《寬禁帶半導體電子材料與器件》是2021年科學出版社出版的圖書,這本書講述了許多關於寬禁帶半導體電子材料的知識。
基本介紹
- 中文名:寬禁帶半導體電子材料與器件
- 作者:沈波
- 出版社:科學出版社
- ISBN:9787030674401
《寬禁帶半導體電子材料與器件》是2021年科學出版社出版的圖書,這本書講述了許多關於寬禁帶半導體電子材料的知識。
《寬禁帶半導體電子材料與器件》是2021年科學出版社出版的圖書,這本書講述了許多關於寬禁帶半導體電子材料的知識。內容簡介本書以寬禁帶半導體為主線,扼要介紹當前幾種寬禁帶半導體電子材料與器件,包括氮化物寬禁帶半導體及其異質...
矽的禁頻寬度為1.12電子伏特(eV),而寬禁帶半導體材料是指禁頻寬度在2.3eV及以上的半導體材料,典型的是碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、金剛石等材料。寬禁帶半導體材料是被稱為第三代半導體材料。半導體材料 隨著微波器件及光電子器件的...
《寬禁帶半導體大功率電力電子器件的可靠性研究》是依託電子科技大學,由張波擔任醒目負責人的重點項目。項目摘要 本課題針對寬禁帶半導體SiC/GaN大功率電力電子器件可靠性機理與技術的關鍵問題,進行三項理論與實驗的創新研究:①提出GaN異質結...
廣東高校寬禁帶半導體材料與器件工程技術研究中心是2009年由廣東省教育廳、中山大學雙方共建。工程技術研究中心批准建設日期為2009年12月22日,經過將近兩年的建設,工程技術研究中心各項任務均圓滿完成。現任工程技術研究中心主任王鋼教授。研...
《寬禁帶化合物半導體材料與器件(第二版)》是2023年浙江大學出版社出版的圖書。 內容簡介 隨著信息技術的飛速發展,半導體材料的套用逐漸從積體電路拓展到微波、功率和光電等套用領域。傳統元素半導體矽材料不再能滿足這些多元化需求,化合...
GaAs的價鍵還具有極性,對價電子的束縛更緊,所以GaAs的禁頻寬度更大。GaN、SiC等所謂寬禁帶半導體的禁頻寬度更要大得多,因為其價鍵的極性更強。Ge、Si、GaAs、GaN和金剛石的禁頻寬度在室溫下分別為0.66eV、1.12 eV、1.42 eV、...
寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室(西安電子科技大學)是依託西安電子科技大學組建的科研機構。中文名 寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室(西安電子科技大學) 依託 西安電子科技大學 始建於 2004年 博士比例 61% ...
《寬禁帶半導體電力電子器件及其套用》是2009年機械工業出版社出版的圖書,作者是陳治明。內容簡介 《寬禁帶半導體電力電子器件及其套用》介紹碳化矽、氮化鎵和金剛石等寬禁帶半導體電力電子器件的原理、特性、設計製造方法及套用,概括了這一新...
寬禁帶半導體是指其禁頻寬度大於Si、GaAs等半導體的一類半導體,主要包括Ⅲ族氮化物、金剛石、ZnO、SiC等。它們的微結構、光學性質和電學性質有許多與Si、GaAs不同的特有性質。近十年來,以Ⅲ族氮化物為代表的寬禁帶半導體材料與器件發展...
基地依託:微電子學與固體電子學國家重點學科、國家積體電路人才培養基地、國家級積體電路實驗教學示範中心、寬頻隙半導體技術國防重點實驗室、寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室。基地主任:莊奕琪教授。研究方向:1、寬禁帶半導體;2、...
充分發揮濟南高新區在電子信息、智慧型製造等方面的綜合創新和產業優勢,聚焦發展金剛石等寬禁帶半導體材料,加強規劃策劃,加快引進一批寬禁帶半導體晶片和功率器件等重大項目。(責任單位:濟南高新區管委會、市科技局、市經濟和信息化委)(二...
本科課程:《微電子材料》、碩士課程:《半導體外延技術》、《半導體光電探測技術》、《光學工程實驗與方法》、《光學工程進展》研究方向 寬禁帶半導體材料與器件:材料外延生長——(1)高Al組分AlGaN外延生長機制、方法及特性研究 (2)In...
《寬禁帶半導體高頻及微率器件與電路》是2018年國防工業出版社出版的圖書。圖書目錄 第1章 緒論 1.1 電力電子器件的發展 1.1.1 Si電力電子器件的發展 1.1.2 寬禁帶電力電子器件的發展 1.1.3 我國電力電子器件的發展 1....
還可以快速最佳化材料特性和器件結構。本項目的研究成果可以深入研究寬禁帶半導體器件在低噪聲領域的套用潛力,為設計和製作高性能低噪聲器件提供技術支持,對提高現代電子系統的可靠性和集成度有著重要意義。
半導體材料(semiconductor material)是一類具有半導體性能(導電能力介於導體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm範圍內)、可用來製作半導體器件和積體電路的電子材料。簡介 自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和...
(5)本徵半導體:不含雜質且無晶格缺陷的半導體稱為本徵半導體。在極低溫度下,半導體的價帶是滿帶,受到熱激發後,價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶,空帶中存在電子後成為導帶,價帶中缺少一個電子後形成一個帶正電的...
近幾年熱點研究和迅速發展的GaN 基和ZnO 基寬禁帶半導體雷射器拓展了現有光電子器件的光譜範圍,是信息產業的戰略核心器件。 我們按照申請書規定的研究內容進行了以下四個方面的研究: (1) InGaN系量子結構的基本物理性質和發光機制研究。
器件分類 光電子器件可分為體光電子器件、正反向結光電子器件、異質結和多結光電子器件。體光電子器件 它是結構上最簡單的一類光電子器件。半導體材料吸收能量大於禁帶寬度的入射光子,激發出非平衡電子-空穴對(稱為本徵激發)。它們在...
《寬禁帶半導體氧化鎵:結構、製備與性能》是2022年西安電子科技大學出版社出版的圖書。內容簡介 氧化鎵作為新型的寬禁帶半導體材料,在高壓功率器件、深紫外光電器件、高亮度LED等方面具有重要的套用前景。《寬禁帶半導體氧化鎵:結構、製備...
第三代半導體材料GaN具有寬禁帶、高擊穿臨界電場強度、高飽和電子漂移速度等特點,與傳統Si材料相比更加適合於製作高功率大容量、高開關速度電力電子器件,而且可以實現系統小型化、輕量化,大大降低製作成本,在消費類電子、雲服務、新能源...
《寬禁帶半導體微結構與光電器件光學表征》以寬禁帶半導體微結構與光電器件光學表征為主線,按照“面向寬禁帶半導體前沿課題,注重先進光電器件與材料微結構的基礎性質和過程進行光學表征,以提升寬禁帶半導體光電子器件性能為目的”的原則安排全...
Si的原子序數比Ge的小,則Si的價電子束縛得較緊,所以Si的禁頻寬度比Ge的要大一些。GaAs的價鍵還具有極性,對價電子的束縛更緊,所以GaAs的禁頻寬度更大。GaN、SiC等所謂寬禁帶半導體的禁頻寬度更要大得多,因為其價鍵的極性更強。G...
著重研究寬禁帶半導體光電子材料(GaN基、ZnO基)技術,特別是多量子阱材料製備技術、摻雜技術、能帶工程技術和極化控制技術,及大尺寸低位錯密度自支撐GaN襯底技術;研究開發ZnO基雷射器材料與器件技術,研製低閾值電流密度ZnO基藍光雷射器;...
寬頻隙半導體技術國家重點學科實驗室依託西安電子科技大學,是在寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室的基礎上,2007年國家批准建設的國家級重點實驗室,2008年實驗室成為我國國防科技創新團隊,是中國寬頻隙半導體材料與器件研究的主要基地。
如果有電子因某種因素受激進入空帶,在外電場中,這電子也可得到加速,在該空帶內稍高的空能態轉移,從而表現為具有一定的導電性,因此空帶也稱為導帶。晶體中能帶結構示意圖如圖1所示。示意圖 常見半導體材料禁帶值:相關概念 半導體...
寬禁帶半導體材料綜合分析虛擬仿真實驗是深圳大學建設的虛擬仿真實驗課程。課程性質 課程背景 (1)線下實驗成本高,購置儀器數量有限,僅能小範圍教學。本虛擬實驗課程項目涉及的科研貴重儀器如掃描電子顯微鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)、X射線...
《基於中子輻照的寬禁帶半導體材料的物性研究》是依託哈爾濱工業大學,由宋波擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 寬禁帶半導體具有禁頻寬度大、臨界電場高、電子飽和遷移率高等優異特性,特別是其耐惡劣環境特性是Si和GaAs等傳統半導體所無法...
氧化鎵是一種無機化合物,化學式為Ga₂O₃。別名三氧化二鎵,是一種寬禁帶半導體,Eg=4.9eV,其導電性能和發光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga₂O₃是一種透明的氧化物半導體材料,在光電子器件方面有廣闊的套用前景 ,被...
低頻噪聲除了可以用在電子器件可靠性的檢測外,在一些光電器件如量子阱雷射器、發光二極體、光電耦合器方面也有成功的套用。2 概述 GaN基材料的基本性質 氮化鎵是一種直接帶隙寬禁帶半導體材料,禁頻寬度為3.4eV。GaN材料化學件質穩定,在...