濺射儀是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年12月24日啟用。
基本介紹
- 中文名:濺射儀
- 產地:美國
- 學科領域:物理學、材料科學
- 啟用日期:2010年12月24日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電真空器件工藝實驗設備
濺射儀是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年12月24日啟用。
濺射儀是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年12月24日啟用。技術指標4個2英寸磁控靶,2個射頻源,2個直流源,4英寸襯底,加熱至800°C。1主要功能沉積各種金屬、電介質薄膜。能與蒸發鍍膜連用。1...
磁致濺射儀是套用於各種金屬薄膜的濺射蒸鍍儀器,在惰性氣體或者活性氣體中在陽極和陰極蒸發材料間加上幾百伏的直流電壓,使之產生輝光放電,放電中的離子碰撞到陰極的蒸發材料靶上,靶材的原子就會由其表面蒸發出來,蒸發原子被惰性氣體...
高真空離子濺射儀(Sputter Coater),其特點是,高真空比低真空濺射,粒度更小。使用膜厚監控 1.打開總電源,打開氬氣開關(兩成保持在0.035Mpa左右,濺射時也要注意氬氣的流量)。2.按主機背面的開關按鈕,進入開機界面,根據提示進行...
磁控濺射儀是一種用於物理學領域的分析儀器,於2015年05月25日啟用。技術指標 濺射室極限真空度:≤5x10 -7 Torr(經烘烤除氣後); 系統真空檢漏漏率:≤5.0x10 -8 Torr.l/S; 系統從大氣開始抽氣:濺射室40分鐘可達到6x10 -...
多靶濺射儀 多靶濺射儀是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2009年09月27日啟用。技術指標 5個靶,本底真空度大於10e-8Torr,不均勻性≦±5%,片間重複性≦±5%。主要功能 Ge,GeSn, GeSnPb磁控濺射。
金屬蒸發濺射儀 金屬蒸發濺射儀是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年9月1日啟用。技術指標 蒸發速度50nm/min 電阻率〈3e-6ohmXcm 片內均勻性1sigma 3.0% 應力〈150Mpa。主要功能 FBAR濾波器開發與套用。
光子濺射儀是一種用於物理學、化學、材料科學領域的分析儀器,於2017年1月4日啟用。技術指標 內部壓強8.0E-5Pa 總漏率1.0E-10Pa.m3/s。主要功能 本設備可配合準分子雷射器作為能量激元凝聚設備,與真空腔配合實現定位,保持高真空...
納米器件濺射儀是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2008年12月1日啟用。技術指標 樣品尺寸為4寸矽片濺射室極限真空優於1.210-6 Pa,進樣室(loadlock)真空優於6.710-4 Pa澱積薄膜厚度均勻性優於3%襯底可...
高真空磁控濺射儀是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年12月11日啟用。技術指標 雙腔室真空結構(進樣室+濺射室),濺射室極限真空度優於9.9x10-6Pa,進樣室極限真空...
射頻磁控濺射儀 射頻磁控濺射儀是一種用於物理學領域的儀器,於2016年12月01日啟用。技術指標 4英寸矽片鍍制200nm以上的Al膜,均勻性不大於+/-5%。主要功能 薄膜製備。
多功能高精度磁控濺射儀是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年7月21日啟用。技術指標 離子源:襯底預先清洗輔助沉積;磁控濺射沉積:射頻(RF),直流(DC);靜態濺射,共濺射,反應濺射,線上濺射。主要功能 採用磁控濺射進行鍍膜...
離子濺射儀器是一種用於交通運輸工程領域的分析儀器,於2016年06月28日啟用。技術指標 (1)樣品室大小:直徑120mm×高度120mm; (2)靶材:Au靶、Au/Pd靶、Pt靶、Pt/Pd靶,靶材尺寸:直徑57mm×厚度0.1mm; (3)樣品台:...
化學沉積濺射儀 化學沉積濺射儀是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年9月1日啟用。技術指標 沉積速〉100nm/mim 應力〈500Mpa。主要功能 FBAR濾波器開發與套用。
存儲薄膜濺射儀 存儲薄膜濺射儀是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2008年12月1日啟用。技術指標 物理濺射4寸薄膜,片內均勻5%以內。主要功能 濺射薄膜。
多靶位磁控共濺射儀是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年12月14日啟用。技術指標 3個射頻電源,最大功率300W;1個脈衝直流電源,最大功率1000 W;基片台最大可升溫至550℃。主要功能 用於製備金屬、半導體、絕緣體...
多靶材磁控共濺射儀 多靶材磁控共濺射儀是一種用於物理學、化學、材料科學領域的電子測量儀器,於2016年11月23日啟用。技術指標 兩種靶材同步濺射生長,真空度可調。主要功能 材料生長與製備。
氧化鋁薄膜濺射儀 氧化鋁薄膜濺射儀是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年9月1日啟用。技術指標 矽片不均勻性〉60 薄膜應力50+50CT 矽片不均勻性〈0.5。主要功能 FBAR濾波器開發與套用。
掃描電子顯微鏡+粒子濺射儀是一種用於物理學、材料科學學科領域的電子光學儀器,於2015年11月25日啟用。技術指標 二次電子解析度:3.0nm(高真空,30kV) 背散射電子解析度:4.0nm(低真空,30kV) EDS能量解析度:125 eV(Mn K)...