基本介紹
- 中文名:第一代半導體材料
- 所屬學科:材料學
第一代半導體材料主要以矽、鍺半導體材料為主,20世紀50年代,鍺在半導體中占主導地位,主要套用於低壓、低頻、中功率電晶體以及光電探測器中,但鍺半導體器件的耐高溫和抗輻射性能較差,到二十世紀60年代後期逐漸被矽器件所取代。...
《半導體材料技術》較為詳細地介紹了以矽、鍺為代表的第一代半導體材料,以砷化鎵和磷化銦為代表的第二代半導體材料,以耐高溫化合物為代表的寬禁帶第三代半導體材料以及以量子阱、量子線和量子點為代表的第四代半導體材料。內容簡介 《...
磁性半導體(英語:Magnetic semiconductor)是一種同時體現鐵磁性(或者類似的效應)和半導體特性的半導體材料。如果在設備里使用磁性半導體,它們將提供一種新型的導電方式。傳統的電子元件都是以控制電荷自由度(從而有n型和p型半導體)為...
半導體材料(semiconductor material)是一類具有半導體性能(導電能力介於導體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm範圍內)、可用來製作半導體器件和積體電路的電子材料。簡介 自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和...
《半導體材料》是2018年冶金工業出版社出版的圖書,本書圍繞第一代到第四代半導體材料和功能半導體材料,較系統地介紹了半導體材料的基本概念、基本理論、性能、製備方法、檢測與測試、設計及套用。內容簡介 《半導體材料/普通高等教育“...
一代材料,一代器件,一代裝備,一代套用。第一代半導體材料 主要是指矽(Si)、鍺元素(Ge)半導體材料。作為第一代半導體材料的鍺和矽,在國際信息產業技術中的各類分立器件和套用極為普遍的積體電路、電子信息網路工程、電腦、手機、...
以GaN(氮化鎵)為代表的第三代半導體材料及器件的開發是新興半導體產業的核心和基礎,其研究開發呈現出日新月異的發展勢態。GaN基光電器件中,藍色發光二極體LED率先實現商品化生產成功開發藍光LED和LD之後,科研方向轉移到GaN紫外光探測器...
半導體技術是指半導體加工的各種技術,包括晶圓的生長技術、薄膜沉積、光刻、蝕刻、摻雜技術和工藝整合等技術。概念 半導體技術就是以半導體為材料,製作成組件及積體電路的技術。在周期表里的元素,依照導電性大致可以分成導體、半導體與絕緣...
石墨烯的研究與套用開發持續升溫,石墨和石墨烯有關的材料廣泛套用在電池電極材料、半導體器件、透明顯示屏、感測器、電容器、電晶體等方面。鑒於石墨烯材料優異的性能及其潛在的套用價值,在化學、材料、物理、生物、環境、能源等眾多學科...
負電子親和勢(NEA)材料(如GaAs、InGaAsP與Cs2O的接觸)的光電子發射的量子產額相當可觀,是發展半導體光陰極的重要基礎。半導體光電子器件 發光效應 1952年,發現了矽、鍺半導體材料注入發光的現象。注入到半導體中的非平衡電子-空穴對以...
1998年,華晶與上華合作生產MOS 圓片契約簽定,開始了中國大陸的Foundry時代;由北京有色金屬研究總院半導體材料國家工程研究中心承擔的我國第一條8英寸矽單晶拋光生產線建成投產。1999年,上海華虹NEC的第一條8英寸生產線正式建成投產。2000-...
一般認為,半導體材料的發展經歷了三個階段。通常將矽(Si)和鍺(Ge)稱為第一代半導體材料。20世紀50年代,鍺占據著半導體工業中的主導地位,但由於其抗福射和耐高溫能力較差,到20世紀60年代後期逐漸被陸取代。矽是間接帶隙半導體材料,其...
SiC是一種典型的二元化合物半導體材料,其晶體結構的基本單元為一個四重對稱性的四面體,即 SiC₄或CSi₄,相鄰的兩個 Si 原子或兩個 C 原子之間的距離是3.08 Å,而相鄰的C原子和Si原子之間的距離僅約1. 89 Å。在SiC...
電晶體泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件,包括各種半導體材料製成的二極體、三極體、場效應管、晶閘管(後三者均為三端子)等。電晶體是一種半導體器件,放大器或電控開關常用。電晶體是規範操作電腦,手機,和所有其他現代電子電路的...
GaN材料的研究與套用是目前全球半導體研究的前沿和熱點,是研製微電子器件、光電子器件的新型半導體材料,並與SiC、金剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之後的第三代半導體材料。
根據添加新材料的極性位置不同,新的致冷三極體分別叫做N-PNP或NPN-P。電晶體帶來並促進了“固態革命”,進而推動了全球範圍內的半導體電子工業。作為主要部件,它及時、普遍地首先在通訊工具方面得到套用,並產生了巨大的經濟效益。由於...
通過外延、摻雜劑擴散或離子注入等工藝,將P型半導體與N型半導體製作在同一塊半導體(通常是矽或鍺)襯底上,這兩種半導體材料之間的邊界或界面稱為PN結(英語:PNjunction)。PN結具有單嚮導電性(也稱為整流特性),由此構成的半導體器件...
單晶矽具有金剛石晶格,晶體硬而脆,具有金屬光澤,能導電,但導電率不及金屬,且隨著溫度升高而增加,具有半導體性質。單晶矽是重要的半導體材料。在單晶矽中摻入微量的第ЩA族元素,形成P型半導體,摻入微量的第VA族元素,形成N型,N...
ITO薄膜是一種n型半導體材料,具有高的導電率、高的可見光透過率、高的機械硬度和良好的化學穩定性。它是液晶顯示器(LCD)、等離子顯示器(PDP)、電致發光顯示器(EL/OLED)、觸控螢幕(TouchPanel)、太陽能電池以及其他電子儀表的透明...
對生產環境的要求(淨化度為100級),對原材料純度的要求(電子特氣的純度為99.999985%),對生產設備和生產技術的要求都超過半導體大規模集成,是現代大生產的頂尖技術。其主要特點有:大面積 九十年代初第一代大面積玻璃基板(300mm...