽，其基本原理是利用放射源發射的粒子束對介質的電離作用來進行測量。
基本介紹
- 中文名：半導體探測器材料
- 套用領域：製作輻射探測器
半導體探測器材料是製作輻射探測器的材料。最通用的半導體材料是鍺和矽，其基本原理是利用放射源發射的粒子束對介質的電離作用來進行測量。
半導體探測器材料 半導體探測器材料是製作輻射探測器的材料。最通用的半導體材料是鍺和矽，其基本原理是利用放射源發射的粒子束對介質的電離作用來進行測量。
半導體射線探測器，用半導體材料製成的能將射線信息轉換成電信號的探測器。歷史 1949年K.G.麥凱首次用放射線照射PN結二極體觀察到輸出信號。原理 半導體探測器實質上是一個半導體PN結。在一般通用二極體或三極體所用的半導體PN結交界處，...
矽-鋰探測器（Si-Li detector）是2016年公布的化學名詞。定義 基質材料為p型矽，通過加熱和加電場將鋰原子擴散到晶體中補償其中的受主雜質，在p區和n區之間形成本徵半導體，即探測器的靈敏體積。是一種半導體探測器。這種探測器的能量...
N型高純鍺探測器（N-type high purity Ge detector）是2014年全國科學技術名詞審定委員會公布的放射醫學與防護名詞，出自《放射醫學與防護名詞》第一版。定義 用N型高純鍺材料製成的半導體探測器。具有很薄的入射窗，可用於X射線和低能...
《碲鋅鎘室溫半導體核輻射探測器的製備及其特性研究》是依託四川大學，由朱世富擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 碲鋅鎘是一種性能優異的新型化合物半導體材料，可製成室溫核輻射探測器和攜帶型譜儀，其傷用途極廣范，因此生長這種晶體...
除了光電探測器外，還有與它類似的用半導體製成的粒子探測器。半導體發光二極體 半導體發光二極體的結構是一個PN結，它正向通電流時，注入的少數載流子靠複合而發光。它可以發出綠光、黃光、紅光和紅外線等。所用的材料有 GaP、GaAs、GaAs...
紅外探測器用半導體材料 紅外探測器用半導體材料是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 具有紅外熱效應、紅外光電效應或紅外光磁電效應，即對紅外敏感可製造紅外探測器的半導體材料。出處 《材料科學技術名詞》。
面壘型半導體探測器是射線測量中半導體探測器的一種類型。套用較多的是金矽面壘型，以經過適當處理的單晶片表面蒸發上一層薄金而製成。這一金屬—半導體界面有整流特性，工作時以塗金層作為陰極，以矽基片另一面被蒸發上一薄層鋁或鎳...
第一代半導體材料主要以矽、鍺半導體材料為主，20世紀50年代，鍺在半導體中占主導地位，主要套用於低壓、低頻、中功率電晶體以及光電探測器中，但鍺半導體器件的耐高溫和抗輻射性能較差，到二十世紀60年代後期逐漸被矽器件所取代。材料特點...
可在700K的高溫下使用。隨著體單晶及其同質外延SiC材料性能的不斷提高，可在不同的沉積條件下用直流濺射法在玻璃底襯的SiC襯底上沉積ITO：TIO和Ni膜，並可由此製成SiC金屬-半導體-金屬紫外輻射探測器。
目前，無論在軍事還是民用領域，均迫切需要3-5µm波段的高探測度非製冷的半導體紅外探測器。直接帶隙III-V族銻化物半導體材料是製作這一波段紅外探測器的優勢材料。本項課題研究致力於研製非製冷的3-5µm波段光伏型InGaAsSb單元和...
所以人們一直在尋找禁頻寬度合適、易於製備、適於alpha粒子探測的寬頻隙半導體材料。由於目前在研的SiC、GaN和金剛石等材料各自都還存在問題，為此我們提出採用帶隙高達4.9eV的氧化鎵材料製備alpha粒子探測器；採用MOCVD方法，結合原位材料表面...
由於地球的礦藏多半是化合物，所以最早得到利用的半導體材料都是化合物,例如方鉛礦(PbS)很早就用於無線電檢波，氧化亞銅(Cu2O)用作固體整流器，閃鋅礦(ZnS)是熟知的固體發光材料，碳化矽(SiC)的整流檢波作用也較早被利用。硒(Se)是最早發...
該項目對揭示ZnO半導體核輻射探測器回響機理具有重要的研究價值，並為脈衝輻射探測技術領域提供一種新型寬禁帶半導體探測器。結題摘要 基於氧化物缺陷化學理論研究了高溫熱處理過程中ZnO晶體中施主缺陷和受主缺陷變化趨勢，基於高溫熱處理條件...
無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關聯。常見的半導體材料有矽、鍺、砷化鎵等，矽是各種半導體材料套用中最...
《碘化汞室溫半導體探測器的物理特性研究》是依託四川大學，由李正輝擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 碘處理重結晶提純改善了化學配比，改進的氣相定點成核法生長出350克重，具有光滑透明自然晶面、低位錯密度的碘化汞單晶。氣相生長塊狀...
本徵光電導材料的長波限受禁頻寬度的限制.凡禁頻寬度或雜質離化能合適的半導體材料都具有光電效應。但是製造實用性器件還要考慮性能、工藝、價格等因素。常用的光電導探測器材料在射線和可見光波段有：CdS、CdSe、CdTe、Si、Ge等;在近紅外...
主要用於中、短波紅外輻射的探測。構造 它的構造和工藝原理是在P型矽材料上沉積一層厚度約2nm的鉑金屬層，金屬鉑和半導體矽之間形成肖特基勢壘。原理 當能量小於1.1cV(矽的禁頻寬度)的光子透過矽襯底入射到矽化鉑上時，會激發出電子,...
第3章 氮化物半導體紫外光電探測器 31 3.1 引言 32 3.2 氮化物半導體材料的基本特性 33 3.2.1 晶體結構 33 3.2.2 能帶結構 33 3.2.3 極化效應 35 3.3 高Al組分AlGaN材料...
鋰漂移型半導體探測器（lithium drifted semiconductor detector）是2014年公布的放射醫學與防護名詞。定義 一種在外加電場的作用下，使鋰離子向P型晶體中移動以補償其束縛雜質電荷的補償型半導體探測器。常用的這類探測器有矽鋰漂移型和鍺...
半導體探測器 半導體探測器是以半導體材料為探測介質的輻射探測器。鍺和矽是我們最通用的半導體探測材料，其基本原理與氣體電離室相類似。晶體計數器可以認為是半導體探測器的前身，20世紀初期人們發現在核輻射下可以通過某些固體電介質產生...
GaN 具有禁頻寬度大、熱導率高、耐高溫、抗輻射、耐酸鹼、高強度和高硬度等特性,是現在世界上人們最感興趣的半導體材料之一。gan 基材料在高亮度藍、綠、紫和白光二極體,藍、紫色雷射器以及抗輻射、高溫大功率微波器件等領域有著廣泛的...
製作光敏電阻的材料主要有矽、鍺、硫化鎘、銻化銦、硫化鉛、硒化鎘、硒化鉛等。硫化鎘光敏電阻對可見光敏感，用硫化鎘單晶製造的光敏電阻對X射線、γ射線也敏感；硫化鉛和銻化銦對紅線外線光敏感。利用這些光敏電阻可以製成各種光探測器。...
探測器 探測器的電信號輸出是目標空間信息的時間描述，探測器電子信號與探測器特性相匹配。探測器分為經典半導體探測器、新型半導體探測器和熱探測器。經典半導體型和熱探測器型的探測器特性參數及其後的系統特性參數已得到改進。常見的幾種...
該材料也是國家重點支持產業，獲得了“國家重大科學儀器設備開發專項：新型CZT半導體X射線和γ射線探測器研究（2011YQ040082）”等國家課題的支持。與此次申報的國家標準相對應的產品是是現階段市場急需的產品，對市場起到的支持作用。在空間...
熱探測器吸收紅外輻射後，溫度升高，可以使探測材料產生溫差電動勢、電阻率變化，自發極化強度變化，或者氣體體積與壓強變化等，測量這些物理性能的變化就可以測定被吸收的紅外輻射能量或功率。分別利用上述不同性能可製成多種熱探測器：⑴ ...
砷化鎵可以製成電阻率比矽、鍺高3個數量級以上的半絕緣高阻材料，用來製作積體電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由於其電子遷移率比矽大5～6倍，故在製作微波器件和高速數字電路方面得到重要套用。用砷化鎵製成的半導體器件具有高頻...
氮化鎵（GaN）是一種具有晶體結構的半導體材料，其結構是由鎵原子和氮原子構成的晶格組成的。氮化鎵晶體採用立方晶繫結構，其晶胞中包含了具有六方密堆積結構的原子排列。氮化鎵晶體的晶格結構可以描述為每個鎵原子周圍環繞著四個氮原子，而...