《寬禁帶半導體器件噪聲機理與噪聲模型研究》是依託電子科技大學,由徐銳敏擔任醒目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：寬禁帶半導體器件噪聲機理與噪聲模型研究
- 依託單位：電子科技大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：徐銳敏
- 批准號：60876052
- 申請代碼：F0404
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：32（萬元）
項目摘要
寬禁帶半導體異質結具有非常高的二維電子氣密度、高峰值飽和電子遷移速度、高擊穿電壓、耐高溫等特性,對寬禁帶半導體器件的噪聲機理研究，研製低噪聲、高動態範圍、高溫工作和高輸出功率的微波器件有著重要意義。由於缺乏噪聲產生機理和準確的噪聲參量模型，寬禁帶半導體低噪聲器件的研究和建模在國際上仍處於探索階段。本項目在長期研究寬禁帶半導體器件與電路特性和套用的基礎上，提出從異質結的二維電子氣特性和輸運機理出發，解析噪聲機理的方法，探索器件結構對噪聲特性的影響;並提出利用支持向量機對GaN HEMTs噪聲特性進行建模, 該模型不僅可以快速而準確地預測器件的噪聲特性，還可以快速最佳化材料特性和器件結構。本項目的研究成果可以深入研究寬禁帶半導體器件在低噪聲領域的套用潛力，為設計和製作高性能低噪聲器件提供技術支持，對提高現代電子系統的可靠性和集成度有著重要意義。
