《碘化汞室溫半導體探測器的物理特性研究》是依託四川大學，由李正輝擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：碘化汞室溫半導體探測器的物理特性研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：李正輝
- 依託單位：四川大學
- 批准號：69476027
- 申請代碼：F0403
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：1995-01-01 至 1997-12-31
- 支持經費：7（萬元）
項目摘要
碘處理重結晶提純改善了化學配比，改進的氣相定點成核法生長出350克重，具有光滑透明自然晶面、低位錯密度的碘化汞單晶。氣相生長塊狀晶體具有{110}柱面生長習性。發現晶核{001}平等於安瓿基座表面時長出的晶體完整性最好，因而採用[001]方向平行於安瓿基座表面的籽晶法可提高晶體質量。用濕線切割晶體，解理成晶片 ，經化學拋光後塗敷膠體石墨或蒸鍍鈀電極，塗敷聚合物或沉積無定形碳保護膜而製成碘化汞探測器，並安裝在禁止盒內。研究了探測器的物理特性和穩定性及其影響因素，其漏電流為10（-11）A量極，能量解析度達4-8%。經100℃下加速實驗表明有機玻璃和矽橡膠膜可使器件穩定工作3年以上，而電漿沉積的無定形碳膜可使器件壽命超過5年。
