擴散結半導體探測器

擴散結半導體探測器

擴散結半導體探測器(diffused junction semiconductor detector)是2014年公布的放射醫學與防護名詞。

基本介紹

  • 中文名:擴散結半導體探測器
  • 外文名:diffused junction semiconductor detector
  • 所屬學科:放射醫學與防護
  • 公布時間:2014年
定義,出處,

定義

將某一種導電類型的雜質擴散到相反類型的半導體中形成PN結的半導體探測器。可用來探測穿透本領較高的β粒子和X射線。這種探測器比較牢固耐用,對環境要求不嚴格,有較強的抗輻射損傷的能力。

出處

《放射醫學與防護名詞》第一版。

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