[半導體探測器的]耗盡層(depletion layer [in semiconductor detector])是2015年公布的計量學名詞。
基本介紹
- 中文名:[半導體探測器的]耗盡層
- 外文名:depletion layer [in semiconductor detector]
- 所屬學科:計量學
- 公布時間:2015年
[半導體探測器的]耗盡層(depletion layer [in semiconductor detector])是2015年公布的計量學名詞。
[半導體探測器的]耗盡層(depletion layer [in semiconductor detector])是2015年公布的計量學名詞。定義半導體探測器中構成靈敏體積的一層半導體材料。粒子在其中損耗的絕大部分能量...
常用半導體探測器有:(1) P-N結型半導體探測器;(2) 鋰漂移型半導體探測器;(3) 高純鍺半導體探測器;P-N結半導體探測器 工作原理 多數載流子擴散,空間電荷形成內電場並形成結區。結區記憶體在著勢壘,結區又稱為勢壘區。勢壘區內為耗盡層,無載流子存在,實現高電阻率,遠高於本徵電阻率。在P-N結上加反向...
全耗盡型半導體探測器(total depleted semiconductor detector)是2014年公布的放射醫學與防護名詞。定義 一種耗盡層厚度等於半導體材料厚度的半導體探測器。在PN結探測器中,耗盡層的厚度是與半導體材料的電阻率和外加偏壓的平方根成正比。目前可得到厚度為50~100μm不同規格的全耗盡層半導體探測器。出處 《放射醫學與...
半導體探測器實質上是一個半導體PN結。在一般通用二極體或三極體所用的半導體PN結交界處,存在一個沒有自由載流子的耗盡區。由於N型半導體的多數載流子(電子)與P型半導體的多數載流子(空穴)的擴散形成的空間電荷電場又使這些載流子返回,達到動態平衡後致使在空間電荷區內不再有可自由移動載流子,即載流子被“耗盡”。
[半導體探測器的]死層 [半導體探測器的]死層(dead layer [of semiconductor detector])是2015年公布的計量學名詞。定義 半導體探測器中緊接耗盡層的不靈敏部分。待測粒子在其中損失的能量對形成最終信號沒有明顯貢獻。出處 《計量學名詞》。
穿透式半導體探測器(transmission semiconductor detector)是2014年公布的放射醫學與防護名詞。定義 一種入射窗和射出窗都薄得能使核輻射穿透的全耗盡層半導體探測器。這種探測器輸出脈衝的幅度能反映入射粒子通過探測器的能量損失,可根據在單位厚度上的能量損失來辨別粒子的種類。出處 《放射醫學與防護名詞》第一版。
耗盡層中的漂移時間 由半導體物理學可知,耗盡層中截流子的漂移速度與耗盡層寬度及其間電場有關。在一般的光電二極體中,不是限制器件頻率回響特性的主要因素。5、頻率回響及回響時間 光伏探測器的頻率回響主要有三個因素決定(1)光生截流子擴散至結區的時間;(2)光生截流子在電場作用下通過結區的漂移時間;(3)由結...
矽面壘探測器(silicon surface barrier detector)是2016年公布的化學名詞,出自《化學名詞》第二版。定義 在半導體矽片上鍍一層金屬膜形成p-n結的一種半導體探測器。在外加反向電壓下,矽表面形成耗盡層,此即為靈敏體積。對於質子、α粒子具有很高的能量解析度,是使用最廣的探測器之一。出處 《化學名詞》第二版...
矽微條探測器(silicon micro-strip detector)是指在PN結矽片型半導體探測器外側敷蓋多個金屬微條以確定粒子位置的粒子探測器。為了測量粒子或射線的空間分布,近年來發展了以PN結為基體的矽微條位置靈敏探測器。 形成和發展 隨著半導體技術的迅速發展,半導體粒子探測器也有了很大的發展。其中,矽微條探測器SMD ( ...
半導體光電二極體探測光輻射的基本過程是:①吸收光輻射產生載流子,即半導體價帶中的電子吸收光子能量後躍遷到導帶,產生電子-空穴對;②光生載流子在二極體內輸運形成電流,若光子在耗盡層內被吸收,產生的電子和空穴在電場的作用下作漂移運動;若光子的吸收發生在耗盡層外擴散長度之內,少子靠擴散運動可到達耗盡層邊界,...
7.4.1 氧化層擊穿 7.4.2 臨界穿通或漏致勢壘降低(DIBL)7.4.3 熱電子效應 7.4.4 離子注入調整閾值電壓 7.5 器件製備技術: 特種器件 7.5.1 輕摻雜漏電晶體 7.5.2 絕緣體上MOSFET 7.5.3 功率MOSFET 7.5.4 MOS存儲器 7.6 小結 知識點 複習題 習題 參考文獻 第8章 半導體中的非平衡過剩...
半導體雪崩光電二極體 (semiconductor avalanche photodiode )是具有內部光電流增益的半導體光電子器件,又稱固態光電倍增管。它套用光生載流子在二極體耗盡層內的碰撞電離效應而獲得光電流的雪崩倍增。這種器件具有小型、靈敏、快速等優點,適用於以微弱光信號的探測和接收,在光纖通信、雷射測距和其他光電轉換數據處理等系統...
6.5 絕緣層上MOSFET(SOI)6.6 MOS存儲器結構 6.7 功率MOSFET 總結 參考文獻 習題 第7章 光電器件 7.1 輻射躍遷與光的吸收 7.2 發光二極體 7.3 半導體雷射 7.4 光探測器 7.5 太陽能電池 總結 參考文獻 習題 第8章 其他半導體器件 8.1 金半接觸 8.2 MESFET 8.3 MODFET的基本原理 8.4 微波...
6.2.2 Depletion Layer Thickness 耗盡層厚度 6.3 POTENTIAL DIFFERENCES IN THE MOSCAPACITOR MOS電容的電勢差 6.3.1 Work Function Differences 功函式差 6.3.2 Oxide Charges 氧化層電荷 6.3.3 Flat-Band Voltage 平帶電壓 6.3.4 Threshold Voltage 閾值電壓 Σ6.3.5 Electric Field...
本標準保留GB/T 13178—1991的大部分內容,對其的主要修改如下:增加前言;引用新的規範性檔案;產品的外形及結構尺寸僅保留A型,刪去原標準的B型和C型;部分耗盡金矽面壘型探測器的分類僅保留最小耗盡層深度為300 μm 一類,而主要性能增加“允許最大噪聲”。《金矽面壘型探測器(GB/T 13178-2008)》由中國核...
第6章 半導體光電子器件 6.1 半導體的光吸收和發射 6.1.1 光的基本性質 6.1.2 光在半導體中的吸收 6.1.3 半導體的光發射 6.2 太陽能電池 6.3 光探測器件 6.4 發光二極體 6.4.1 發光二極體基礎 6.4.2 能帶工程 6.5 半導體雷射器件 6.5.1 半導體雷射器件基礎 6.5.2 量子阱雷射器 6.5....
探測器 矽漂移探測器(Silicon Drift Detector,簡稱SDD)是半導體探測器的一種,用來探測X射線,廣泛套用在能量色散型X射線螢光光譜儀(XRF)或者X射線能譜儀(EDS)上。最早的SDD探測器的概念是1983年Gatti和Rehak根據側向耗盡的原理提出的。它的主要結構是一塊低摻雜的高阻矽,背面的輻射入射處有一層很薄的異質...
光電池是把光能直接變成電能的器件,可作為能源器件使用,如衛星上使用的太陽能電池。它也可作為光電子探測器件。光電二極體有耗盡層光電二極體和雪崩光電二極體兩種。半導體pn結區附近成為耗盡層,該層的兩側是相對高的空間電荷區,而耗盡層內通常情況下並不存在電子和空穴。只有當光照射pn結時才能使耗盡層內產生載流子(...
指導並發明半導體紅外高速退火技術和設備。學術論著 截至2016年11月,李志堅主編出版了《半導體材料矽》《MOS大規模集成技術》《微電子技術中的MOS物理》等書,在中國國內外發表了論文200餘篇。MOS大規模集成技術進展.見:MOS大規模集成技術(上冊)[M].北京:科學出版社,1984.矽耗盡層少於產生率的強電場效應[J]....
如果有光照射在矽片上,在光子作用下,半導體矽產生了電子一空穴對,由此產生的光生電子就被附近的勢阱所吸收,勢阱內所吸收的光生電子數量與入射到該勢阱附近的光強成正比,存儲了電荷的勢阱被稱為電荷包,而同時產生的空穴被排斥出耗盡區。並且在一定的條件下,所加正電壓越大,耗盡層就越深,Si表面吸收少數...
帶有不同能的電子會停留在半導體pn結器件不同深度的位里。因此, 產生的EHPs的空間分布是不同的。為了獲得更高的能量輸出, 需要對pn結器件進行最佳化設計, 並採取微製造工藝達到儘可能將EHPs收集到耗盡層的目的。自主往復式 傳統核電池的一種工作方式是利用電容器收集輻射電荷。在我們的研究中, 彈性變形的銅懸臂樑放於...
擊穿電壓:載入到SiPM上的電壓在耗盡層區域產生的電場強度恰好能夠使蓋革放電發生,這時的電壓值叫擊穿電壓。過電壓:載入到SiPM的工作電壓超過擊穿電壓的部分叫過電壓,即過電壓=工作電壓-擊穿電壓,過電壓和SiPM的性能直接相關。增益:SiPM增益定義為像素探測到光子後產生的電荷量除以單個電子電荷量的值,該值表征了...
3.5.1 結型探測器工作原理 3.5.2 回響度 3.5.3 工作波長 3.5.4 工作模式 3.5.5 耗盡層寬度和結電容 3.5.6 回響時間 3.5.7 雪崩倍增效應 3.5.8 材料 3.5.9 探測器結構 3.6 接收器 3.6.1 前置放大器的設計 3.6.2 場效應電晶體(FET)前置放大器 3.7 光電二極體...
第6章 光電探測器 6.1光電二極體的物理特性 6.1.1PD的工作機理 6.1.2PIN光電探測器 6.1.3雪崩光電探測器 6.2光電探測器噪聲 6.2.1噪聲源 6.2.2信噪比 6.3探測器回響時間 6.3.1耗盡層光電流特徵 6.3.2回響時間 6.4雪崩增益的溫度效應及倍增噪聲 6.5光電探測器的比較 ...
壓電光電子效應 是利用在壓電半導體材料中施加應變所產生的壓電電勢來控制在金屬-半導體接觸或者PN結處載流子的產生,傳輸,分離以及/或者複合,從而提高光電器件(例如光子探測器、 太陽能電池和發光二極體 )的性能。喬治亞理工學院的王中林教授於2010年提出了這種效應的基本原理。簡介 壓電電子學和壓電光電子學的基本...
《集成光學理論與技術(第6版)》是集成光學方面的一本經典著作,全書共22章,重點論述了集成光學用光波導、耦合器、調製器、雷射器、探測器等光電子器件的工作原理及製作工藝,介紹了聚合物和光纖集成光學、量子阱器件、微光機電器件、光子與微波無線系統、納米光子學等前沿研究,概述了集成光學的套用和發展前景。各章...