半導體夾層譜儀

半導體夾層譜儀是一種利用半導體探測器和中子靈敏材料組合來測量快中子能譜的儀器。該譜儀主要由半導體夾層探測器、低噪聲電荷靈敏放大器、快符合線路以及多道分析器組成。

在兩個靠近的矽面壘型半導體探測器之間夾一片對中子靈敏的薄層材料構成半導體夾層探測器。常用的中子靈敏材料是含He和Li物質的，入射的快中子與He或Li產生核反應，發射出兩個電離本領近似相同的帶電粒子，並且大體向兩個相反的方向運動，從而可由兩個半導體探測器所測得的粒子能量的總和（符合後測定）及反應的Q值（反應能）來確定中子能量。

這種譜儀的優點是探測器體積小，回響時間快，對γ射線相對不靈敏，且耐輻照性能好，常用於測量反應堆中的快中子能譜。其缺點是中子探測效率較低。