《第三代半導體材料SiC納米結構物性的多尺度計算模擬》是依託電子科技大學,由王治國擔任醒目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：第三代半導體材料SiC納米結構物性的多尺度計算模擬
- 依託單位：電子科技大學
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：王治國
- 批准號：10704014
- 申請代碼：A20
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：19（萬元）
項目摘要
寬禁帶半導體材料是當前科學研究的熱點之一，本項目擬採用多尺度理論，在原子尺度上研究以寬頻隙SiC為代表的第三代半導體材料納米結構的熱學、力學及光電等基本物理性質。首次在原子尺度上研究SiC納米結構變形破壞過程以及尺寸、表面、載入速率等對材料本身力學性能和力學行為的影響，通過歸納總結其中蘊含的力學規律，將對納米力學理論研究起到積極的促進作用。首次在原子尺度上研究SiC納米結構的納米尺度下的熱傳導特徵。運用頭算計算方法，從頭算分子動力學方法研究尺寸、表面、應變及應力對SiC納米結構電子能級的變化，揭示納米材料電子結構的特徵。模擬結果將用來解釋實驗現象，指導進一步實驗。並為最終實現納米材料及納米器件的設計提供理論依據。
