全耗盡半導體探測器(totally depleted semiconductor detector)是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名:全耗盡半導體探測器
- 外文名:totally depleted semiconductor detector
- 所屬學科:電子學
- 公布時間:1993年
全耗盡半導體探測器(totally depleted semiconductor detector)是1993年公布的電子學名詞。
全耗盡半導體探測器 全耗盡半導體探測器(totally depleted semiconductor detector)是1993年公布的電子學名詞。公布時間 1993年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》第一版。
1) P區存在空間電荷,HPGe半導體探測器是PN結型探測器。2) P區為非均勻電場。3) P區為靈敏體積,其厚度與外加電壓有關,一般工作於全耗盡狀態。4) HPGe半導體探測器可在常溫下保存,低溫下工作。趨勢 上述各種γ射線探測器均須在...
半導體探測器實質上是一個半導體PN結。在一般通用二極體或三極體所用的半導體PN結交界處,存在一個沒有自由載流子的耗盡區。由於N型半導體的多數載流子(電子)與P型半導體的多數載流子(空穴)的擴散形成的空間電荷電場又使這些載流子返回,達...
又稱核探測元件(nuclear detection element)。是探測輻射射線用的器件。常用的有電離室、計數管和閃爍計數器、原子核乳膠、固體核徑跡探測器和半導體探測器等。這類探測元件可以測量輻射射線和它們的性質。其原理主要是利用射線與物質相互...
半導體探測系統是一種用於數學領域的分析儀器,於2013年10月1日啟用。技術指標 NIM機箱160瓦,提供 ±6 V, ±12 V, ±24 V。500V偏壓,精密脈衝發生器,快速前放,定時單道,2K多道。主要功能 滿足核科學與技術領域輻射探測方面的...
《半導體輻射探測器》是國防工業出版社2005年出版的圖書,由Gerhard Lutz編著。內容簡介 本書全面講解了半導體輻射探測器的工作原理、器件結構、信號讀出電子學、器件穩定性用輻射加固等內容。全書共分12章,內容包括:半導體物理、基本半導體...
矽鋰半導體探測器(Si(Li) semiconductor detector)是2014年公布的放射醫學與防護名詞,出自《放射醫學與防護名詞》第一版。定義 由裝在真空室里的鋰漂移矽半導體,致冷的前置放大器和盛裝液氮的杜瓦瓶組成的一種鋰漂移型半導體探測器。
中間部分的耗盡層是探測器的靈敏區,當在這些條型pn結加上負偏壓時,耗盡層在外加電場的作用下,隨著電壓升高而變厚。當電壓足夠高,耗盡層幾乎擴展到整個n-型矽片,基本達到了全耗盡,死層變得非常薄。因為其內部可移動的載流子密度很...
補償型半導體探測器(compensated semiconductor detector)是2014年公布的放射醫學與防護名詞。定義 由在P型和N型區之間有一個補償區的半導體組成的半導體探測器。鋰漂移型半導體探測器是現在最為廣泛使用的一種補償型半導體探測器。出處 《...
半導體光電二極體探測光輻射的基本過程是:①吸收光輻射產生載流子,即半導體價帶中的電子吸收光子能量後躍遷到導帶,產生電子-空穴對;②光生載流子在二極體內輸運形成電流,若光子在耗盡層內被吸收,產生的電子和空穴在電場的作用下作漂移運動...
該項目對揭示ZnO半導體核輻射探測器回響機理具有重要的研究價值,並為脈衝輻射探測技術領域提供一種新型寬禁帶半導體探測器。結題摘要 基於氧化物缺陷化學理論研究了高溫熱處理過程中ZnO晶體中施主缺陷和受主缺陷變化趨勢,基於高溫熱處理條件...
同軸鍺鋰半導體探測器(coaxial Ge(Li) semiconductor detector)是2014年公布的放射醫學與防護名詞,出自《放射醫學與防護名詞》第一版。定義 一種鋰漂移型鍺半導體探測器。它是一個大型的同軸PIN二極體。其優點是能量解析度高,線性範圍寬...
死層 [半導體探測器的]死層(dead layer [of semiconductor detector])是2015年公布的計量學名詞。定義 半導體探測器中緊接耗盡層的不靈敏部分。待測粒子在其中損失的能量對形成最終信號沒有明顯貢獻。出處 《計量學名詞》。
鋰漂移型半導體探測器(lithium drifted semiconductor detector)是2014年公布的放射醫學與防護名詞。定義 一種在外加電場的作用下,使鋰離子向P型晶體中移動以補償其束縛雜質電荷的補償型半導體探測器。常用的這類探測器有矽鋰漂移型和鍺...
擴散結半導體探測器(diffused junction semiconductor detector)是2014年公布的放射醫學與防護名詞。定義 將某一種導電類型的雜質擴散到相反類型的半導體中形成PN結的半導體探測器。可用來探測穿透本領較高的β粒子和X射線。這種探測器比較牢固...
SiC紫外探測器,是一個儀器設備。儀器簡介 半導體SiC的禁頻寬度為3.25eV,具有高臨界擊穿電場、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等優點,特別是該器件的反向漏電流低。SiC紫外探測器只對波長400nm一下的輻射選擇性接收,其紫外輻射的接收...
隨著科學技術的發展、核物理實驗和核科學研究的深入、核技術套用領域的擴大,核輻射探測器和探測系統也發生著顯著的變化。目前常用的核輻射探測器有:氣體探測器、閃爍體探測器和半導體探測器,它們是隨著科學技術的發展和核物理、粒子物理...
相比塊體材料,一維結構的纖鋅礦半導體材料具有缺陷密度小﹑載流子傳輸性能好﹑機械力學性能優良及易於集成納米器件和系統等優勢,已經成為令人矚目的研究熱點。 本項目立足於一維纖鋅礦半導體材料柔性光電探測器件研究,重點研究一維半導體...
探測效率高,適合於測量不帶電粒子,如γ射線、X射線和中子等;三是時間特性好,有的探測器(如塑膠閃爍體、BaF2)能夠實現ns的時間分辨。基於以上優點,閃爍體探測器被廣泛套用於空間X射線探測領域。半導體探測器 半導體探測器是以半導體...
通常用作粒子能損探測的有全耗盡薄片半導體探測器和充氣電離室,前者主要用於輕離子和較輕的重離子。在探測較重的重離子時使用後者能得到具有均勻厚度和可調厚度(改變氣壓或氣體類型)的薄片型探測器,並有較高的能量測量精度。作為剩餘...