[半導體探測器的]電荷收集時間(charge collection time [of semiconductor detector])是2015年公布的計量學名詞。
基本介紹
- 中文名:[半導體探測器的]電荷收集時間
- 外文名:charge collection time [of semiconductor detector]
- 所屬學科:計量學
- 公布時間:2015年
[半導體探測器的]電荷收集時間(charge collection time [of semiconductor detector])是2015年公布的計量學名詞。
[半導體探測器的]電荷收集時間(charge collection time [of semiconductor detector])是2015年公布的計量學名詞。定義一個電離粒子射入半導體探測器後,探測器收集電荷所需要...
半導體探測器電荷收集時間(charge collection time of semiconductor detector)是2014年全國科學技術名詞審定委員會公布的放射醫學與防護名詞。定義 一個電離輻射粒子射入半導體探測器後,探測器收集電荷所需要的時間。一般用收集到的電荷從其最大值的10%增到90%所需要的時間表示。出處 《放射醫學與防護名詞》第一版 ...
我們把氣體探測器中的電子-離子對、閃爍探測器中被 PMT第一打拿極收集的電子 及半導體探測器中的電子-空穴對統稱為探測器的信息載流子。產生每個信息載流子的平均能量分別為30eV(氣體探測器),300eV(閃爍探測器)和3eV(半導體探測器)。半導體探測器的特點 1) 能量解析度最佳;2) γ射線探測效率較高,可與閃爍...
非常快的回響時間 在半導體探測器中,由於採用微電子工藝的半導體探測器很薄,它的電荷在很小的區域裡收集,回響時間非常快,一般可達到5ns左右。因此,可以實現高計數率,可超過108/cm²·s。體積可做得很小 由於矽半導體密度大,有一定的剛度,它可以做得很薄並能自身支持,典型的厚度是300μm左右,當帶電...
①金矽面壘型探測器。較常用的一種探測器,能量解析度較好。特別是當處於全耗盡狀態工作,即加較高電壓使耗盡區接近材料厚度時,能對空穴–電子對有完全的收集,且死區極薄,可得到薄窗和進行高精度的粒子能量沉積測量,並有快回響時間。這些特點適合於粒子定時和粒子鑑別。但這種探測器厚度只能做到1毫米以下,不能...
計數器 有電離室、正比計數器 、蓋革-米勒計數器 、閃爍體探測器、切倫科夫計數器、半導體探測器等等。它的目的主要是用來記錄粒子的數目/強度,以及將粒子攜帶的能量信息轉化成相應大小電信號。一般要求計數器具有一定的時間解析度,即先後兩個粒子射入計數器可分辨的時間。通常計數器常與定標電路和符合電路聯合使用。...
它描述探測器接收和記錄信息的能力。入射光子有可能穿透介質或被介質反射。有時介質要吸收幾個光子引起一次光子事件,有時產生的光子事件未被檢測,所以一般探測器的量子效率小於1。解析度 能量分辨 分辨其能量非常接近的粒子的能力 空間分辨 (位置分辨):精確給出粒子入射位置的能力;時間分辨 能精確給出粒子到達時間...
半導體α譜儀與α粒子的能量損失虛擬仿真實驗是中國科學技術大學建設的虛擬仿真實驗課程。課程性質 課程背景 α粒子及與其相關的物理實驗在近代物理學發展史上具有非常重要的地位。本實驗採用金矽面壘半導體探測器對α粒子進行探測並收集產生的電荷信號,從而實現對α粒子能量的測量。實驗內容包括不同工作偏壓下的α粒子...
相對於輕粒子而言,重離子中有更多的電荷和核子,在相等的速度下有更高的能量,因此重離子反應有較複雜的反應產物,需要有粒子鑑別,使重離子探測具有更大的難度。能量和位置測量 收集和測量重離子在探測介質中所產生的電離電子就可確定重離子的能損或能量。核物理實驗中常用的探測器可分為固體探測器和氣體探測器兩...
通過收集射線在氣體中產生的電離電荷來測量核輻射。主要類型有電離室、正比計數器和蓋革(G-M)計數器(管)。它們的結構相似,一般都是具有兩個電極的圓筒狀容器,充有某種氣體,電極間加電壓,差別是工作電壓範圍不同。電離室工作電壓較低,直接收集射線在氣體中原始產生的離子對。其輸出脈衝幅度較小,上升時間較快...
本項目利用氧氣氛高溫熱處理方法獲得探測器級高阻ZnO單晶,並重點研究ZnO單晶半導體脈衝輻射探測器。基於本徵ZnO單晶點缺陷熱動力學形成機制理論,最佳化高溫熱處理工藝以獲取探測器級半絕緣ZnO單晶;基於高阻ZnO單晶的射線回響機制和載流子的深能級陷阱效應,建立ZnO核輻射探測器的器件物理模型,包括電荷收集效率、靈敏度和時...
隨著GaN核探測器材料生長和工藝製備水平的日趨提高,可靠性問題必然提上日程,首當其衝就是輻照損傷機制研究。本項目立足於GaN核探測器,圍繞輻照缺陷對探測器影響展開攻關。通過實驗,得到GaN核探測器電荷收集效率、時間回響特性、能譜分辨本領等性能參數退化量與輻照能量、劑量之間的關係。深入研究輻照對GaN核探測器電學...
第二部分 半導體探測器 第4章 用於探測器的半導體 4.1 本徵半導體材料的性質 4.2 非本徵半導體材料的性質 4.3 絕緣體和金屬 4.4 探測器材料的選擇 第5章 用於能量及輻射水平測量的探測器 5.1 無偏壓二極體 5.2 反向偏壓二極體 5.3 小結 第6章 用於位置及能量測量的探測器 6.1 電阻的電荷分配 6.2 ...
氣體探測器 氣體探測器均以氣體作為探測介質,內部多充有以多種惰性氣體為主混合氣體,並在探測器兩極加上電壓小室。其小室的形狀大小結構因氣體探測器的不同會有加大差別。在探測器使用時我們多將內部氣體大氣壓加至2到3個大氣壓,這樣可以有效提高氣體探測器的探測效率。氣體探測器的工作原理是通過收集電離電荷獲取...
1.2.2 電荷俘獲與收集5 1.3 矽探測器抗輻射強度評估7 1.3.1 矽探測器與高能物理實驗:一個成功的範例7 1.3.2 矽探測器的抗輻射加固設計8 1.3.3 n側信號讀取感測器的輻射限度10 1.3.4 探測器厚度變化的影響12 1.3.5 強輻射下標準型和薄型矽感測器的反向電流14 1.3.6 ...
如:γ能譜符合測量,激發態壽命測量,正電子湮沒壽命測量,飛行時間測量。④ 位置測量,對核輻射的出射方向和輻射源位,以及粒子的運動徑跡進行的測量。如:多絲正比室對粒子出射方向的測量,核乳膠和固體徑跡探測器對宇宙射線的測量,各種成像測量。射線與物質的相互作用 核輻射與物質的相互作用,在原於和原子核...
式中e是電子電荷,h是普朗克常數,υ是入射光頻率,c是光速。故R(λ)由入射光波長λ、量子效率η(λ)和倍增因子M決定。在某一入射光波作用下,沒有倍增時,量子效率的定義為單位時間內產生並被電極收集的光生載流子數與波長為 λ的入射光子數之比。η(λ)由器件表面的反射率、材料的光吸收係數α和吸收層厚度...
電阻絲正比室 在結構和放電機制上同普通正比計數器相似,但其中心陽極為電阻絲。在它的任一端觀察到的雪崩脈衝的振幅和上升時間均同射線進入的位置有關。因此有兩種定位方法:電荷除法──通過電脈衝的幅度同位置的關係來確定射線的位置。上升時間法──由探測器兩端信號的上升時間差來定位。定位精度約1mm。螺旋線...
常用的中子靈敏材料是含He和Li物質的,入射的快中子與He或Li產生核反應,發射出兩個電離本領近似相同的帶電粒子,並且大體向兩個相反的方向運動,從而可由兩個半導體探測器所測得的粒子能量的總和(符合後測定)及反應的Q值(反應能)來確定中子能量。這種譜儀的優點是探測器體積小,回響時間快,對γ射線相對不靈敏...
3.6探測效率 3.7死時間 第四章 計數統計學和誤差預測 4.1數據的特徵 4.2統計模型 4.3統計模型的套用 4.4誤差傳遞 4.5計數實驗條件的優選 4.6時間間隔分布 第二篇 氣體探測器 第五章 電離室 5.1氣體中的電離過程 5.2電荷的遷移與收集 5.3電流電離室的設計和運用 5.4用電離室測量輻射劑量 5.5...
面壘型半導體探測器是射線測量中半導體探測器的一種類型。套用較多的是金矽面壘型,以經過適當處理的單晶片表面蒸發上一層薄金而製成。這一金屬—半導體界面有整流特性,工作時以塗金層作為陰極,以矽基片另一面被蒸發上一薄層鋁或鎳作為電極接觸引線與電源正極相連。使用時需配以電荷靈敏度的放大器始能檢測其...
氣體電離探測器是指以氣體作為探測介質的輻射探測器。由於收集到的電荷量與兩個電極間電場強度有關,從而形成不同工作方式的氣體電離探測器。電離室、正比計數器和GM(蓋革)計數管統稱為氣體電離探測器。這三種氣體電離探測器的工作特點雖然不完全相同,但都具有一個共同點:射線使探測器內的工作氣體發生電離,然後收集...
在定性分析中,經過脈衝幅度分析器的信號,可以直接輸入計數率計,通過記錄器筆錄下來,進行定性或半定量分析。在作近似定量分析時,也可以通過數據處理機進行。X射線螢光能譜儀 這種儀器只須採用小型激發源(如放射性同位素和小型X射線管等)、半導體探測器〔如矽(鋰)探測器〕、放大器和多道脈衝幅度分析器,就可以...
閃爍體吸收射線後的次級效應產生的電子使閃爍體受激發射光子,光子通過光電倍增管轉換為電子,並倍增約105~108倍,被陽極收集,輸出脈衝信號。其幅度與被吸收的射線能量成正比,單位時間的脈衝計數與入射射線強度相關。鍺酸鉍(Bi4Ge3O12)閃爍體對 γ射線的吸收能力是NaI(Tl)的2.3倍,高能回響好,可用於高能γ...
1. 高計數率。由於收集陽極的電容極低,相比通常的矽PIN器件,SDD具有更短的上升時間,因而特別適合在高計數率的情況下工作。2. 高能量解析度。SDD的陽極面積小於通常矽PIN器件,由於電容的減小,在收集等量電荷的情況下具有更高的電壓,提高了其能量解析度。3. 可在常溫下工作。SDD的電容和漏電流要比一般探測器小...
電離後的正、負離子將很快複合,不易收集。但在氣體中的忘離電荷卻很容易收集起來,利用電離電荷的多少可測定X射線的照射量:X射線測量儀器正是根據這個原理製成的。由於電離作用,使氣體能夠導電;某些物質可以發生化學反應;在有機體內可以誘發各種生物效應。電離作用是X射線損傷和治療的基礎。3.螢光作用 由於X射線...
天體物理觀測內容包括天體發射的射線(主要是X、γ射線)強度及其隨時間的變化、能譜、射線源的位置和線度等。強度和能譜的測量,按能量的高低不同,常採用多絲正比室、半導體探測器、 閃爍計數器〔NaI(Tl)、CaI(Tl)〕、火花室和漂移室等加上金屬準直器組成射線望遠鏡。例如圖2是中國在氣球上觀測中子星X射線的望遠...
像素的光生電荷耦合能在適當相應的時鐘脈衝驅動下,把存儲的電荷以電荷包的形式定向傳輸轉移到電荷存儲區,再依次輸出至放大器,實現自掃描。每個像素感光後所收集到的電荷總數直接與光子照射像素的數量有關。所有像素讀出後產生一個場景的電子圖像,完成從光信號到點信號的轉換。CCD的弱點是讀出的序列性,只有讀出速度...