《寬禁帶半導體高頻及微率器件與電路》是2018年國防工業出版社出版的圖書。
基本介紹
- 中文名：寬禁帶半導體高頻及微率器件與電路
- 作者：趙正平
- 出版時間：2018年
- 出版社：國防工業出版社
- ISBN：9787118114546
- 類別：工業技術
- 開本：16 開
- 裝幀：平裝-膠訂
圖書目錄
第1章 緒論
1.1 電力電子器件的發展
1.1.1 Si電力電子器件的發展
1.1.2 寬禁帶電力電子器件的發展
1.1.3 我國電力電子器件的發展
1.2 固態微波器件的發展
1.2.1 Si和GaAs固態微波器件與電路的發展
1.2.2 SiC固態微波器件與電路發展
1.2.3 GaN固態微波器件與電路發展
1.3 固態器件在雷達領域的套用
1.3.1 si、GaAs固態微波器件與固態有源相控陣雷達
1.3.2 SiC、GaN固態微波器件與T／R模組
1.3.3 siC、GaN高頻開關功率器件與開關功率源／固態脈衝調製源
參考文獻
第2章 寬禁帶半導體材料
2.1 氮化鎵和碳化矽晶體材料
2.1.1 GaN晶體性質和製備
2.1.2 SiC晶體性質和製備
2.2 碳化矽材料的同質外延生長技術
2.2.1 SiC同質外延生長方法
2.2.2 SiC CVD同質外延關鍵技術
2.2.3 SiC外延層缺陷
2.3 氮化物材料的異質外延生長技術
2.3.1 氮化物外延生長基本模式和外延襯底的選擇
2.3.2 用於氮化物異質外延的金屬有機物化學氣相沉積技術
2.3.3 氮化物異質外延生長中的幾個重要問題
2.4 寬禁帶半導體材料的表征方法
2.4.1 X射線衍射測試
2.4.2 原子力顯微鏡測量
2.4.3 光致發光譜測量
2.4.4 傅立葉變換紅外譜厚度測試
2.4.5 汞探針C—V法測量雜質濃度分布
參考文獻
第3章 碳化矽高頻功率器件
3.1 SiC功率二極體
3.1.1 siC肖特基二極體
3.1.2 siC PIN二極體
3.1.3 SiC JBS二極體
3.1.4 siC二極體進展
3.1.5 siC二極體套用
3.2 SiC MESFET
3.2.1 工作原理
3.2.2 SiC MESFET研究進展
3.2.3 SiC MESFET套用
3.3 SiC MOSFET
3.3.1 工作原理
3.3.2 關鍵工藝
3.3.3 SiC MOSFET進展
3.3.4 SiC MOSFET套用
3.4 siC JFET
