化合物半導體探測器及其套用

內容介紹

內容提要

本書較系統地敘述了化合物半導體探測器的種類、性能和目前在各個領域

內的套用。內容共分五章：第一章介紹化合物半導體和在室溫下工作的化合物半

導體探測器；第二章介紹GaAs核輻射探測器的發展、現狀、製備和性能；第三

章介紹CdTe核輻射探測器的發展、製備和性能，第四章介紹HgI2核輻射探測器

的製備與性能；第五章介紹化合物半導體探測器在能譜測量、核醫學（醫用探針、

骨密度儀等）、高能CT技術、劑量測量、核電站輻射安全監測、核廢物處理、空

間物理學、天體物理學、x射線數字照相、Υ射線成像、採礦工業以及在粒子物

理學等學科中的套用。本書內容比較系統全面，可供從事核輻射探測器研製的技

術人員、從事核醫學工作的醫務人員、從事天體物理學、劑量監測和核物理學研

究的研究人員和其它有關科技人員及大專院校有關專業的師生參考。

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目錄
第一章化合物半導體和在室溫下工作的化合物
半導體探測器
1.1化合物半導體
1.2化合物半導體與元素半導體Si、Ge間的差別及特點
1.2.1化學鍵
1.2.2晶體結構
1.2.3雜質、缺陷和化學比
1.3製備核輻射探測器對化合物半導體材料的要求
1.4幾種常用的半導體材料的性能參數
1.5半導體核輻射探測器的分類和在室溫下工作的半導體核輻射探測器的現狀
1.5.1半導體核輻射探測器的分類
1.5.2可在室溫下工作的半導體XΥ射線探測器的現狀
參考文獻
第二章砷化鎵（GaAs）核輻射探測器
2.1GaAs核輻射探測器的發展與現狀
2.2GaAs核輻射探測器的製備與性能
2.2.1用於製備核輻射探測器的GaAs單晶
2.2.2GaAs核輻射探測器的製備和種類
2.2.3GaAs表面勢壘型核輻射探測器的I－V和C－V特性
2.2.4GaAs核輻射探測器的能譜特性
參考文獻
第三章碲化鎘（CdTe）核輻射探測器
3.1CdTe核輻射探測器的發展與現狀
3.2CdTe核輻射探測器的製備與性能
3.2.1用於CdTe核輻射探測器的CdTe單晶的生長和晶體中的主要缺陷
3.2.2CdTe核輻射探測器的種類和它的製備工藝
3.2.3CdTe核輻射探測器的I－V特性
3.2.4CdTe核輻射探測器的能譜特性和性能數據
參考文獻
第四章碘化汞（HgI2）核輻射探測器
4.1引言
4.2用於核輻射探測器的HGI2單晶材料
4.3HgI2核輻射探測器的製備與性能
4.3.1HgI2核輻射探測器的製備
4.3.2HgI2核輻射探測器的I－V和C－V特性
4.3.3HgI2核輻射探測器的能譜特性
參考文獻
第五章化合物半導體探測器的套用
5.1引言
5.2在能譜測量中的套用
5.3在核醫學（醫用探針和骨密度儀）中的套用
5.3.1用於腫瘤定位的外科手術探針
5.3.2骨密度儀
5.3.3攜帶型區域性腦血流量實時分析系統
5.3.4核醫學醫療劑量測定儀
5.3.5核醫學手術刀――Υ射線刀（簡稱Υ刀）
5.4在高能CT技術中的套用
5.5在粒子物理學中的套用
5.6在劑量測量中的套用
5.6.1在核電站監控中的套用
5.6.2在核輻射劑量測量中的套用
5.7在核廢物處理中的套用
5.8在空間物理學和天體物理學中的套用
5.8.1用於SovietMars任務中的X射線儀器
5.8.2在天體物理學中的套用
5.9在X射線閃光輻射照相和數字式照相中的套用
5.10在皮秒X、Υ射線快速脈衝診斷中的套用
5.11在採煤工業中的套用
5.12在Υ射線成像技術中的套用
參考文獻

化合物半導體探測器及其套用

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