射頻濺射沉積，亦稱“濺射鍍膜”。金屬表面塗層技術之一。屬氣相沉積方法。將塗覆用材料製成靶作為陰極,被離子轟擊後濺射出原子或分子,在電場作用下沉積於被鍍工件(底材)表面形成薄膜。射頻濺射是用高頻電磁場來維持輝光放電,產生轟擊離子使濺射不斷進行。
基本介紹
- 中文名：射頻濺射沉積
- 性質：金屬表面塗層技術
射頻濺射沉積，亦稱“濺射鍍膜”。金屬表面塗層技術之一。屬氣相沉積方法。將塗覆用材料製成靶作為陰極,被離子轟擊後濺射出原子或分子,在電場作用下沉積於被鍍工件(底材)表面形成薄膜。射頻濺射是用高頻電磁場來維持輝光放電,產生轟擊離子使濺射不斷進行。
射頻濺射沉積，亦稱“濺射鍍膜”。金屬表面塗層技術之一。屬氣相沉積方法。將塗覆用材料製成靶作為陰極,被離子轟擊後濺射出原子或分子,在電場作用下沉積於被鍍工件(底材)表面形成薄膜。射頻濺射是用高頻電磁場來維持輝光放電,產生轟...
射頻濺射射頻濺射幾乎可以用來沉積任何固體材料的薄膜，獲得 的薄膜緻密、純度高、與基片附著牢固、建設速率大、 工藝重複性好。常用來沉積各種合金膜、磁性膜以及 其他功能膜。簡介 射頻濺射（RFsputtering）用交流電源代替直流電源就構成了...
濺射方法是一種利用濺射原理及技術處理加工材料表面的現代技術方法。濺射，也稱陰極濺射，其基本原理是：在直流或射頻高壓電場的作用下利用形成的離子流轟擊陰極靶材料表面，使離子的動能和動量轉移給固體表面的原子，因化學鍵斷裂而飛出(或...
電漿濺射沉積也可以根據電漿產生的方法不同，分為直流濺射、射頻濺射和磁控射頻濺射。化學氣相沉積（chemical vapour deposition,CVD）包括低壓型（LPCVD）、常壓型（APCVD）、電漿增強型（PECVD）和金屬有機化合物型（MOCVD）。...
Singulus磁控濺射沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2018年10月14日啟用。技術指標 1、晶圓尺寸：最大為8寸晶圓。 2、12個PVD濺射靶材，靶材直徑100mm。 3、最多4個陰極共濺射。 4、濺射模式：直流、脈衝直流、射頻...
1972年Moley&Smith發展完善了空心熱陰極離子鍍，1973年又發展出射頻離子鍍(RFIP)。20世紀80年代又發展出磁控濺射離子鍍(MSIP)和多弧離子鍍(MAIP)。離子鍍膜是物理氣相沉積方法中套用最廣泛的一種鍍膜工藝。特點 離子鍍膜的基本特點是...
《射頻磁控射SiO2和Al2O3膜用於表面鈍化的研究》是依託大連理工大學,由郭寶海擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 射頻磁控濺射SiO2和Al2O3膜，是在常溫條件下沉積的半導體器件的鈍化膜。研究結果表明，在常溫條件完全可以實現電子器件的...
射頻磁控濺射設備是一種用於能源科學技術領域的儀器，於2015年12月16日啟用。技術指標 圓柱型304不鏽鋼腔室，配有頂蓋與底蓋，名義尺寸約360mm直徑 x 460mm高，配有1個觀察窗，並配有觀察窗擋板，前級泵採用抽速6.8cfm的油潤滑機械...
射頻磁控濺射儀 射頻磁控濺射儀是一種用於物理學領域的儀器，於2016年12月01日啟用。技術指標 4英寸矽片鍍制200nm以上的Al膜，均勻性不大於+/-5%。主要功能 薄膜製備。
磁控濺射一般分為二種：支流濺射和射頻濺射，其中支流濺射設備原理簡單，在濺射金屬時，其速率也快。而射頻濺射的使用範圍更為廣泛，除可濺射導電材料外，也可濺射非導電的材料，同時還司進行反應濺射製備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材...
濺射儀 濺射儀是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2010年12月24日啟用。技術指標 4個2英寸磁控靶，2個射頻源，2個直流源，4英寸襯底，加熱至800°C。主要功能 沉積各種金屬、電介質薄膜。能與蒸發鍍膜連用。
DE射頻濺射台 DE射頻濺射台是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2010年11月9日啟用。技術指標 極限真空度＜5*10(-5)Pa,RF600W,DC1500W。主要功能 DE射頻濺射台。
濺鍍時應儘可能維持其穩定。任何材料皆可濺射鍍膜，即使高熔點材料也容易濺鍍，但對非導體靶材須以射頻（RF）或脈衝（pulse）濺射；且因導電性較差，濺鍍功率及速度較低。金屬濺鍍功率可達10W/cm²，非金屬 二極濺鍍射：靶材為陰極...
磁控濺射是20世紀70年代迅速發展起來的新型我射技術。其鍍膜速率與二極濺射相比提高了一個數量級。1974 年Chapin 發明了適於工業套用的平面磁控濺射靶，對磁控濺射進人生產領域起了推動作用。磁控濺射的特點是在陰極靶面建立了一個環形磁場...
同時，通過射頻濺射沉積AlN壓電薄膜驗證性實驗，研究AlN薄膜晶粒取向與膜層最終應力的變化關係，將壓電薄膜晶粒微觀結構與應力分布有機聯繫起來，驗證應力模型計算結果，完善多晶薄膜應力起源分析，最終獲得對適用於射頻體聲波諧振器的壓電薄膜...
99年，有效的解決了射頻磁控濺射沉積SiO2薄膜的沉積速率慢影響生產線的產能和設備的利用率等一系列問題，同時出現了第三代大型高檔ITO薄膜生產線。該生產線成功套用了中頻反應濺射SiO2薄膜的工藝、採用全分子泵無油真空系統、獨立的全自動...
用射頻濺射方法在不鏽鋼基片上沉積細顆粒金－氧化鎂厚膜陰極，其導電性能較好，次級發射係數比純金屬大得多，在細束大電流密度轟擊下壽命較長，有可能用於高功率微波電子管中。幾乎所有的實用光電陰極（例如銻銫和銀氧銫光電陰極）都是...
射頻磁控濺射沉積法 原理圖 PN結 P型半導體 也稱為空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。N型半導體 也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。P 型半導體和N型半導體的交界面...
DLC膜的製備工藝發展迅速，已經開發出多種製備方法。這些方法大體分為兩大類：物理氣相沉積法和化學氣相沉積法，下面介紹幾種常用方法：物理氣相沉積(PVD)(1)濺射法 濺射法是工業生產中常用的薄膜製備方法，又分為直流濺射、射頻濺射、...
物理氣相沉積是多種濺射技術的通稱。該法是利用高能粒子撞擊固體表面，在與固體表面的原子或分子進行能量交換後，從固體表面飛出沉積到基片表面形成薄膜的方法。它包括射頻濺射、直流反應磁控濺射、粒子束增強沉積等。濺射沉積具有工藝溫度較...
最高時可達千伏量級。 射頻磁控濺射氣體放電時，由於射頻靶電源輸出交變高頻正弦電壓波形，致使電子碰撞工作氣體的幾率大為增多，工作氣體離化率高，等離子阻抗低，射頻磁控濺射膜層沉積速率為二極射頻濺射的數倍。
在60W射頻功率下延長純Ti金屬層可進一步提高薄膜的抗剝落性能，在10-60N較大載荷範圍內的水潤滑條件下均未發現薄膜剝落現象，薄膜的抗剝落性能得到了顯著提高，同時薄膜顯示出較好的可靠性。與此對比在前期進行的濺射、反應濺射沉積所得...
3.3 濺射鍍膜工藝68 3.3.1 直流二極濺射及其原理68 3.3.2 射頻濺射69 3.3.3 磁控濺射70 3.3.4 反應濺射71 3.3.5 離子束沉積72 3.3.6 濺射沉積技術的特點72 3.4 化學氣相沉積工藝73 3.4.1 化學氣相沉積過程73 3....
物理氣相沉積是多種濺射技術的通稱。該法是利用高能粒子撞擊固體表面，在與固體表面的原子或分子進行能量交換後，從固體表面飛出沉積到基片表面形成薄膜的方法。它包括射頻濺射、直流反應磁控濺射、粒子束增強沉積等。濺射沉積具有工藝溫度較...
BaTiO3薄膜的損耗與薄膜結構有關，無定形膜的損耗為0.5%，多晶膜則為6. 5%。射頻濺射製備BaTiO3薄膜，濺射靶是由BaCO3和TiO2在高溫下(1400 C)生成的BaTiO3，再經研磨成粉末、壓成圓片、燒結而成。用途 基片用鉑片，在基片溫度...
磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射，其中直流濺射設備原理簡單，在濺射金屬時，其速率也快。而射頻濺射的使用範圍更為廣泛，除可濺射導電材料外，也可濺射非導電的材料，同時還可進行反應濺射製備氧化物、氮化物和碳化物等化合物...
本項目使用射頻磁控反應濺射法在相對低的沉積溫度下製備了Cr2AlC和Ti2AlC單相薄膜。當沉積溫度為480℃時，在Al2O3(0001)基底上得到高結晶度的純相Cr2AlC；而在MgO(100)基體，可在615℃生長出緻密的純相Ti2AlC薄膜。用100 keV的He...
4.4 脈衝雷射沉積技術 4.4.1 脈衝雷射沉積的原理和特點 4.4.2 雷射光源 4.4.3 沉積系統 參考文獻 第5章 AlN薄膜的濺射沉積和刻蝕 5.1 射頻磁控濺射製備AlN薄膜 5.1.1 AlN薄膜的製備工藝 5.1.2 射頻功率對薄膜結構...
Silva 和Sayles用沉積錳銅薄膜的方法測量了高速轉動的齒輪嚙合時的應力。他們先用射頻濺射法在輪齒上沉積一薄層Al2O3 , 再用閃蒸法沉積一薄層錳銅膜, 最後再覆蓋上0 .4μm 厚的Al2O3 層, 估計整個感測器的厚度不會超過2μm ....