基本介紹
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半導體參數分析系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2014年09月01日啟用。技術指標1.1系統源測量單元(SMU)單元技術指標:4個SMU的電流測量解析度均為0.1fA;測量精度均為10fA;其中3個SMU的...
容易使用的4200-SCS型半導體特性分析系統用於實驗室級的器件直流參數測試、實時繪圖與分析,具有高精度和亞fA級的解析度。它提供了最先進的系統集成能力,包括完整的嵌入式PC機,Windows作業系統與大容量存儲器。其自動記錄、點擊式接口加速並...
半導體特性分析系統是實現半導體材料性能測試高度集成的平台,它由電學測量部分和變溫探針系統兩部分組成,電學測量部分是將I-V測試單元、C-V測試單元等半導體測試模組整合為一個系統,可以提供半導體材料和器件的高精度電學參數測量,可以進行...
半導體分析系統是一種用於計算機科學技術領域的計算機及其配套設備,於2015年10月1日啟用。技術指標 (1)在0.1fA-1A/0.5μV-200V範圍內執行精確的電流-電壓(IV)測量,支持點測量、掃描測量、採樣和脈衝測量。 (2)在1kHz至5MHz頻率...
半導體參數測試系統 半導體參數測試系統是一種用於核科學技術領域的電子測量儀器,於2010年12月28日啟用。技術指標 最大電壓200V,最大電流1A。主要功能 中小規模、單元電路參數測試。
半導體電參數測試系統 半導體電參數測試系統是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的分析儀器,於2011年1月1日啟用。技術指標 10k-1MHZ/0.1PE。主要功能 可測固體表面兩點之間電勢。
《一種功率半導體特性參數測試系統》是國網浙江省電力有限公司電力科學研究院、浙江大學紹興微電子研究中心、國網浙江桐鄉市供電有限公司於2021年2月23日申請的專利,該專利公布號為CN112986782A,專利公布日為2021年6月18日,發明人是王異...
半導體晶片遺傳分析系統是一種用於生物學、藥學、中醫學與中藥學領域的分析儀器,於2017年7月31日啟用。技術指標 1、測序原理特點:系統無需激發光源,無需螢光標記,無需照相系統,而是直接實時檢測測序時產生的氫離子濃度。 2、通量:...
半導體存儲器參數測試儀 半導體存儲器參數測試儀是一種用於信息科學與系統科學領域的電子測量儀器,於2009年11月1日啟用。技術指標 100-240V,1KVA。主要功能 直流,脈衝測試。
本項目以複雜多環結構的半導體封裝測試系統為研究對象,結合國際前沿理論與方法,開展性能分析研究,以揭示系統參數與系統性能之間的內在聯繫。首先通過企業調研提鍊形成性能分析問題域;然後針對快取故障特性,採用馬爾科夫方法提出小規模多環結構...
半導體直流參數測試儀是一種用於物理學、材料科學、動力與電氣工程領域的計量儀器,於2013年7月5日啟用。技術指標 基於PC的儀器,具有WindowsXPprofessional操作系統通過DesktopEasyEXPERT軟體進行離線數據分析和套用測試開發。針對電流-電壓(IV...
半導體光電磁測試系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2010年1月1日啟用。技術指標 阻值範圍0.01 Ω - 200 MΩ / 磁場0-1.7T。主要功能 用於高電阻率半導體材料內部深能級缺陷、載流子濃度、導電類型等參數的測試。
半導體探測系統是一種用於數學領域的分析儀器,於2013年10月1日啟用。技術指標 NIM機箱160瓦,提供 ±6 V, ±12 V, ±24 V。500V偏壓,精密脈衝發生器,快速前放,定時單道,2K多道。主要功能 滿足核科學與技術領域輻射探測方面的...
這是因為在實際的 MIS電容的絕緣層中往往存在有各種電荷和在絕緣體和半導體的界面附近存在有界面態。正因為如此,可以通過對實際-曲線的分析,研究絕緣層中電荷和界面態的性質。金屬-SiO-Si系統是研究最多的MIS結構,其中主要的電荷形式...
半導體雷射器測試系統 半導體雷射器測試系統是一種用於化學領域的分析儀器,於2017年4月18日啟用。技術指標 210-2400nm連續可調。主要功能 用於不同溫度下材料的非線性光學性能測試。
載流子輸運參數(體複合壽命、表面複合速率、遷移率、擴散係數等)是表征半導體材料和器件性能的核心參數。從原材料製備到最終器件研製的每一道工序中,對材料內載流子輸運參數的分布進行實時、精確、無損的空間表征,有助於分析摻雜濃度、...
此外,工藝方面的保障還應包括對操作人員的培訓和考核、對環境潔淨度的控制和建立先進的生產質量管理信息系統等方面。設計保障 1) 常規可靠性設計技術。包括冗餘設計、降額設計、靈敏度分析、中心值最佳化設計等。2) 針對主要失效模式的器件...
無晶格缺陷的純淨半導體的電阻率較大,實際套用不多。套用領域 半導體在積體電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明套用、大功率電源轉換等領域套用。光伏套用 半導體材料光生伏特效應是太陽能電池運行的基本原理。現階段半導體材料的光伏...
2.3.4 系統的EOPNs模型 2.4 系統建模案例 2.5 EOPNs模型的動態性能分析 2.5.1 死鎖分析 2.5.2 EOPNs模型的衝突分析 2.6 小結 參考文獻 第3章 基於賦時EOPNs模型的自治與協調實時派工機制 3.1 引言 3.2 “建模-控制-...
吉時利[20]的4200-SCS半導體[21]特徵分析系統(如概述圖所示)長期以來始終支持精密直流I-V測量(利用集成的SMU)和C-V測量(利用可選的C-V模組)。利用最近推出的4225-PMU[22]超快I-V模組和4225-RPM[23]遠程放大器/開關,用戶...
對於某些套用和用戶而言,射頻測量的配置和分析過程可能太複雜了;在這些情況下,經典的交流阻抗測量方法可能更適合。局限性 在探討C-V測試系統的配置方法之前,了解半導體C-V測量技術[15]的局限性是很重要的:· 電容:從<10fF到1微...
電子產品晶片的熱設計與分析 PCB板和散熱模組的散熱設計最佳化 手機、平板電腦、機箱、機櫃的全尺度熱仿真分析 大型機房與系統級別的散熱仿真 核心功能 參數化建模 Simetherm提供電子設備專用零部件的參數化建模宏,可完成各種冷卻場景的建模。...
(1)在I/O非線性方面能夠提供準確的模型,同時考慮了封裝的寄生參數與ESD結構;(2)提供比結構化的方法更快的仿真速度;(3)可用於系統板級或多板信號完整性分析仿真。可用IBIS模型分析的信號完整性問題包括:串擾、反射、振盪、上...
5. 質量和性能的算法 為了預測系統性能,OptiSystem將採用分析法,或者對於受中間信號串擾和噪聲所限制的系統採用半分析技術,分別計算出諸如BER和Q因子等參數。6. 高級的可視化工具 高級的可視化工具可以生成OSA頻譜、示波器和眼圖(EYE ...