《射頻磁控射SiO2和Al2O3膜用於表面鈍化的研究》是依託大連理工大學,由郭寶海擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：射頻磁控射SiO2和Al2O3膜用於表面鈍化的研究
- 依託單位：大連理工大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：郭寶海
- 負責人職稱：高級工程師
- 批准號：69371020
- 研究期限：1994-01-01 至 1996-12-31
- 申請代碼：F0122
- 支持經費：7（萬元）
項目摘要
射頻磁控濺射SiO2和Al2O3膜，是在常溫條件下沉積的半導體器件的鈍化膜。研究結果表明，在常溫條件完全可以實現電子器件的表面鈍化，並已達到電子器件表面鈍化的要求。較高溫條件下的鈍化膜質量方面均有提高。在擊穿場強方面較熱氧化法提高近一個數量級，達到4.4×10(7)V/cm。純度非常高，在現有儀器誤差水平上均未發現有雜質存在。這一研究結果已達到世界水平，達到了電子器件表面鈍化的要求。為電子器件表面鈍化在常溫的條件下，完全可以實現這一工藝過程。具有適用的套用價值。後續將進一步開展套用和開發研究。
