化學沉積濺射儀是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年9月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:化學沉積濺射儀
- 產地:美國
- 學科領域:電子與通信技術
- 啟用日期:2012年9月1日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
化學沉積濺射儀是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年9月1日啟用。
化學沉積濺射儀是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年9月1日啟用。技術指標沉積速〉100nm/mim 應力〈500Mpa。1主要功能FBAR濾波器開發與套用。1...
濺射等離子增強化學氣相沉積一體系統是一種用於物理學、化學、材料科學、能源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2015年11月30日啟用。技術指標 真空系統:分子泵機組; 澱積室規格:?400×150mm; 澱積室樣片台尺寸:?290mm(熱均勻區?220mm); 澱積材料:SiO2、Si3N4、非晶矽、碳化矽、類金剛石等; 澱積速率:200...
磁控濺射A2D沉積是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的物理性能測試儀器,於2011年12月31日啟用。中文名 磁控濺射A2D沉積 產地 中國 學科領域 化學、材料科學、冶金工程技術、物理學 啟用日期 2011年12月31日 所屬類別 物理性能測試儀器 > 力學性能測試儀器 > 材料試驗機 目錄 1 技術指標 ...
雙離子束沉積系統是一種用於物理學、化學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於1994年12月15日啟用。技術指標 1.極限真空度:6×10-4Pa2.主源:1000eV,100—120mA輔源:800eV,100mA3.濺射靶:F100mm4.基片台:F40mm,旋轉,掃描,水冷。主要功能 本儀器之主源用於濺射,輔源用於輔助沉積,主源濺射出的靶材料...
原子層濺射儀是一種用於材料科學、工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器,於2016年11月21日啟用。技術指標 樣品最大尺寸為8英寸;沉積脈衝周期小於2s(Al2O3);工藝溫度小於500℃;固態源加熱溫度200℃;有6套獨立前驅源管理;可沉積氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦、氮化鈦、氧化矽、氧化鉿等薄膜;50:1的高深寬比...
PECVD沉積系統 PECVD沉積系統是一種用於動力與電氣工程、能源科學技術、計算機科學技術、化學工程領域的工藝試驗儀器,於2008年5月1日啟用。技術指標 矽薄膜沉積設備,極限真空10-6,溫度可達250 ℃。主要功能 PECVD主要是對半導體材料矽的濺射。
雙室磁控與離子束複合濺射沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年12月10日啟用。技術指標 技術指標:主要用於濺射Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW、Pd、Pt、Zn等金屬薄膜;極限真空:1E-6Torr(?30分鐘從?atm?抽到?1E-3 Torr?);薄膜均勻性:±5%?(?4英寸);靶源:靶源 φ...
金屬薄膜濺射儀是一種用於物理學、化學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年8月1日啟用。技術指標 1.3台濺射靶槍,靶材尺寸為3英寸; 2.最高550℃樣品台加熱,PID控溫,控溫精度±1℃; 3.適合基片最大尺寸6英寸,並配置氣動基片擋板; 4.兩路質量流量計控制進氣,最大流量為100sccm,通過電容式薄膜規壓力...
磁控濺射測試系統 磁控濺射測試系統是一種用於化學領域的分析儀器,於2004年03月24日啟用。技術指標 直流濺射功率最高200W,射頻濺射功率最高300W。主要功能 採用金屬或非金屬靶材進行物相沉積。
濺射系統:磁控濺射儀的真空室中有三個磁控陰極靶,被水冷套冷卻。真空室上部放置有直徑為的圓形樣品托。陰極靶與樣品托之間的距離在內連續可調。功能 各種金屬薄膜的濺射蒸鍍 各種金屬、非金屬化合物薄膜的濺射沉積 薄膜的形成 核生長型 這種類型形成過程的特點是,到達基片上的原子首先凝聚成核,後續飛來的原子不斷...
全固態鋰電池一體化沉積系統 全固態鋰電池一體化沉積系統是一種用於化學領域的分析儀器,於2018年1月12日啟用。技術指標 最大功率15kW。主要功能 磁控濺射,真空蒸鍍。
超高真空磁控與粒子束聯合濺射設備是一種用於化學領域的科學儀器,於2012年9月7日啟用。技術指標 1.系統極限真空:磁控濺射室:系統經烘烤後連續抽氣,可達4.0x10-5Pa;離子束濺射室經烘烤後連續抽氣,可達6.6x10-5Pa; 2.系統真空撿漏率:≤5.0x10-7Pa/s; 3.系統漏率:停泵關機12h後,真空度≤9Pa。...
磁控濺射設備的主要用途 (1)各種功能性薄膜:如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如,低溫沉積氮化矽減反射膜,以提高太陽能電池的光電轉換效率。(2)裝飾領域的套用,如各種全反射膜及半透明膜等,如手機外殼,滑鼠等。(3) 在微電子領域作為一種非熱式鍍膜技術,主要套用在化學氣相沉積(CVD...
濺射工藝是以一定能量的粒子(離子或中性原子、分子)轟擊固體表面,使固體近表面的原子或分子獲得足夠大的能量而最終逸出固體表面的工藝。濺射只能在一定的真空狀態下進行。原理 濺射工藝圖如圖1所示,濺射鍍膜最初出現的是簡單的直流二極濺射,它的優點是裝置簡單,但是直流二極濺射沉積速率低;為了保持自持放電,不能...
薄膜沉積系統 薄膜沉積系統是一種用於機械工程領域的工藝試驗儀器,於2009年11月13日啟用。技術指標 一次最大可以濺射1片6英寸樣品,樣品台可以旋轉和加熱,最高加熱溫度為800℃。濺射薄膜厚度均勻性優於±5%。主要功能 能夠濺射各種金屬和介質材料,也可以進行反應濺射。
1)反應過程,反應發生在表面--靶或基體上,活性氣體也可以形成活性基團,濺射原子與活性基團碰撞也會形成化合物沉積在基體上。當通入的反應氣體壓強很低,或靶的濺射產額很高時化合物的合成發生在基體上,而且化合物的成分取決於濺射粒子和反應氣體到達基體的相對速度,這種條件下,靶面的化學反應消失或者是化合物分解...
濺射鍍 sputtering depositsnn 用荷能粒子(通常為氣體止離子)轟擊靶材,使靶材表面部分原子逸出的現象r.若把零件放在靶材附近酌適當位置上,則從靶材飛出的原子便會沉積到零件表面而形成鍍層。它特另l適用於高熔點金屬、合金、半導體和各類化合物的鍍覆二主要用於製備電子元件上所需的各種鍍層。也可用來鍍覆氮化欽...
《離子束輔助磁控濺射法在IBAD-MgO基礎上製備CeO2的機理研究》是依託清華大學,由魏俊俊擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 離子束輔助沉積MgO(IBAD-MgO)具有製備速度快,織構強的特點,目前已成為製備YBCO塗層導體緩衝層的重要發展方向。而CeO2由於其與YBCO具有很好的晶格匹配,被認為是最佳的...
真空鍍膜沉積系統是一種用於物理學、化學、材料科學領域的儀器,於2015年08月06日啟用。技術指標 機械泵(DUO)351台,抽速10L/s。真空計(PKR251)1套,量程5*10-9mbar~1000mbar。插板閥(HVA11221-0604R)1套,極限真空1*10-10torr。可程式直流電源(TDK8-180)2台,電流精度:0.1A。樣品架1套,容納1個...
太陽能薄膜電池沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年1月3日啟用。技術指標 1、腔室配置及真空系統1個預抽室,1個樣品傳遞室(配裝高真空機械手),3~6個樣品製備室;樣品製備室包括:PECVD室和PVD(磁控濺射)室,數量由用戶選定;所有腔室有獨立的分子泵真空機組;腔體帶烘烤系統。2、系統...
北京德儀天力科技發展有限公司於2001年03月08日成立。法定代表人劉薇,公司經營範圍包括:技術推廣服務;經濟貿易諮詢;銷售化工產品(不含危險化學品)、機械設備、電子產品等。企業簡介 北京德儀天力科技發展有限公司成立於2001年,位於北京經濟技術開發區,主要提供磁控濺射設備、電子束蒸發薄膜沉積設備、熱蒸發薄膜沉積...
高真空鍍膜儀是一種用於物理學、化學、材料科學、生物學領域的分析儀器,於2018年05月11日啟用。技術指標 (1)極限真空度:≤2×10-6mbar;(2)鍍膜厚度:1-100nm;(3)檢測精度0.1nm;(4)鍍膜種類:碳和金屬。主要功能 該鍍膜儀主要用來在非導電材料表面蒸發或者濺射沉積納米導電薄膜,用來提高樣品的...
主要分類有兩個大種類: 蒸發沉積鍍膜和濺射沉積鍍膜,具體則包括很多種類,包括真空離子蒸發,磁控濺射,MBE分子束外延,溶膠凝膠法等等 。一、對於蒸發鍍膜:一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發出來。厚度均勻性主要取決於:1。基片材料與靶材的晶格匹配程度 2、基片表面溫度 3. 蒸發功率,速率 4. ...
一般來說前一類金剛石膜由化學氣相沉積(CVD)製得,而後兩類則通過物理氣相沉積(PVD)製得。類金剛石膜的製備 DLC膜的製備工藝發展迅速,已經開發出多種製備方法。這些方法大體分為兩大類:物理氣相沉積法和化學氣相沉積法,下面介紹幾種常用方法:物理氣相沉積(PVD)(1)濺射法 濺射法是工業生產中常用的薄膜製備方法...
表面和薄膜分析離子探針作靜態分析時,離子濺射是發生在樣品表面少數原子層或吸附層上(5~20埃)的,它是研究樣品氧化,腐蝕、擴散和催化等表面物理化學過程,檢測沉積薄膜、表面污染元素分布和晶體界面結構缺陷的理想工具。深度分析 作動態分析時,在一次離子束剝蝕作用下,樣品成分及其濃度將隨剝蝕時間而變化,因而得到...
3.離子鍍或離子濺射輔助沉積:它和離子濺射沉積的區別在於同時轟擊靶材和工件,目的是為了增強膜材與工件基材之間的結合力。4.離子注入:較高能量的離子束直接轟擊被加工材料,使工件表面層含有注入離子,改變了工件表面的化學成分,從而改變了工件表面層的物理、力學和化學性能,滿足特殊領域的要求。
表面和薄膜分析 離子探針作靜態分析時,離子濺射是發生在樣品表面少數原子層或吸附層上(5~20 埃)的,它是研究樣品氧化,腐蝕、擴散和催化等表面物理化學過程,檢測沉積薄膜、表面污染元素分布和晶體界面結構缺陷的理想工具。深度分析 作動態分析時,在一次離子束剝蝕作用下,樣品成分及其濃度將隨剝蝕時間而變化,因而...
第3章 濺射技術 第4章 化學氣相沉積 第5章 脈衝雷射沉積 第6章 分子束外延 第7章 液相外延 第8章 濕化學製備方法 第9章 半導體超晶格和量子阱 第10章 半導體器件製備技術 參考文獻 ……作者簡介 葉志鎮,男,1955年5月生於浙江溫州。1987年獲浙江大學光儀系工學博士學位;畢業後留校工作,1990~1992年留學...
銦銻氧化物(IAO)為氧化銦和氧化銻的混合物,松裝低,比表面高,導電性量好,是一種新型的特殊半導體材料,通常是用電子束蒸發、物理氣相沉積、或者一些濺射沉積技術的方法沉積到表面,因具有對可見光透明和導電的良好特性,所以主要用於紅外、紫外吸收膜等隔熱塗層、導電層、靶材、抗靜電塗層和塗料等領域。產品技術...
包括火焰噴塗、電弧噴塗、爆炸噴塗及等離子噴塗;②物理氣相沉積(PVD)。包括真空蒸發新工藝、磁控濺射、離子鍍及分子束外延;③化學氣相沉積(CVD)。按反應條件分為常壓、低壓、低溫、金屬有機物(MOCVD)、電漿增強(PECVD)及雷射誘導(LCVD)等;④滲塗。可分為填料埋滲、料漿滲、氣相滲和熔滲等;⑤溶膠一凝膠(...