紅外光子探測器

紅外光子探測器都是利用內光電效應,紅外光子直接把材料束縛態電子激發成傳導電子,參與導電,實現光—電轉換,電信號大小與吸收的光子數成比例。

基本介紹

  • 中文名:紅外光子探測器
  • 分類:光電導型、光伏型和光磁電型
  • 特點:光譜回響有選擇性、靈敏度高
  • 用途:用於熱成像、制導、跟蹤、探測等
分類及工作原理,光電導型,光伏型,光磁電型,主要特點,基本結構,常用光子探測器,硫化鉛探測器,硒化鉛探測器,銻化銦探測器,鍺摻雜探測器,矽摻雜探測器,

分類及工作原理

按光—電信號轉換的不同原理,光子探測器分為光電導型、光伏型和光磁電型等,如圖1-1所示。

光電導型

受紅外線激發,探測器晶片傳導電子增加,因而電導率增加,在外加偏壓下,引起電流增加,增加的電流大小與光子數成比例。光電導探測器俗稱光敏電阻。光電導又分本徵型激發和非本徵型(雜質型)激發兩種。本徵型是指紅外光子把電子從價帶激發至導帶,產生電子—空穴對,即導帶中增加電子,價帶中產生空穴。雜質型是指紅外光子把雜誌能級的束縛電子(或空穴)激發至導帶(或價帶),使導帶中增加電子(或價帶中增加空穴)。套用最多的本徵型光電導探測器硫化鉛硒化鉛銻化銦碲鎘汞等;雜質型光電導探測器主要有鍺摻汞、矽摻鎵等。
圖1-1 紅外光子探測器原理圖圖1-1 紅外光子探測器原理圖

光伏型

在半導體材料中,使導電類型不同的兩種材料相接觸,製備成PN結,形成勢壘區。紅外線激發的電子和空穴在PN結勢壘區被分開,積累在勢壘區兩邊,形成光生電動勢。連線外電路,就會有電信號輸出。光伏探測器也稱光電二極體。光伏紅外探測器主要有銻化銦、碲鎘汞、碲錫鉛等。還有一種稱為肖特基勢壘型探測器,它是由某些金屬與半導體接觸,形成一種勢壘稱為肖特基勢壘,與PN結勢壘相似,紅外線激發的載流子通過內光電發射產生電信號,實現光電探測。常用肖特基勢壘探測器有矽化鉑、矽化銥等。

光磁電型

由紅外線激發的電子空穴,在材料內部擴散運動過程中,受到外加磁場的作用,就會使正、負電荷分開,分別偏向相反的一側,電荷在材料側面積累。若連線外電路,就會有電信號產生。光磁電型探測器主要有銻化銦、碲鎘汞等。由於光磁電型探測器要在探測器晶片上加磁場,結構比較複雜,所以它現在很少使用。

主要特點

光子探測器的特點是:光譜回響有選擇性,只對短於某一特定波長的紅外輻射有回響,這一特定波長稱為截止波長(指在長波端);回響速度快,比熱探測器要高几個數量級,一般光電導探測器回響時間在微秒級,光伏探測器的回響時間在納秒級或更快,這對於軍用探測快速運動目標是非常重要的;探測靈敏度高,與熱探測器相比,大約高出兩個數量級;探測器靈敏度與工作溫度有關,工作溫度降低,探測器靈敏度就能提高,有的光子探測器只能在低溫工作,需要製冷條件。光子探測器大都是由化合物半導體材料製成,材料生長難度大,器件製造技術要求高,所以價格也比較貴,目前主要在軍事上用於高性能、遠距離、快速目標的探測。但隨著技術進步,工藝水平提高,價格降低,它們在民用中也占有一定市場,並具有廣闊發展前景。

基本結構

根據不同需要,光子探測器工作溫度範圍為4K~300K。為了保證低溫工作條件,探測器結構非常重要,必須考慮與製冷器配合、密封性能和組件標準化設計等問題。
1、常溫工作的探測器結構
在常溫下工作的探測器,結構比較簡單,只要提供保護外殼,引出電極和透紅外視窗就可以了。如硫化鉛硒化鉛探測器,一般採用TO-5型電晶體外殼,前面加透紅外視窗,如圖1-2所示。
圖1-2 常溫工作探測器結構圖1-2 常溫工作探測器結構
2、帶半導體製冷器的結構
當探測器工作溫度在195K~300K之間時,採用半導體製冷形式最為方便。製冷器冷端上安裝探測器晶片,熱端與外殼底座相連,並加散熱器散熱。一般採用真空密封結構,把半導體製冷器和探測器晶片均封裝在真空腔中,以保持其製冷效果。其典型結構如圖1-3所示。
圖1-3帶半導體製冷的探測器結構圖1-3帶半導體製冷的探測器結構
3、低溫杜瓦結構
低溫工作的探測器大多工作在100K以下,以77K工作為主。有些鍺、矽摻雜光電導器件工作在4K~60K之間。低溫工作的探測器的晶片需要封裝在真空杜瓦中。假若工作溫度77K,環境溫度為常溫300K,就必須採取絕熱措施。真空杜瓦是絕熱的好辦法。圖1-4是杜瓦結構圖。若杜瓦真空度降低,絕熱性能變壞,傳導散熱使消耗的冷量增加,因此就需要更大的製冷功率;更為嚴重的是,製冷器的冷量通過傳導會使杜瓦外殼溫度降低,空氣中的水分就會冷凝在杜瓦外壁和視窗上,輕則呈霜狀,重則有水滴,俗稱為杜瓦“結霜”或“出汗”。視窗“結霜”或“出汗”,影響紅外線透射,所以高真空杜瓦結構是探測器正常工作的必須條件。除杜瓦必須保持高真空度以外,透紅外視窗還要滿足探測器工作波段的要求。
[圖1-4 杜瓦結構[圖1-4 杜瓦結構

常用光子探測器

硫化鉛探測器

硫化鉛探測器是1um~3um波段套用很廣的器件。硫化鉛探測器一般為多晶薄膜結構。是光電導型器件,有單元和多元線列器件,鑲嵌結構可多達2000元。硫化鉛探測器的阻值適中,回響率高,可以在常溫工作,使用方便;在低溫工作時,性能有所提高(圖1-5)。硫化鉛探測器的主要缺點是回響時間常數較大,電阻溫度係數大。目前,硫化鉛探測器在紅外探測、制導、引信、跟蹤、預警、測溫等領域大量使用。由於硫化鉛探測器工作在短波紅外(1um~3um),所以適合對高溫目標(如飛彈和噴氣式飛機的噴口尾焰)探測。
圖1-5 不同工作溫度的硫化鉛探測器性能圖1-5 不同工作溫度的硫化鉛探測器性能

硒化鉛探測器

硒化鉛探測器是薄膜光電導型器件,工作在3um~5um波段,有單元和多元器件,可以在常溫工作,其性能隨工作溫度降低有所提高,可以用半導體製冷器製冷。工作溫度在200K左右時,是3um~5um波段的首選器件。

銻化銦探測器

工作在3um~5um波段,有光電導型與光伏型兩種。光電導型器件可以在常溫工作,但性能稍低,不如低溫時高。常用銻化銦探測器工作在77K,以光伏型為主,有單元、多元器件,線列可長達256元以上。銻化銦探測器的靈敏度高、回響速度快,是目前3um~5um波段最成熟、套用最廣的探測器,廣泛用於熱成像、制導、跟蹤、探測、告警等。用於制導時可以迎頭或全方位攻擊空中目標。

鍺摻雜探測器

鍺摻雜探測器是一種雜質光電導探測器,以鍺材料為基體,摻入不同雜質會有不同的回響波長。鍺摻雜探測器工藝簡單、靈敏度高。在碲鎘汞探測器成熟之前(約20世紀60年代末),鍺摻汞是工作在8um~14um的主要長波探測器。為了減少熱激發的影響,長波鍺摻雜器件必須在很低溫度下工作,一般在30K以下,由於製冷比較困難,因此限制了矽摻雜探測器的套用。

矽摻雜探測器

矽摻雜探測器也是一種雜質光電導探測器,以矽材料為基體,摻入不同雜質會有不同的回響波長,因為矽摻雜探測器必須工作在很低的溫度,套用受到限制。但由於矽摻雜探測器可以和Si信號處理器電路單片集成,受到一定重視。

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