《AlN壓電薄膜晶粒取向與應力相關性研究》是依託電子科技大學,由鐘慧擔任醒目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：AlN壓電薄膜晶粒取向與應力相關性研究
- 依託單位：電子科技大學
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：鐘慧
項目摘要,結題摘要,
項目摘要
本項目針對壓電薄膜中晶粒取向對應力大小及分布特性的影響作用及由此帶來的相關效應，擬從理論上定量地建立較為符合實際的考慮晶粒織構情況的薄膜應力模型，研究應力大小與壓電膜層結晶性能、晶粒取向的內在聯繫，以及薄膜材料參數對應力的影響規律。同時，通過射頻濺射沉積AlN壓電薄膜驗證性實驗，研究AlN薄膜晶粒取向與膜層最終應力的變化關係，將壓電薄膜晶粒微觀結構與應力分布有機聯繫起來，驗證應力模型計算結果，完善多晶薄膜應力起源分析，最終獲得對適用於射頻體聲波諧振器的壓電薄膜應力形成的深刻理解，支持薄膜材料的製備與器件的研製。
結題摘要
隨著射頻體聲波諧振器對壓電薄膜應力的要求的不斷提高，射頻體聲波諧振器用AlN薄膜的應力研究成為該器件材料研究的重點。針對不同AlN薄膜晶粒取向對應力的影響，建立了有限元分析模型，獲得了薄膜厚度、晶粒大小、晶粒取向方向等因素對AlN薄膜應力的理論模型分析。同時，基於實驗基礎對薄膜沉積參數對晶粒的生長曲線影響及應力影響進行了研究，獲得了不同參數情況下的應力與晶粒取向範圍的影響關係。最後通過最佳化設計獲得最小應力範圍的實驗條件，為薄膜的進一步套用提供理論及實驗基礎。
