《寬禁帶半導體電機驅動控制技術》是一本2021年科學出版社出版的圖書,作者是丁曉峰,共七章,主要介紹基於寬禁帶功率器件的電機驅動控制技術的研究成果。
基本介紹
- 書名:寬禁帶半導體電機驅動控制技術
- 作者:丁曉峰
- 出版社: 科學出版社
- ISBN:9787030677440
《寬禁帶半導體電機驅動控制技術》是一本2021年科學出版社出版的圖書,作者是丁曉峰,共七章,主要介紹基於寬禁帶功率器件的電機驅動控制技術的研究成果。
《寬禁帶半導體電機驅動控制技術》是一本2021年科學出版社出版的圖書,作者是丁曉峰,共七章,主要介紹基於寬禁帶功率器件的電機驅動控制技術的研究成果。內容簡介《寬禁帶半導體電機驅動控制技術》主要介紹基於寬禁帶功率器件的電機...
GaN、SiC等所謂寬禁帶半導體的禁頻寬度更要大得多,因為其價鍵的極性更強。Ge、Si、GaAs、GaN和金剛石的禁頻寬度在室溫下分別為0.66eV、1.12 eV、1.42 eV、3.44 eV和5.47 eV。金剛石在一般情況下是絕緣體,因為碳(C)的原子序數很小,對價電子的束縛作用非常強,價電子在一般情況下都擺脫不了價鍵的...
《寬禁帶半導體大功率電力電子器件的可靠性研究》是依託電子科技大學,由張波擔任醒目負責人的重點項目。項目摘要 本課題針對寬禁帶半導體SiC/GaN大功率電力電子器件可靠性機理與技術的關鍵問題,進行三項理論與實驗的創新研究:①提出GaN異質結電荷控制模型,揭示空間電荷與2DEG濃度的物理本質及其與能帶的普適規律,為研究F...
6.5.3 Cascode GaN HEMT的驅動電路 6.5.4 GaN GIT的驅動電路 6.5.5 CoolGaN HEMT的驅動電路 6.6 小結 參考文獻 第7章 寬禁帶器件驅動技術的發展 7.1 柵極主動驅動控制技術 7.2 高溫驅動技術 7.2.1 分立元件高溫驅動技術 7.2.2 SOI高溫驅動技術 7.2.3 全SiC高溫驅動技術 7.3 集成驅動技術 7....
《寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路》是2017年國防工業出版社出版的圖書。內容簡介 《寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路》重點介紹了SiC和GaN寬禁帶半導體高頻開關和微波功率器件與電路的新進展與實用製備技術。《寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路》共5章:第1章介紹電力電子和固態微波器件的發展及其在雷達...
《寬禁帶半導體電力電子器件及其套用》是2009年機械工業出版社出版的圖書,作者是陳治明。內容簡介 《寬禁帶半導體電力電子器件及其套用》介紹碳化矽、氮化鎵和金剛石等寬禁帶半導體電力電子器件的原理、特性、設計製造方法及套用,概括了這一新領域十餘年來的主要成就。內容包括:半導體物理基礎,電力電子器件的基本原理、...
廣東高校寬禁帶半導體材料與器件工程技術研究中心是2009年由廣東省教育廳、中山大學雙方共建。工程技術研究中心批准建設日期為2009年12月22日,經過將近兩年的建設,工程技術研究中心各項任務均圓滿完成。現任工程技術研究中心主任王鋼教授。研究方向 工程技術研究中心瞄準國際最新科學前沿和關鍵科學技術問題,開展半導體照明的...
寬禁帶半導體是指其禁頻寬度大於Si、GaAs等半導體的一類半導體,主要包括Ⅲ族氮化物、金剛石、ZnO、SiC等。它們的微結構、光學性質和電學性質有許多與Si、GaAs不同的特有性質。近十年來,以Ⅲ族氮化物為代表的寬禁帶半導體材料與器件發展迅猛,對信息科學技術的發展和套用起了巨大的推動作用,被稱為繼以Si、GaAs為代表...
矽的禁頻寬度為1.12電子伏特(eV),而寬禁帶半導體材料是指禁頻寬度在2.3eV及以上的半導體材料,典型的是碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、金剛石等材料。寬禁帶半導體材料是被稱為第三代半導體材料。半導體材料 隨著微波器件及光電子器件的發展,Ⅲ-Ⅴ族展,但電子學的發展對器件提出了愈來愈高的要求,特別是需要大...
第2章 寬禁帶半導體材料 2.1 氮化鎵和碳化矽晶體材料 2.1.1 GaN晶體性質和製備 2.1.2 SiC晶體性質和製備 2.2 碳化矽材料的同質外延生長技術 2.2.1 SiC同質外延生長方法 2.2.2 SiC CVD同質外延關鍵技術 2.2.3 SiC外延層缺陷 2.3 氮化物材料的異質外延生長技術 2.3.1 氮化物外延生長...
西安交通大學紹興市通越寬禁帶半導體研究院是西安交通大學下屬科研機構。發展歷史 2023年7月27日,由紹興濱海新區管委會與西安交通大學合作共建的紹興市通越寬禁帶半導體研究院揭 牌成立。科研條件 西安交通大學紹興市通越寬禁帶半導體研究院依託西安交通大學,致力於解決中國寬禁帶半導體器件和先進封裝領域面臨的卡脖子問題...
《寬禁帶半導體電子材料與器件》是2021年科學出版社出版的圖書,這本書講述了許多關於寬禁帶半導體電子材料的知識。內容簡介 本書以寬禁帶半導體為主線,扼要介紹當前幾種寬禁帶半導體電子材料與器件,包括氮化物寬禁帶半導體及其異質結構的物理性質、氮化物半導體材料的外延生長、氮化物半導體微波功率材料與器件、氮化物半導體...
《寬禁帶半導體微結構與光電器件光學表征》可作為高等學校半導體光電子類相關專業高年級本科生和研究生的教材或教學參考書,也可作為相關科研工作者的學習參考書。圖書目錄 第1章寬禁帶半導體雷射器技術與表征 1.1引言 1.2MOCVD技術簡介 1.3GaN材料的MOCVD生長與表征 1.4GaN材料的p型摻雜與表征 1.5InGaN量子阱的...
2024年3月29日,寬禁帶半導體產業基地揭牌,由臨港新片區牽頭建設。歷史沿革 2024年3月29日,寬禁帶半導體產業基地揭牌。成立背景 在發展新質生產力的當下,新能源汽車、儲能、信息通訊等領域迅猛發展,寬禁帶半導體產業將為其轉型升級提供強有力的支撐,打造寬禁帶半導體產業基地將助力上海在前沿產業發展中取得先機。
汽車—寬禁帶半導體產業鏈聯盟是2024年3月29日成立的產業鏈聯盟。成立背景 臨港寬禁帶半導體產業起步早、投資規模較大,為了從對接終端套用場景、推動科技創新等方面著手,針對產業鏈薄弱環節進一步補齊短板。“終端客戶對於國產新產品使用的驗證成本高、時間長,其生產過程中對設備和材料的要求也比較高。為此,新成立的...
隨著信息技術的飛速發展,半導體材料的套用逐漸從積體電路拓展到微波、功率和光電等套用領域。傳統元素半導體矽材料不再能滿足這些多元化需求,化合物半導體應運而生並快速發展。本書以浙江大學材料科學工程學系“寬禁帶化合物半導體材料與器件”課程講義為基礎,參照全國各高等院校半導體材料與器件相關教材,結合課題組多年的...
寬禁帶半導體國家工程研究中心 寬禁帶半導體國家工程研究中心,位於陝西省。所獲榮譽 2022年5月,被評選為2022年科學家精神教育基地,序號第124。
寬禁帶半導體材料山西省重點實驗室 寬禁帶半導體材料山西省重點實驗室依託中國電子科技集團公司第二研究所。研究方向 主要從事寬禁帶半導體單晶生長及加工機理、缺陷形成及演變機制、薄膜生長及分析表征研究,在寬禁帶半導體設備方面形成了特色。已經形成從設備研製、粉料製備、單晶生長、晶片加工到薄膜材料驗證的研究中試線。
針對中子輻照對其微觀結構和物理性質的影響缺乏研究的現狀,本項目以寬禁帶半導體為研究對象,系統地開展中子輻照對半導體材料物性作用規律的研究。項目擬採用XRD, Raman, EELS, HRTEM, PAS等結構表征技術,結合PPMS, SQUID, PL, CL等物性測量方法,系統地研究中子輻照對半導體材料微觀結構、光學、電磁輸運性質的作用規律...
寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室(西安電子科技大學)是依託西安電子科技大學組建的科研機構。中文名 寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室(西安電子科技大學) 依託 西安電子科技大學 始建於 2004年 博士比例 61% 目錄 1 簡介 2 學術成就
寬禁帶半導體全產業鏈 廣州市南沙新區是國內首個實現寬禁帶半導體全產業鏈布局的地區。
《離子注入寬禁帶半導體(GaN和ZnO)的非晶化研究》是依託武漢大學,由劉昌擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 離子注入摻雜GaN外延薄膜會引起晶格膨脹,其程度正比於注入離子的劑量,過度的晶格膨脹會導致局部晶格崩潰,形成孤立的非晶核,而積累這些非晶核,直到形成連續的非晶層,應該是離子注入GaN非晶化的機理。用高...
《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》可供微電子、半導體器件和材料領域的研究生與科研人員閱讀參考。圖書目錄 《半導體科學與技術叢書》出版說明 序言 第1章 緒論 1 參考文獻 4 第2章 III族氮化物半導體材料的性質 6 2.1 III族氮化物的晶體結構和能帶結構 6 2.1.1 GaN、AlN和InN 6 2.1.2 氮化物合金材料的...
《寬禁帶半導體器件耐高溫連線材料、工藝及可靠性》是2022年機械工業出版社出版的圖書。內容簡介 傳統軟釺料合金在微電子工業中已得到了廣泛的套用,然而軟釺料合金已經不能滿足第三代寬禁帶半導體(碳化矽和氮化鎵)器件的高溫套用需求。新型銀燒結/銅燒結技術和瞬態液相鍵合技術是實現高溫器件可靠連線的關鍵技術,該技術...
6.6.3弱磁控制160 小結161 習題162 第7章車用電機驅動逆變技術164 7.1脈寬調製逆變器和空間矢量調製原理164 7.1.1定子電壓基矢量164 7.1.2伏秒等效原理和SVPWM167 7.2車用功率半導體器件技術169 7.2.1功率半導體器件概述170 7.2.2(車用)絕緣柵雙極電晶體(IGBT)175 7.2.3第三代寬禁帶半導體技術...
利用圓偏振抽運探測光譜研究材料的自旋弛豫過程,探索材料的種類、尺寸、表面等內部因素和激發載流子濃度、溫度、外場等外部因素對自旋弛豫壽命的影響;利用法拉第/克爾旋光技術研究材料的瞬態磁光回響光譜的動態演化,探索寬禁帶半導體中光誘導磁光回響的性質和物理機制,並對自旋相干電子進行全光控制;利用格林函式方法,...
新能源電力電子變換技術、電動飛機先進驅動技術、寬禁帶半導體器件套用技術。個人經歷 2009-2010,美國馬里蘭大學高級訪問學者;2010-2013,南自通華電器集團企業博士後;2014年,成飛工程實踐暑期進修;2018年,西飛工程實踐暑期進修。擔任南京航空航天大學“新能源發電大學生主題創新區”負責人,參與及承擔國家自然科學基金重點...
研究生:《寬禁帶半導體材料與器件》研究方向 主要從事寬禁帶III族氮化物(GaN)功率半導體材料與器件研究,包括:GaN器件製備及材料物性研究 GaN功率半導體器件及物理器件製備 GaN功率器件穩定性、可靠性機理研究 GaN功率器件驅動及單片功率集成技術的研究 新型GaN電力電子器件在電源管理、光伏逆變、電機驅動等方向的系統...
寬禁帶半導體器件,交通運輸電氣化(驅動,儲能),多物理場分析 人物經歷 2006年本科畢業於湖南大學電氣工程學院自動化專業。2006年至2011年就讀於清華大學電機系,師從IET/IEEE Fellow趙爭鳴教授,攻讀電力電子專業博士學位,主要為考慮非理想特性與特定工況的高性能變頻調速控制技術及其混合控制系統,博士論文獲得清華大學...
(1) 高頻寬禁帶半導體器件建模與驅動/保護技術 (2) 高頻磁性元件平面化及磁集成技術 高頻軟開關電力電子變換器拓撲及其數字控制技術 交直流微電網及分散式可再生能源發電中的現代電能變換與控制技術 特種電源 學術成果 主要科研項目:(1) 國家重點研發計畫項目“中低壓直流配用電系統關鍵技術及套用”,用電部分負責人...