半導體光電磁測試系統

半導體光電磁測試系統是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2010年1月1日啟用。

基本介紹

• 中文名：半導體光電磁測試系統
• 產地：中國
• 學科領域：材料科學
• 啟用日期：2010年1月1日
• 所屬類別：分析儀器 > 電子光學儀器

技術指標

阻值範圍0.01 Ω - 200 MΩ / 磁場0-1.7T。

主要功能

用於高電阻率半導體材料內部深能級缺陷、載流子濃度、導電類型等參數的測試。