《寬禁帶半導體氧化鎵：結構、製備與性能》是2022年西安電子科技大學出版社出版的圖書。
基本介紹
- 書名：寬禁帶半導體氧化鎵：結構、製備與性能
- 作者：陶緒堂、穆文祥、賈志泰、葉建東
- 出版社：西安電子科技大學出版社
- 出版時間：2022年9月1日
- ISBN：9787560664446
內容簡介,圖書目錄,
內容簡介
氧化鎵作為新型的寬禁帶半導體材料，在高壓功率器件、深紫外光電器件、高亮度LED等方面具有重要的套用前景。
《寬禁帶半導體氧化鎵：結構、製備與性能》從氧化鎵半導體材料的發展歷程、材料特性、材料製備原理與技術及電學性質調控等幾個方面做了較全面的介紹，重點梳理了作者及國內外同行在單晶製備方法、襯底加工、薄膜外延方面的研究成果；系統闡述了獲得高質量體塊單晶及薄膜的思路和方法，並對氧化鎵的發展進行了綜述和展望。
《寬禁帶半導體氧化鎵：結構、製備與性能》可作為寬禁帶半導體材料與器件相關的半導體、材料、化學、微電子等專業研究人員及理工科高校教師、研究生、高年級本科生的參考書或工具書，也可供其他對寬禁帶半導體材料氧化鎵感興趣的人員參考。
圖書目錄
第1章氧化鎵簡介
1.1引言
1.2氧化鎵晶體的基本質
1.2.1結構質
1.2.2光學質
1.2.3電學質
1.2.4熱學質
1.結與展望
參考文獻
第2章氧化鎵體塊單晶生長
2.1氧化鎵單晶提拉法生長
2.1.1提拉法簡介
2.1.2提拉法生長氧化物晶體
2.1.3提拉法氧化鎵單晶生長探索展
2.1.4提拉法晶體生長中的螺旋生長現象
2.2氧化鎵單晶導模法生長
2.2.1導模法晶體生長簡介
2.2.2導模法氧化鎵晶體生長展
2.2.3導模法摻雜氧化鎵晶體生長
2.3氧化鎵單晶布里奇曼法生長
2.3.1布里奇曼法晶體生長基本原理
2.3.2布里奇曼法的優缺點
2.3.3布里奇曼法生長9-Ga2O晶體
2.4氧化鎵單晶光學浮區法生長
2.5結與展望
參考文獻
第3章氧化鎵單晶襯底加工
3.1 引言
3.2晶體開裂特及對加工的影響
3.2.1解理
3.2.2晶體力學能
3.3氧化鎵晶體定向
3.3.1X射線衍射的基礎知識
3.3.2定向儀的原理與操作
3.4氧化鎵晶體切割
3.4.1內圓切割技術
3.4.2雷射切割技術
3.4.3線切割技術
3.4.4切割工序相關晶片參數
3.5晶體機械研磨
3.5.1晶片邊緣倒角
3.5.2研磨加工工藝
3.5.3氧化鎵晶片研磨
3.6氧化鎵化學機械拋光
3.6.1拋光液的選擇
3.6.2拋光墊的選擇
3.6.3拋光工藝條件
3.7晶體加工損傷分析
3.7.1表面損傷及檢測方法
3.7.2亞表面損傷及檢測方法
3.7.3氧化鎵加工損傷
3.8襯底機械剝離與套用
3.8.1襯底機械剝離
3.8.2剝離獲得的晶片質量
3.8.3機械剝離晶片的套用
3.結與展望
參考文獻
第4章氧化鎵晶體中的缺陷
4.1氧化鎵晶體中的點缺陷
4.1.1本徵點缺陷?
4.1.2非本徵點缺陷
4.2氧化鎵晶體中的線缺陷
4.2.1位錯
4.2.2位錯的運動
4.2.3位錯對器件能的影響
4.2.4位錯形成機理
4.3氧化鎵晶體中的面缺陷
4.3.1孿晶
4.3.2堆垛層錯
4.4氧化鎵晶體中的體缺陷
4.4.1空洞
4.4.2非晶及納米晶·
4.5氧化鎵晶體中的蝕坑
4.5.1箭頭型蝕坑
4.5.2葫蘆型蝕坑
4.5.3蝕坑作用及形成機理
4.5.4蝕坑類型變化及關係
4.結與展望
參考文獻
第5章氧化鎵薄膜外延
5.1外延生長動力學原理
5.1.1物理氣相沉積法及其動力學原理·
5.1.2化學氣相沉積法及其動力學原理
5.2氧化鎵外延方法
5.2.1金屬有機氣相外延（MOVPE）
5.2.2氫化物氣相外延（HVPE）
5.2.3低壓化學氣相沉積（LPCVD）
5.2.4超聲輔助霧相輸運化學氣相外延（Mist-CVD）
5.2.5分子束外延（MBE）
5.2.6雷射脈衝沉積（PLD）
5.3氧化鎵外展
5.3.1同質外展
5.3.2異質外展
5.3.3位錯演化機制及控制技術
5.4氧化鎵基異質結結構外延及界面控制
5.4.1合金外延及異質結結構製備
5.4.2氧化鎵基異質結界面控制·
5.結與展望·
參考文獻
