《半導體材料》是2018年冶金工業出版社出版的圖書，本書圍繞第一代到第四代半導體材料和功能半導體材料，較系統地介紹了半導體材料的基本概念、基本理論、性能、製備方法、檢測與測試、設計及套用。
半導體材料（semiconductor material）是一類具有半導體性能（導電能力介於導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm範圍內）、可用來製作半導體器件和積體電路的電子材料。簡介自然界的物質、材料...
常見的半導體材料有矽、鍺、砷化鎵等，矽是各種半導體材料套用中最具有影響力的一種。簡介 物質存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、電漿等等。我們通常把導電性差的材料，如煤、人工晶體、琥珀、陶瓷等稱為絕緣體。而把導電性比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導體。可以簡單的把介於導體和絕緣...
半導體矽材料(semiconductor silicon)是最主要的元素半導體材料，包括矽多晶、矽單晶、矽片、矽外延片、非晶矽薄膜等，可直接或間接用於製備半導體器件。特性 矽為周期表中Ⅳ族元素。在地殼中主要以二氧化矽和矽酸鹽形式存在。豐度為27.7%，僅次於氧。矽的原子量為28.05，25℃下密度為2.329g/cm3，具有灰色金屬光澤，...
矽材料，重要的半導體材料，化學元素符號Si，電子工業上使用的矽應具有高純度和優良的電學和機械等性能。簡介 在研究和生產中，矽材料與矽器件相互促進。在第二次世界大戰中，開始用矽製作雷達的高頻晶體檢波器。所用的矽純度很低又非單晶體。1950年制出第一隻矽電晶體，提高了人們製備優質矽單晶的興趣。1952年用...
二十一世紀以來，以氮化鎵（GaN）和碳化矽（SiC）、氧化鋅(ZnO)、金剛石為四大代表的第三代半導體材料開始初露頭角。材料特點 第三代半導體材料具有更寬的禁頻寬度、更高的導熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。套用 第三代半導體材料可以實現更好的電子濃度和運動控制，更適合於製作高溫、高頻...
半導體技術是指半導體加工的各種技術，包括晶圓的生長技術、薄膜沉積、光刻、蝕刻、摻雜技術和工藝整合等技術。概念 半導體技術就是以半導體為材料，製作成組件及積體電路的技術。在周期表里的元素，依照導電性大致可以分成導體、半導體與絕緣體三大類。最常見的半導體是矽（Si），當然半導體也可以是兩種元素形成的化合物...
固體中電子的能量具有不連續的量值，電子都分布在一些相互之間不連續的能帶上。價電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙稱為禁帶或帶隙。所以禁帶的寬度實際上反映了被束縛的價電子要成為自由電子所必須額外獲得的能量。矽的禁頻寬度為1.12電子伏特(eV)，而寬禁帶半導體材料是指禁頻寬度在2.3eV及以上的半導體材料...
①力敏半導體材料。具有較強的壓阻效應，能將各種力學量如作用力、加速度、流量等轉變為電信號。壓阻效應，是指半導體晶體在受到壓力作用時，晶體的對稱性會發生變化，導電機制也隨之變化，從而使電阻值改變的物理現象。半導體的應變係數（壓阻係數）可達100～200，而金屬的應變係數只有2～3，這種差異主要歸因於半導體...
《半導體材料》是科學出版社於2008年出版的一本圖書，作者是楊樹人、王兢。內容簡介 《半導體材料(第2版)》是為大學本科與半導體相關的專業編寫的教材。《半導體材料(第2版)》介紹主要半導體材料矽、砷化鎵等製備的基本原理，工藝和特性的控制等。全書分11章：第1章為矽和鍺的化學製備；第2章為區熔提純；第3章為...
π電子的離域性構成了導電性質，分子軌道間的能級差，使其導電能力處在半導體範圍。經過摻雜處理之後半導體高分子材料的導電能力往往可以大幅度提高，從半導體進入導體範圍。因此在分子電子器件的研究方面具有重要意義。其製備方法包括化學合成法和電化學聚合法，半導體高分子材料的套用研究目前仍處在開發階段。
非晶半導體材料 【amorphous semiconductor】 具有半導體性質的非晶態材料。50年代B.T.科洛米耶茨等人開始了對硫系玻璃的研究，1975年W.E.斯皮爾等人在矽烷輝光放電分解製備的非晶矽中實現了摻雜效應,使控制電導和製造PN結成為可能。理論方面，P.W.安德森和N.F. 莫脫建立了非晶態半導體的電子理論。非晶態材料是半導體...
氧化物半導體材料是由金屬與氧形成的化合物半導體材料。信息介紹 氧化物半導體材料(oxide semiconductor)是由金屬與氧形成的化合物半導體材料。它與元素半導體材料相比，結構上多為離子晶體，禁頻寬度一般都較大，遷移率較小，化學性質也比較複雜，可因化學計量比的微小偏差，在晶體中造成施主和受主，而這種化學計量比的...
半導體器件是導電性介於良導電體與絕緣體之間，利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件，可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。半導體器件的半導體材料是矽、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振盪器、發光器、放大器、測光器等器材。為了與積體電路相區別，有時也稱為分立器件。絕大部分二端...
半導體材料通常是指電阻率介於絕緣體與導體之間，即電阻率的數值在10~10⁹歐姆·厘米範圍內的材料。如果按照化學成分來分類，有元素半導體(如鍺、矽等)和化合物半導體(如砷化鎵、磷化鎵等)。如果從原子排列的狀態來看，可分晶態半導體(如單晶體、多晶體)和非晶態半導體(如玻璃半導體)。在單晶體中，所有的原子是按...
三元化合物半導體材料是指由三種已確定的原子配比形成的化合物，並具有確定的禁頻寬度和能帶結構等半導體性質。從廣義上來說，具有理想的Eg值的三元化合物半導體分為兩類。第一類是通常所說的“贗二系”的化合物半導體，這種半導體是由兩種二元化合物混合而成，例如GaAs和InAs合金混合製成的GaxIn1-xAs（其中，0≤x...
無定形半導體材料 廣義的無定形半導體包含液態半導體，也稱非晶半導體或無序半導體。無定形半導體雖然長程無序，但是具有不同程度的短程有序，即以共價鍵結合的最近鄰原子間的距離幾乎不變，鍵角在一定範圍內漲落，依相應晶態材料而構成原子的結合方式，滿足其化學價鍵的要求。
磁性離子摻入到半導體中替代部分陽離子的位置形成稀磁性半導體，通過局域自旋磁矩和載流子之間存在強烈的自旋-自旋交換作用，在外加電場或者磁場的影響下，會使載流子的行為發生改變，從而產生異於半導體基質的特性。自旋-自旋交換相互作用是DMS材料區別於非磁半導體材料的關鍵，也是形成各種磁極化子的主要原因。製備方法 分...
矽基半導體材料 矽基半導體材料是以矽材料為基礎發展起來的新型材料。釋義 包括絕緣層上的矽材料、鍺矽材料、多孔矽、微晶矽以及以矽為基底異質外延其他化合物半導體材料 等 。
SiC是一種典型的二元化合物半導體材料，其晶體結構的基本單元為一個四重對稱性的四面體，即 SiC₄或CSi₄，相鄰的兩個 Si 原子或兩個 C 原子之間的距離是3.08 Å，而相鄰的C原子和Si原子之間的距離僅約1. 89 Å。在SiC晶體中，Si和C原子通過在sp³雜化軌道上共享電子對形成非常強的四面體共價鍵(...
氮化鎵（GaN）是一種具有晶體結構的半導體材料，其結構是由鎵原子和氮原子構成的晶格組成的。氮化鎵晶體採用立方晶繫結構，其晶胞中包含了具有六方密堆積結構的原子排列。氮化鎵晶體的晶格結構可以描述為每個鎵原子周圍環繞著四個氮原子，而每個氮原子周圍也被四個鎵原子包圍。這種結構稱為閃鋅礦結構或者螺旋狀烯結構，它...
單晶矽通常指的是矽原子以一種排列形式形成的物質。矽是最常見套用最廣的半導體材料，當熔融的單質矽凝固時，矽原子以金剛石晶格排列成晶核，其晶核長成晶面取向相同的晶粒，形成單晶矽。單晶矽作為一種比較活潑的非金屬元素晶體，是晶體材料的重要組成部分，處於新材料發展的前沿。單晶矽材料製造要經過如下過程：石英砂-...
電晶體泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，電晶體具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調製等多種功能，電晶體可用於各種各樣的數字和模擬功能。1947年12月16日，威廉·肖克利（William Shockley）、約翰·巴丁（John Bardeen）和沃爾特·布拉頓（Walter Brattain）成功地在貝爾實驗室製造出第一個電晶體。電晶體是...
矽晶圓和矽太陽能電池分別是半導體材料和半導體器件的典型代表。半導體特性參數衡量和表征材料及其器件的性能。由於載流子是半導體材料及器件的功能載體，載流子移動形成電流及電場，同時載流子具有發光、熱輻射等特性，因此載流子參數是表征半導體材料及器件載流子輸運特性的基礎，即載流子參數是矽晶圓和矽太陽能電池特性參數的...
SOI全稱為Silicon-On-Insulator，即絕緣襯底上的矽，該技術是在頂層矽和背襯底之間引入了一層埋氧化層。簡介 材料通過在絕緣體上形成半導體薄膜，SOI材料具有了體矽所無法比擬的優點：可以實現積體電路中元器件的介質隔離，徹底消除了體矽CMOS電路中的寄生閂鎖效應；採用這種材料製成的積體電路還具有寄生電容小、集成...
