寬禁帶半導體電力電子器件及其套用

內容簡介

《寬禁帶半導體電力電子器件及其套用》介紹碳化矽、氮化鎵和金剛石等寬禁帶半導體電力電子器件的原理、特性、設計製造方法及套用，概括了這一新領域十餘年來的主要成就。內容包括：半導體物理基礎，電力電子器件的基本原理、特性及典型器件，電力電子器件的材料優選，碳化矽整流器、功率MOSFET、功率JFET和MESFET、BJT、SICGT、IGBT、碳化矽功率積體電路中的高壓器件、氮化鎵功率器件、金剛石器件、寬禁帶半導體功率模組，以及寬禁帶半導體電力電子器件在開關電源功率因數校正器和各種電力變換器中的典型套用等。

《寬禁帶半導體電力電子器件及其套用》介紹碳化矽、氮化鎵和金剛石等寬禁帶半導體電力電子器件的原理、特性、設計製造方法及套用，概括了這一新領域十餘年來的主要成就。

圖書目錄

電力電子新技術系列圖書序言

前言

第1章緒論

1.1 電力電子器件概述

1.1.1 電力電子器件的基本構成

1.1.2 電力電子器件的分類及特點

1.2 發展沿革與趨勢

參考文獻

第2章電力電子器件基礎

2.1 半導體物理基礎

2.1.1 半導體與金屬中的載流子

2.1.2 電子在金屬和半導體中的能量分布與躍遷

2.1.3 半導體的熱敏感性

2.2 電力電子器件的基本原理與特性

2.2.1 整流原理與阻斷特性

2.2.2 開關原理與頻率特性

2.2.3 電導調製原理與通態特性

2.2.4 功率損耗原理與高溫特性

2.3 典型電力電子器件及其特性

2.3.1 二極體

2.3.2 雙極型電晶體（BJT）

2.3.3 場效應電晶體（FET）

2.3.4 絕緣柵雙極型電晶體（IGBT）

2.3.5 其他電力電子器件

參考文獻

第3章電力電子器件的材料優選

3.1 單極型器件的材料優選

3.1.1 低頻器件

3.1.2 高頻器件

3.1.3 場效應器件的最高工作頻率

3.2 雙極型器件的材料優選

3.2.1 Johnson因子

3.2.2 Keyes因子

3.3 耐高溫器件的材料優選

3.3.1 熱優選因子

3.3.2 不同材料器件高溫特性的比較

3.4 電力電子器件的優選材料．

3.4.1 碳化矽

3.4.2 氮化鎵及其固溶體

3.4.3 半導體金剛石

參考文獻

第4章寬禁帶半導體電力電子器件

4.1 碳化矽單極型器件

4.1.1 肖特基勢壘二極體

4.1.2 功率MOSFET

4.1.3 JFET和SIT

4.1.4 MESFET

4.2 碳化矽雙極型器件

4.2.1 pn結二極體

4.2.2 雙極型電晶體（BJT）

4.2.3 晶閘管和GTO晶閘管

4.2.4 碳化矽GCT （SICGT）

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基本介紹

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