功率半導體器件分析儀

功率半導體器件分析儀是一種用於電子與通信技術領域的科學儀器，於2016年4月25日啟用。

基本介紹

• 中文名：功率半導體器件分析儀
• 產地：其他
• 學科領域：電子與通信技術
• 啟用日期：2016年4月25日

技術指標

1.HVSMU:-3000V至3000V，-4mA至4mA； HCSMU:-40V至40V，-1A至1A；-20V至20V，-20A至20A（脈衝）； MFCMU:1kHz至5MHz； 以上精度200nV，10fA 2.最大模組配置：所有模組的總功耗不得超過84 W。按此要求, B1505A 可容納下列模組的任意組合: 4 塊雙槽 HPSMU 模組 10 塊單槽 MPSMU 模組 2 塊單槽 HCSMU 模組 6 塊單槽 MCSMU 模組 1 塊雙槽 HVSMU 模組 3.公共端和接地端之間的最大電壓：≤±42 V 4.接地單元 (GNDU) 技術指標： GNDU 隨 B1505A 主機提供輸出電壓 : 0 V±100 µV 最大阱電流 : ±4.2A。

主要功能

測量各種電力電子器件的靜態特性。