《寬禁帶半導體微結構與光電器件光學表征》是2022年西安電子科技大學出版社出版的圖書。
基本介紹
- 中文名：寬禁帶半導體微結構與光電器件光學表征
- 作者：徐士傑等
- 出版社：西安電子科技大學出版社
- 出版時間：2022年8月1日
- ISBN：9787560664293
內容簡介,圖書目錄,
內容簡介
《寬禁帶半導體微結構與光電器件光學表征》以寬禁帶半導體微結構與光電器件光學表征為主線，按照“面向寬禁帶半導體前沿課題，注重先進光電器件與材料微結構的基礎性質和過程進行光學表征，以提升寬禁帶半導體光電子器件性能為目的”的原則安排全書內容，從套用基礎研究和研發先進光電子器件的角度出發，組織全國在該領域前沿進行一線科研工作的學者進行編寫，力爭用通俗易懂的語言，由淺入深，系統、詳細地介紹寬禁帶半導體光電器件的微納結構生長、摻雜、受激輻射特性、量子效率測量，以及寬禁帶半導體在紫外探測、微尺寸LED、高效太陽能電池等領域的套用，突出前沿和瓶頸問題。
《寬禁帶半導體微結構與光電器件光學表征》可作為高等學校半導體光電子類相關專業高年級本科生和研究生的教材或教學參考書，也可作為相關科研工作者的學習參考書。
圖書目錄
第1章寬禁帶半導體雷射器技術與表征
1.1引言
1.2MOCVD技術簡介
1.3GaN材料的MOCVD生長與表征
1.4GaN材料的p型摻雜與表征
1.5InGaN量子阱的生長與表征
1.6器件工藝與表征
1.7本章小結
參考文獻·
第 2章 Si襯底GaN基雷射器生長製備與測試表征
2.1引言
2.2 Si襯底GaN基雷射器材料生長與測試表征…
2.2.1 Si襯底GaN基雷射器材料外延生長中的關鍵挑戰
2.2.2Si襯底高質量GaN薄膜材料的測試表征
2.2.3 Si襯底GaN基雷射器的應力狀態及結構缺陷表征……
2.2.4Si襯底高質量GaN材料中的應力與穿透位錯演變規律
2.2.5應力與穿透位錯之間的相互作用機制
2.2.6 Si襯底GaN基雷射器有源區的外延生長與測試表征…
2.3 Si襯底GaN基雷射器器件測試表征
2.3.1Si襯底GaN基雷射器測試表征簡介·
2.3.2 Si襯底GaN基雷射器能提升及表征
2.3.3 Si襯底GaN基雷射器工作波長拓展
2.3.4 Si（100）襯底GaN基雷射器
2.4本章小結
參考文獻
第3章 GaN 基LED的效率表征
3.1 引言
3.2 LED效率的定義
3.3LED內量子效率的表征方法
3.3.1基於電注人的效率表征
3.3.2基於光注入的效率表征
3.4本章小結
參考文獻
第4章 GaN基Micro-LED製備及光電特
4.1引言
4.2 Micro-LED簡介
4.3GaN基Micro-LED器件
4.3.1藍寶石襯底Micro-LED的製備
4.3.2 Si襯底Micro-LED的製備
4.3.3 Micro-LED與量子點集成器件
4.4 Micro-LED光電特
4.4.1 Micro-LED尺效應
4.4.2 Micro-LED溫度效應
4.4.3 Micro-LED老化特
4.4.4 Micro-LED光電調製頻寬特
4.5本章小結·
參考文獻
第5章 制約GaN基Micro-LED外量子效率的關鍵因素及解決方案…
5.1 引言
……
