《位置靈敏的像素碲鋅鎘半導體探測器的研製》是依託清華大學，由李元景擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：位置靈敏的像素碲鋅鎘半導體探測器的研製
- 依託單位：清華大學
- 項目負責人：李元景
- 項目類別：面上項目
- 批准號：10575064
- 申請代碼：A2804
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2006-01-01 至 2007-12-31
- 支持經費：20（萬元）
項目摘要
室溫下可操作的具有高的探測效率，高的能量分辯率，便於攜帶的重量輕，體積小的化合物半導體探測器碲鋅鎘(CdZnTe)的研究始於二三十年前，並在上個世紀末達到高峰。它不僅可用於國防和環境安全等傳統的核輻射探測領域，而且在商業,醫學成像及空間物理等方面有著更廣泛的套用，長遠的發展前景和巨大的經濟潛力。在中國，這個領域的研究工作剛剛起步。我們的研究是針對像素(pixel)結構的CdZnTe，利用小像素效應
