半導體特性測量系統是一種用於材料科學領域的物理性能測試儀器,於2012年06月06日啟用。
基本介紹
- 中文名:半導體特性測量系統
- 產地:美國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2012年06月06日
- 所屬類別:物理性能測試儀器 > 光電測量儀器
半導體特性測量系統是一種用於材料科學領域的物理性能測試儀器,於2012年06月06日啟用。
半導體特性測量系統是一種用於材料科學領域的物理性能測試儀器,於2012年06月06日啟用。技術指標該儀器具有四個源測量單元(SMU),其中包括三個0.1fA的高解析度SMU和一個1A的大功率SMU。1主要功能各種微米和納...
半導體特性測試系統 半導體特性測試系統是一種用於物理學領域的電子測量儀器,於2011年7月1日啟用。技術指標 最小測試電流fA。主要功能 I-V測試。
半導體特性分析系統是實現半導體材料性能測試高度集成的平台,它由電學測量部分和變溫探針系統兩部分組成,電學測量部分是將I-V測試單元、C-V測試單元等半導體測試模組整合為一個系統,可以提供半導體材料和器件的高精度電學參數測量,可以進行...
容易使用的4200-SCS型半導體特性分析系統用於實驗室級的器件直流參數測試、實時繪圖與分析,具有高精度和亞fA級的解析度。它提供了最先進的系統集成能力,包括完整的嵌入式PC機,Windows作業系統與大容量存儲器。其自動記錄、點擊式接口加速並...
《一種功率半導體特性參數測試系統》是國網浙江省電力有限公司電力科學研究院、浙江大學紹興微電子研究中心、國網浙江桐鄉市供電有限公司於2021年2月23日申請的專利,該專利公布號為CN112986782A,專利公布日為2021年6月18日,發明人是王異...
在探討C-V測試系統的配置方法之前,了解半導體C-V測量技術[15]的局限性是很重要的:· 電容:從<10fF到1微法 · 電阻:從<0.1歐姆到100M歐姆 · 小電感:從<1nH到10mH · 柵介質:可以提取的等價柵氧厚度範圍從不到10...
HMS系列霍爾效應測量系統,用於測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾係數等重要參數,而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的,因此霍爾效應測試儀是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必備的工具。產品概述 原產...
針尖增強半導體材料光譜測試系統是一種用於材料科學、測繪科學技術、物理學、自然科學相關工程與技術領域的分析儀器,於2015年12月29日啟用。技術指標 測量模式:(1)接觸模式成像;(2)輕敲模式成像;(5)近場掃描功能 解析度:(1)...
半導體雷射堆近場特性測試儀 半導體雷射堆近場特性測試儀是一種用於機械工程領域的計量儀器,於2011年4月27日啟用。技術指標 測量範圍0.01W~1600W。主要功能 用於測試半導體雷射器P-I特性及smile特性。
半導體器件熱特性測量儀 半導體器件熱特性測量儀是一種用於能源科學技術、交通運輸工程領域的電子測量儀器,於2011年11月8日啟用。技術指標 溫度範圍5°-90°;最小採樣時間1μs;啟動時間1μ秒。主要功能 半導體器件結溫、熱阻特性測量。
半導體參數儀是一種用於物理學領域的科學儀器,於2015年9月17日啟用。技術指標 4200-SCS/F半導體特性分析系統主機,2個高解析度中功率SMU 最大電流100mA,最大電壓200V,最大功率2W 4200-SMU高解析度中功率SMU(源測量單元) 最大電流...
半導體感測器是一種新型半導體器件,它能夠能實現電、光、溫度、聲、位移、壓力等物理量之間的相互轉換,並且易於實現集成化、多功能化,更適合於計算機的要求,所以被廣泛套用於自動化檢測系統中。由於實際的被測量大多數是非電量,因而...
半導體熱特性測量儀是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的科學儀器,於2018年1月15日啟用。技術指標 (1)結溫解析度:0.01℃;(2)每倍頻採樣點數:可以為400-800個;最大採樣點數:65000個;支持瞬態動力學分析。主要功能 測試...
半導體系統綜合分析測試儀 半導體系統綜合分析測試儀是一種用於物理學、材料科學領域的物理性能測試儀器,於2018年12月5日啟用。技術指標 高功率源-測量單元(1A~100fA,200V~1uV,20W)。主要功能 對半導體電學性質測試。
半導體特性分析平台 半導體特性分析平台是一種用於物理學領域的科學儀器,於2011年5月15日啟用。技術指標 最高輸出電壓200V,三個輸出連線埠。主要功能 電輸運以及霍爾效應的測量。
半導體直流參數測試儀是一種用於物理學、材料科學、動力與電氣工程領域的計量儀器,於2013年7月5日啟用。技術指標 基於PC的儀器,具有WindowsXPprofessional操作系統通過DesktopEasyEXPERT軟體進行離線數據分析和套用測試開發。針對電流-電壓(IV...
半導體分析系統是一種用於計算機科學技術領域的計算機及其配套設備,於2015年10月1日啟用。技術指標 (1)在0.1fA-1A/0.5μV-200V範圍內執行精確的電流-電壓(IV)測量,支持點測量、掃描測量、採樣和脈衝測量。 (2)在1kHz至5MHz頻率...
半導體雷射測量系統 半導體雷射測量系統是一種用於能源科學技術領域的電子測量儀器,於2006年9月6日啟用。技術指標 多種氣體檢測 ppm級氣體濃度檢測 ms級時間解析度。主要功能 氣體濃度檢測。
霍爾效應測量系統主要由恆電流源、范德堡法則終端轉換器、低溫(77k)測量系統及磁場強度輸入系統組成,擁有研究半導體材料霍爾效應所有的部件和配置,是一套非常成熟的儀器系統。特性 1、可靠的精度及重現性 恆電流源(1na~20ma)採用六級...
選擇系統 選擇低電流或高電壓系統 有兩種不同配置的S530系統。S530低電流系統適於測量亞域值漏電、柵漏電等特性。S530高壓系統包含的源測量單元(SMU)能輸出高達1000V@20mA(20W最大值)至任意系統引腳。此版本最佳化了GaN、SiC和Si LDMOS...
⑥P-N組合溫度補償型:它選用配對的P型和N型兩種轉換元件作為電橋的相鄰兩臂,從而使溫度特性和非線性特性有較大改善。薄膜型半導體應變計 這種應變計是利用真空沉積技術將半導體材料沉積在帶有絕緣層的試件上或藍寶石上製成的(圖1)...
T3Ster是一款先進的半導體器件封裝熱特性測試儀器,在數分鐘內提供各類封裝的熱特性數據。T3Ster專為半導體、電子套用和LED行業以及研發實驗室的套用而設計。系統包括易用的軟體部分和硬體部分,T3Ster用來測量封裝半導體器件以及其他電子設備...
除了用來判斷半導體材料之型態(n或p)以外,它也可套用於LED磊晶層的質量判定,也可以用來判斷在HEMT組件中二維電子氣是否形成,此外還可以用於太陽能電池片的製程輔助。可說是一套功能強大、套用廣泛的系統,再加上平實的價格, 相信必...