碲鋅鎘室溫半導體核輻射探測器的製備及其特性研究

碲鋅鎘室溫半導體核輻射探測器的製備及其特性研究

《碲鋅鎘室溫半導體核輻射探測器的製備及其特性研究》是依託四川大學,由朱世富擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

  • 中文名:碲鋅鎘室溫半導體核輻射探測器的製備及其特性研究
  • 項目類別:面上項目
  • 項目負責人:朱世富
  • 依託單位:四川大學
  • 批准號:60276030
  • 申請代碼:F0403
  • 負責人職稱:教授
  • 研究期限:2003-01-01 至 2005-12-31
  • 支持經費:29(萬元)
項目摘要
碲鋅鎘是一種性能優異的新型化合物半導體材料,可製成室溫核輻射探測器和攜帶型譜儀,其傷用途極廣范,因此生長這種晶體,研究其探測器製備工藝、鋅含量、雜質、缺陷等對其性能的影響,製備出對X、γ射線具有的高解析度和穩定性的探測器,為獲得實用的碲鋅鎘探測器和譜儀產品奠定學術和技術基礎,既有科學意義,又有實用價值,必然產生很大效益。

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