半導體特徵分析系統

半導體特徵分析系統是一種用於物理學、化學、材料科學領域的儀器，於2015年3月4日啟用。

基本介紹

• 中文名：半導體特徵分析系統
• 產地：美國
• 學科領域：物理學、化學、材料科學
• 啟用日期：2015年3月4日

技術指標

1個最大電壓源為210V，電壓最小解析度5Uv;2.SMU系統4個，解析度均為0.1fA，最大電流均為100mA，測試精度10fA;3.C-V系統，頻率範圍：1KHz-10MHz，偏置電壓：±30V（差分模式下為±60V）；4.脈衝發生器頻率：50MHz-1Hz,雙通道，最小脈衝寬度為10ns@10V,50ns@40V；5.電流測量精度：0.5%+1nA，I和V的採樣率為5ns/點。

主要功能

測試氧化層厚度，柵面積，串聯電阻，電壓，開啟電壓，體摻雜，徳拜長度，體電勢等等。