《寬禁帶半導體紫外光電探測器》是西安電子科技大學出版社出版的科技專著，作者是陸海、張榮。
基本介紹
- 書名：寬禁帶半導體紫外光電探測器
- 作者：陸海、張榮
- 類別：科技專著
- 出版社：西安電子科技大學出版社
- 出版時間：2021年12月
- 頁數：356 頁
- 定價：128 元
- 開本：16 開
- 裝幀：精裝
- ISBN：9787560661483
內容簡介,目錄,
內容簡介
寬禁帶半導體已成為製備紫外光電探測器的優選材料，主要包括Ⅲ族氮化物半導體、碳化矽、氧化物半導體和金剛石材料等。
本書基於國內外寬禁帶半導體紫外光電探測材料及器件的發展現狀和趨勢，從材料特性、探測器設計、器件工藝和紫外光電回響特性等方面詳述了寬禁帶半導體紫外光電探測器所面臨的關鍵科學技術問題、主要技術成果、產業套用情況和發展前景。
本書可為從事寬禁帶半導體紫外光電材料和器件研發、生產的科技工作者、企業工程技術人員和研究生提供有價值的參考，也可供從事該領域科研和高技術產業管理的政府官員和企業人員學習參考。
目錄
第1章 半導體紫外光電探測器概述 1
1.1 引言 2
1.2 寬禁帶半導體紫外光電探測器的技術優勢 8
1.3 紫外光電探測器產業發展現狀 10
1.4 本書的章節安排 12
參考文獻 13
第2章 紫外光電探測器的基礎知識 15
2.1 半導體光電效應的基本原理 16
2.2 紫外光電探測器的基本分類和工作原理 16
2.2.1 P-N/P-I-N結型探測器 17
2.2.2 肖特基勢壘探測器 17
2.2.3 光電導探測器 19
2.2.4 雪崩光電二極體 19
2.3 紫外光電探測器的主要性能指標 24
2.3.1 光電探測器的性能參數 25
2.3.2 雪崩光電二極體的性能參數 27
參考文獻 29
第3章 氮化物半導體紫外光電探測器 31
3.1 引言 32
3.2 氮化物半導體材料的基本特性 33
3.2.1 晶體結構 33
3.2.2 能帶結構 33
3.2.3 極化效應 35
3.3 高Al組分AlGaN材料的製備與P型摻雜 37
3.3.1 高Al組分AlGaN材料的製備 37
3.3.2 高Al組分AlGaN材料的P型摻雜 37
3.4 GaN基光電探測器及焦平面陣列成像 40
3.4.1 GaN基半導體的金屬接觸 40
3.4.2 GaN基光電探測器 41
3.4.3 焦平面陣列成像 44
3.5 日盲紫外雪崩光電二極體的設計與製備 50
3.5.1 P-I-N結GaN基APD 51
3.5.2 SAM結構GaN基APD 53
3.5.3 極化和能帶工程在雪崩光電二極體中的套用 58
3.6 InGaN光電探測器的製備及套用 64
3.6.1 材料外延 65
3.6.2 器件製備 66
3.7 波長可調超窄帶日盲紫外探測器 72
參考文獻 77
第4章 SiC紫外光電探測器 87
4.1 SiC材料的基本物理特性 88
4.1.1 SiC晶型與能帶結構 88
4.1.2 SiC外延材料與缺陷 93
4.1.3 SiC的電學特性 99
4.1.4 SiC的光學特性 104
4.2 SiC紫外光電探測器的常用製備工藝 106
4.2.1 清洗工藝 106
4.2.2 台面製備 107
4.2.3 電極製備 110
4.2.4 器件鈍化 112
4.2.5 其他工藝 112
4.3 常規類型SiC紫外光電探測器 112
4.3.1 肖特基型紫外光電探測器 112
4.3.2 P-I-N型紫外光電探測器 116
4.4 SiC紫外雪崩光電探測器 121
4.4.1 新型結構SiC紫外雪崩光電探測器 122
4.4.2 SiC APD的高溫特性 137
4.4.3 材料缺陷對SiC APD性能的影響 138
4.4.4 SiC APD的雪崩均勻性研究 143
4.4.5 SiC紫外雪崩光電探測器的焦平面成像陣列 147
4.5 SiC紫外光電探測器的產業化套用 152
4.6 SiC紫外光電探測器的發展前景 154
參考文獻 155
第5章 氧化鎵基紫外光電探測器 163
5.1 引言 164
5.2 超寬禁帶氧化鎵基半導體 165
5.2.1 超寬禁帶氧化鎵基半導體材料的製備 170
5.2.2 超寬禁帶氧化鎵基半導體光電探測器的基本器件工藝 179
5.3 氧化鎵基日盲探測器 190
5.3.1 基於氧化鎵單晶及外延薄膜的日盲探測器 192
5.3.2 基於氧化鎵納米結構的日盲探測器 202
5.3.3 基於非晶氧化鎵的柔性日盲探測器 210
5.3.4 基於氧化鎵異質結構的日盲探測器 215
5.3.5 氧化鎵基光電導增益物理機制 220
5.3.6 新型結構氧化鎵基日盲探測器 224
5.4 輻照效應對寬禁帶氧化物半導體性能的影響 236
5.5 氧化鎵基紫外光電探測器的發展前景 242
參考文獻 243
第6章 ZnO基紫外光電探測器 267
6.1 ZnO材料的性質 268
6.2 ZnO紫外光電探測器 271
6.2.1 光電導型探測器 271
6.2.2 肖特基光電二極體 273
6.2.3 MSM結構探測器 275
6.2.4 同質結探測器 277
6.2.5 異質結探測器 278
6.2.6 壓電效應改善ZnO基紫外光電探測器 280
6.3 MgZnO深紫外光電探測器 284
6.3.1 光導型探測器 285
6.3.2 肖特基探測器 286
6.3.3 MSM結構探測器 287
6.3.4 P-N結探測器 288
6.4 ZnO基紫外光電探測器的發展前景 289
參考文獻 290
第7章 金剛石紫外光電探測器 297
7.1 引言 298
7.2 金剛石的合成 299
7.3 金剛石光電探測器的類型 302
7.3.1 光電導型光電探測器 302
7.3.2 MSM光電探測器 306
7.3.3 肖特基勢壘光電探測器 309
7.3.4 P-I-N和P-N結光電探測器 311
7.3.5 異質結光電探測器 313
7.3.6 光電電晶體 315
7.4 金剛石基光電探測器的套用 315
參考文獻 321
第8章 真空紫外光電探測器 329
8.1 真空紫外探測及其套用 330
8.1.1 真空紫外探測的套用 330
8.1.2 真空紫外光的特性 331
8.2 真空紫外光電探測器的類型和工作原理 334
8.2.1 極淺P-N結光電探測器 335
8.2.2 肖特基結構光電探測器 336
8.2.3 MSM結構光電探測器 337
8.3 真空紫外光電探測器的研究進展 338
8.3.1 極淺P-N結光電探測器的研究進展 339
8.3.2 肖特基結構光電探測器的研究進展 344
8.3.3 MSM結構光電探測器的研究進展 350
參考文獻 353
