第三代半導體材料

二十一世紀以來，以氮化鎵（GaN）和碳化矽（SiC）、氧化鋅(ZnO)、金剛石為四大代表的第三代半導體材料開始初露頭角。

基本介紹

• 中文名：第三代半導體材料
• 所屬學科：半導體

材料特點

第櫃整翻三鴉組禁市代半導體材料具有更寬的禁頻寬度、更高的導熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。

套用

第三代半導體材料可以實現更好的電子濃度和運動控制，更適合於製作高溫墊蜜凶、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領域具有重要的促精歸套用價值。目前，市場火熱的5G基站、新能源汽車和快充等頌項立都是第三代半導體的重歡辯和促微估要套用領域。