半導體特性分析系統是一種用於化學領域的物理性能測試儀器，於2014年7月10日啟用。
基本介紹
- 中文名：半導體特性分析系統
- 產地：美國
- 學科領域：化學
- 啟用日期：2014年7月10日
- 所屬類別：物理性能測試儀器 > 光電測量儀器
技術指標,主要功能,
技術指標
四個源測量單元；每個源測量單元的電流測量範圍100 fA ~ 100 mA，電壓測量範圍1 μV ~ 200 V，電壓測量精度100 μV，電壓源設定解析度是5 μV； 1個超低電流前置放大器，可擴充源測量單元的電流解析度至0.1 fA，精度至10 fA； 1個電容電壓測量單元，頻率範圍1 KHz ~ 10 MHz， 偏置電壓±30 V（差分模式下為±60 V）； 4寸工作檯，卡盤X-Y的移動範圍 4 英寸×4 英寸，採用密閉腔結構，禁止外部電信干擾同時保持氮氣正壓環境下樣品在低溫時無結霜； 長工作距離顯微鏡，放大倍數200倍，含有CCD接口； 高低溫卡盤，溫度範圍-80 ºC ~ +200 ºC ，溫度解析度0.1 ºC ，最低控溫速率 ±0.1 ºC /小時，含製冷系統一套； 四個探針座，磁性吸附，X-Y-Z 方向的移動行程分別為12mm-12mm-12mm，可以調節點測角度：0 ~ 30º，0.7 μm精度； CCD系統要求：高清200萬像素超低照度攝像機，軟體具備圖像測量拍照錄像等功能； 4個探針三軸電纜，1個無油靜音真空泵（7 升/分鐘），1套CCD圖...。
主要功能
半導體特性分析系統是實現半導體材料性能測試高度集成的平台，它由電學測量部分和變溫探針系統兩部分組成，電學測量部分是將I-V測試單元、C-V測試單元等半導體測試模組整合為一個系統，可以提供半導體材料和器件的高精度電學參數測量，可以進行I-V、C-V測量、四探針電阻率測量和范德堡電阻測量。
