金屬薄膜濺射儀是一種用於物理學、化學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年8月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:金屬薄膜濺射儀
- 產地:美國
- 學科領域:物理學、化學、材料科學
- 啟用日期:2016年8月1日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備
金屬薄膜濺射儀是一種用於物理學、化學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年8月1日啟用。
金屬薄膜濺射儀是一種用於物理學、化學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年8月1日啟用。技術指標1.3台濺射靶槍,靶材尺寸為3英寸; 2.最高550℃樣品台加熱,PID控溫,控溫精度±1℃; 3.適合基片最大尺寸6英...
磁致濺射儀是套用於各種金屬薄膜的濺射蒸鍍儀器,在惰性氣體或者活性氣體中在陽極和陰極蒸發材料間加上幾百伏的直流電壓,使之產生輝光放電,放電中的離子碰撞到陰極的蒸發材料靶上,靶材的原子就會由其表面蒸發出來,蒸發原子被惰性氣體冷卻而凝結或與活性氣體反應而形成納米顆粒。工作原理 濺射法的原理是在惰性氣體或者...
濺射儀 濺射儀是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年12月24日啟用。技術指標 4個2英寸磁控靶,2個射頻源,2個直流源,4英寸襯底,加熱至800°C。主要功能 沉積各種金屬、電介質薄膜。能與蒸發鍍膜連用。
氧化鋁薄膜濺射儀 氧化鋁薄膜濺射儀是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年9月1日啟用。技術指標 矽片不均勻性〉60 薄膜應力50+50CT 矽片不均勻性〈0.5。主要功能 FBAR濾波器開發與套用。
4個4英寸靶槍,靶基距離可在50mm-150mm範圍內原位真空狀態下調節;4路MFC氣路導入;配置1台900W射頻電源,2台2000W直流電源;最低起輝氣壓0.2Pa;膜厚均勻性:優於±3%(6英寸範圍)。主要功能 用於Ti、Pd、Mo、Nb金屬薄膜的生長,具備直流、射頻兩種濺射模式,具備射頻反濺射清洗功能,可進行共濺射。
多靶位磁控共濺射儀 多靶位磁控共濺射儀是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年12月14日啟用。技術指標 3個射頻電源,最大功率300W;1個脈衝直流電源,最大功率1000 W;基片台最大可升溫至550℃。主要功能 用於製備金屬、半導體、絕緣體等薄膜。
溫度最高可達800 oC。主要功能 採用LTS陰極,陰極(靶位)4個,配備3個直流電源和1個射頻電源,可進行直流磁控濺射和射頻濺射,可進行共濺射可通Ar,N2,O2等3路氣體,可進行反應濺射進樣室有射頻電源可對樣品進行預濺射清洗套用範圍包括超薄金屬層,金屬矽化物薄膜,高介電常數柵介質,金屬納米晶材料的澱積。