多靶濺射儀

多靶濺射儀是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2009年09月27日啟用。

基本介紹

• 中文名：多靶濺射儀
• 產地：美國
• 學科領域：物理學、電子與通信技術
• 啟用日期：2009年09月27日
• 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備

技術指標

5個靶，本底真空度大於10e-8Torr,不均勻性≦±5%，片間重複性≦±5%。

主要功能

Ge,GeSn, GeSnPb磁控濺射。