半導體參數測量系統是一種用於信息科學與系統科學領域的電子測量儀器，於2010年04月06日啟用。
半導體參數測量系統是一種用於信息科學與系統科學領域的電子測量儀器，於2010年04月06日啟用。技術指標最大測試電流：100mA，解析度：0.01fA，測試範圍：20Hz-2MHz。1主要功能主要用於半導體CV/IV特性...
半導體參數綜合測試系統是一種用於電子與通信技術領域的電子測量儀器，於2015年12月17日啟用。技術指標 0.1fA到1A的電流；1uV-210V的電壓； 分析測試庫，包括MOSFET、BJT電晶體、二極體、電阻器、電容器。主要功能 半導體行業。
半導體參數分析系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2014年09月01日啟用。技術指標 1.1系統源測量單元（SMU）單元技術指標：4個SMU的電流測量解析度均為0.1fA；測量精度均為10fA；其中3個SMU的電流測量範圍為0.1fA-100mA...
《一種功率半導體特性參數測試系統》是國網浙江省電力有限公司電力科學研究院、浙江大學紹興微電子研究中心、國網浙江桐鄉市供電有限公司於2021年2月23日申請的專利，該專利公布號為CN112986782A，專利公布日為2021年6月18日，發明人是王異...
半導體電參數測試系統 半導體電參數測試系統是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的分析儀器，於2011年1月1日啟用。技術指標 10k-1MHZ/0.1PE。主要功能 可測固體表面兩點之間電勢。
半導體特性測量系統是一種用於材料科學領域的物理性能測試儀器，於2012年06月06日啟用。技術指標 該儀器具有四個源測量單元（SMU），其中包括三個0.1fA的高解析度SMU和一個1A的大功率SMU。主要功能 各種微米和納米器件的電學性能測試。
HMS系列霍爾效應測量系統，用於測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾係數等重要參數，而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試儀是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必備的工具。產品概述 原產...
在探討C-V測試系統的配置方法之前，了解半導體C-V測量技術[15]的局限性是很重要的：· 電容：從＜10fF到1微法 · 電阻：從＜0.1歐姆到100M歐姆 · 小電感：從＜1nH到10mH · 柵介質：可以提取的等價柵氧厚度範圍從不到10...
容易使用的4200-SCS型半導體特性分析系統用於實驗室級的器件直流參數測試、實時繪圖與分析，具有高精度和亞fA級的解析度。它提供了最先進的系統集成能力，包括完整的嵌入式PC機，Windows作業系統與大容量存儲器。其自動記錄、點擊式接口加速並...
半導體特性分析系統是實現半導體材料性能測試高度集成的平台，它由電學測量部分和變溫探針系統兩部分組成，電學測量部分是將I-V測試單元、C-V測試單元等半導體測試模組整合為一個系統，可以提供半導體材料和器件的高精度電學參數測量，可以進行...
半導體光電磁測試系統是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2010年1月1日啟用。技術指標 阻值範圍0.01 Ω - 200 MΩ / 磁場0-1.7T。主要功能 用於高電阻率半導體材料內部深能級缺陷、載流子濃度、導電類型等參數的測試。
吉時利[20]的4200-SCS半導體[21]特徵分析系統（如概述圖所示）長期以來始終支持精密直流I-V測量（利用集成的SMU）和C-V測量（利用可選的C-V模組）。利用最近推出的4225-PMU[22]超快I-V模組和4225-RPM[23]遠程放大器/開關，用戶...
半導體感測器是一種新型半導體器件，它能夠能實現電、光、溫度、聲、位移、壓力等物理量之間的相互轉換，並且易於實現集成化、多功能化，更適合於計算機的要求，所以被廣泛套用於自動化檢測系統中。由於實際的被測量大多數是非電量，因而...
半導體參數分析儀 半導體參數分析儀是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器，於2006年11月01日啟用。技術指標 0.5x0.5x0.5m。主要功能 0.5x0.5x0.5m。
半導體雷射測量系統 半導體雷射測量系統是一種用於能源科學技術領域的電子測量儀器，於2006年9月6日啟用。技術指標 多種氣體檢測 ppm級氣體濃度檢測 ms級時間解析度。主要功能 氣體濃度檢測。
半導體雷射器測試系統 半導體雷射器測試系統是一種用於化學領域的分析儀器，於2017年4月18日啟用。技術指標 210-2400nm連續可調。主要功能 用於不同溫度下材料的非線性光學性能測試。
- 1021 cm-3 套用 霍爾效應測量系統用於測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾係數等重要參數，而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試儀是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必備的工具。
大功率器件測試系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2013年6月26日啟用。技術指標 3000V電壓，20A/pulse電流，1-5MHz，HPSMU電壓範圍-200-200V，電流-1A-1A，精度2uV，10發A。主要功能 晶圓級和封裝...
霍爾測量系統 霍爾測量系統是一種用於信息科學與系統科學、電子與通信技術領域的分析儀器，於1999年8月1日啟用。技術指標 精度優1^0/0。主要功能 測試半導體性能參數、霍爾係數、電阻率、遷移率等。
定製儀器測量; 3，智慧型數值處理算法:解決通常採用簡單線性計算方法導致的測量偏差大,準確性差問題; 4，操作簡單方便:一鍵校零,白板全數字校準,校準參數白動保存.高集成硬體設計,嵌入式實時操作系統.快速數字濾算法,兩秒完成測定....
3.2 測試設備的校準及環境對測量的影響 3.3 四探針測試中的邊緣修正問題 3.4 小結 參考文獻 4 四探針儀測控系統及其實現 4.1 機械系統設計 4.2 四探針儀測試系統設計 4.3 光學監視系統 4.4 小結 參考文獻 5 游移對...
T3Ster專為半導體、電子套用和LED行業以及研發實驗室的套用而設計。系統包括易用的軟體部分和硬體部分，T3Ster用來測量封裝半導體器件以及其他電子設備的瞬態熱特性，測量的器件包括分離或集成的雙極型電晶體、MOS電晶體、常見的三極體、LED...
半導體器件特性測試儀器 FS-Pro半導體參數測試系統 FS-Pro 半導體參數測試系統是一款功能全面、配置靈活的半導體器件電學特性分析設備，在一個系統中實現了電流電壓（IV） 測試、電容電壓（CV）測試、脈衝式 IV 測試、高速時域信號採集以及...
除了用來判斷半導體材料之型態(n或p)以外，它也可套用於LED磊晶層的質量判定，也可以用來判斷在HEMT組件中二維電子氣是否形成，此外還可以用於太陽能電池片的製程輔助。可說是一套功能強大、套用廣泛的系統，再加上平實的價格， 相信必...
1980年測試儀進入第四代，測量對象為VLSI，可測管腳數高達256個，功能測試圖形速率高達100MHz，測試圖形深度可達256K以上。測試儀的智慧型化水平進一步提高，具備與計算機輔助設計（CAD）連線能力，利用自動生成測試圖形向量，並加強了數字系統...
北京勵芯泰思特測試技術有限公司於2014年10月30日獲得高新技術企業證書，其產品軟體LX9600分立器件動態參數測試系統V1.0.0.1、LX9300大功率分立器件測試系統V1.0、BC3193半導體分立器件測試系統V1.0、BC3199模數混合積體電路測試系統V1....
探測器分為經典半導體探測器、新型半導體探測器和熱探測器。經典半導體型和熱探測器型的探測器特性參數及其後的系統特性參數已得到改進。常見的幾種探測器如下：經典半導體探測器 （1）光導型探測器。它需要一個恆定的偏置電壓，吸收的光子...
