《寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路》是2017年國防工業出版社出版的圖書。
基本介紹
- 中文名：寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路
- 出版時間：2017年
- 出版社：國防工業出版社
- ISBN：9787118114546
《寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路》是2017年國防工業出版社出版的圖書。
寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路 《寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路》是2017年國防工業出版社出版的圖書。
寬禁帶半導體材料是被稱為第三代半導體材料。半導體材料 隨著微波器件及光電子器件的發展，Ⅲ-Ⅴ族展，但電子學的發展對器件提出了愈來愈高的要求，特別是需要大功率、高頻、高速、高溫以及在惡劣環境中工作的器件。例如，高性能軍用飛機...
本書以寬禁帶半導體為主線，扼要介紹當前幾種寬禁帶半導體電子材料與器件，包括氮化物寬禁帶半導體及其異質結構的物理性質、氮化物半導體材料的外延生長、氮化物半導體微波功率材料與器件、氮化物半導體功率電子材料與器件、SiC半導體單晶襯底及外延...
4.4 碳化矽功率集成電路中的高壓器件結構 4.5其他寬禁帶半導體電力電子器件 4.5.1 氮化鎵大功率微波器件 4.5.2 其他氮化鎵電力電子器件 4.5.3 金剛石電力電子器件 4.6 寬禁帶半導體功率模組 參考文獻 第5章 寬禁帶半導體電力電子...
寬禁帶化合物半導體（GaN）器件與電路研究 氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料體系的代表，由於其優良高溫及高頻特性已成為如今國際上研究的熱點。先後與中科院半導體所和物理所合作開展GaN材料、器件、電路和理論等方面研究---採用國產材料研...
3.1.1 GaN HEMT 柵極驅動電路 51 3.1.2 SiC MOSFET 門極驅動電路 54 3.2 寬禁帶功率器件門極驅動電路橋臂串擾問題 55 3.2.1 寬禁帶功率器件橋臂串擾問題原理 56 3.2.2 寄生電感對串擾影響分析 57 3.2.3 抑制串擾方法 ...
《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》是2013年科學出版社出版的圖書，作者是郝躍、張金風、張進成。內容簡介 《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》內容包括：氮化物材料的基本性質、異質外延方法和機理，HEMT材料的電學性質，AlCaN/GaN和InAlN...
ZnO）為代表的寬禁帶半導體是繼矽和砷化鎵（GaAs）之後的第三代半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點，可實現高壓、高溫、高頻、大功率、抗輻射微波毫米波器件和短波長光電半導體器件。
本學科還擁有從事IC設計、器件集成工藝和器件測試研究的專業實驗室。半導體材料與器件研究方向主要研究聲表面波材料及器件和新型阻變存儲器。聲表面波器件相關方向包括器件用壓電薄膜、寬禁帶半導體～金剛石、ZnO、AlN、c–BN等薄膜材料製備、...
主要研究方向包括：寬禁帶半導體功率電子器件、寬禁帶半導體微波功率器件、寬禁帶半導體紫外光電器件、新型半導體異質結構材料與器件物理。微納集成技術與光電晶片實驗室 面向下一代超大規模集成電路與晶片套用，實驗室主要從事主流矽基半導體器件...