寬禁帶化合物半導體材料與器件（第二版）

《寬禁帶化合物半導體材料與器件（第二版）》是2023年浙江大學出版社出版的圖書。

基本介紹

• 中文名：寬禁帶化合物半導體材料與器件（第二版）
• 作者：朱麗萍、朱麗萍、何海平、潘新花、葉志鎮 
• 語言：中文
• 出版時間：2023年1月1日
• 出版社：浙江大學出版社
• 頁數：214 頁
• ISBN：9787308229159
• 開本：16 開
• 裝幀：平裝

內容簡介

隨著信息技術的飛速發展，半導體材料的套用逐漸從積體電路拓展到微波、功率和光電等套用領域。傳統元素半導體矽材料不再能滿足這些多元化需求，化合物半導體應運而生並快速發展。本書以浙江大學材料科學工程學系“寬禁帶化合物半導體材料與器件”課程講義為基礎，參照全國各高等院校半導體材料與器件相關教材，結合課題組多年的研究成果編寫而成。此書的編寫目的是為高等院校學生提供一本學習和掌握化合物半導體材料與器件的參考書。

圖書目錄

第1章 緒 論

1.1 寬頻隙半導體概念

1.2 常見寬禁帶化合物半導體

思考題

參考文獻

第2章 化合物半導體材料基礎

2.1 半導體

2.2 半導體材料的分類

2.2.1 元素半導體

2.2.2 化合物半導體

2.2.3 半導體固溶體

2.3 化合物半導體的特性

2.3.1 化合物半導體的晶體結構和化合鍵

2.3.2 化合物半導體的能帶結構

思考題

參考文獻

第3章 固化合物半導體中的缺陷

3.1 缺陷理論基礎

3.1.1 點缺陷的分類

3.1.2 點缺陷的符號表示方法

3.1.3 點缺陷在半導體中的施主或受主作用及它們的能級位置

3.2 ZnO中的雜質與缺陷

3.2.1 ZnO中的本徵點缺陷

3.2.2 ZnO中綠色發光起源

3.2.3 ZnO中的故意摻雜

思考題

參考文獻

第4章 寬頻隙半導體發光

4.1 半導體中的光躍遷

4.1.1 半導體吸收躍遷

4.1.2 半導體中的帶間躍遷輻射複合發光

4.2 激子

4.3 半導體發光光譜和輻射複合

4.4 激子複合

4.5 深能級中心相關的發光躍遷

4.6 時間分辨發光光譜

4.7 寬頻隙半導體材料發光研究實例

思考題

參考文獻

第5章 pn結

5.1 同質結

5.1.1 熱平衡狀態下的pn結

5.1.2 pn結的伏安特性

5.2 異質結

5.2.1 異質結的能帶圖

5.2.2 異型異質結的電學特性

思考題

參考文獻

第6章 超晶格與量子阱

6.1 超晶格和量子阱發展概況

6.2 量子阱

6.3 超晶格

6.3.1 複合超晶格

6.3.2 摻雜超晶格

6.3.3 應變超晶格

6.3.4 多維超晶格

6.4 量子阱與超晶格的實驗製備方法

6.5 超晶格和量子阱中的物理基礎

6.5.1 半導體中的兩類載流子：電子(n)與空穴(p)

6.5.2 超晶格和量子阱的能帶結構

6.5.3 量子阱與超晶格中的電子態

6.5.4 超晶格中的電子狀態

6.6 超晶格和量子阱中的物理效應

6.6.1 量子約束效應

6.6.2 量子阱中的激子效應

6.6.3 量子受限的斯塔克效應(QCSE)

6.6.4 電場下超晶格中的Wannier-Stark局域態

6.6.5 二維電子氣

6.7 超晶格和量子阱器件

6.7.1 量子阱雷射器發展歷程

6.7.2 垂直腔面發射雷射器

6.7.3 新型的量子阱雷射器

6.7.4 主要套用

思考題

參考文獻

第7章 SiC

7.1 SiC的基本性質

7.1.1 物理性質和化學性質

7.1.2 晶體結構

7.1.3 電學性能和能帶結構

7.2 SiC材料生長、摻雜與缺陷

7.2.1 SiC體單晶生長

7.2.2 SiC薄膜生長

7.2.3 SiC納米結構

7.2.4 SiC的摻雜

7.2.5 SiC材料中的缺陷

7.3 SiC電子器件

7.3.1 SiC肖特基接觸理論

7.3.2 肖特基勢壘二極體(SBI)及其改進結構器件(JBD、MPS)

7.3.3 SiC場效應電晶體

7.3.4 SiC雙極型電晶體(BJT)

7.4 SiC感測器件

7.4.1 SiC的壓阻效應

7.4.2 SiC材料在氣敏感測器中的套用

7.4.3 SiC材料在光電探測器中的套用

思考題

參考文獻

第8章 GaN

8.1 概述

8.2 GaN的基本性質

8.2.1 物理和化學特性

8.2.2 晶體結構

8.2.3 電學性質和摻雜

8.2.4 光學性質

8.2.5 GaN與其他ⅢA族氮化物合金

8.3 GaN材料製備

8.3.1 GaN體單晶的生長

8.3.2 GaN薄膜外延生長襯底材料的選擇

8.3.3 GaN外延生長技術

8.4 GaN光電器件

8.4.1 GaN基LED

8.4.2 GaN基LD

8.4.3 GaN基紫外探測器

8.4.4 GaN基電子器件

思考題

參考文獻

第9章 Zn0

9.1 Zn0材料概述

9.1.1 Zn0的基本性質和能帶工程

9.1.2 Zn0中的雜質與缺陷

9.1.3 Zn0的電學性能及P型摻雜

9.1.4 Zn0的p型摻雜研究現狀

9.2 傳統及新穎的Zn0製備技術

9.2.1 Zn0體單晶

9.2.2 Zn0薄膜

9.2.3 Zn0納米結構

9.3 Zn0基光電器件

9.3.1 納米結構的摻雜與接觸

9.3.2 同質結LED

9.3.3 異質結LED

9.3.4 雷射二極體(LD)

9.3.5 光電探測器(PD)

9.3.6 光伏太陽能電池

9.4 ZnO基透明導電薄膜和場效應器件

9.5 ZnO基壓電器件

9.6 ZnO基感測器件

9.7 ZnO基自旋器件

9.8 ZnO基光催化材料

9.9 小結

思考題

參考文獻

第10章 Ga203

10.1 概述

10.2 Ga203的基本性質

10.2.1 物理和化學性質

10.2.2 晶體結構

10.2.3 電學性質和摻雜

10.2.4 光學性質

1O.3 Ga203的製備丁藝

10.3.1 單 晶

10.3.2 薄 膜

1O.4 Ga203功率器件

10.5 Ga203光電器件

1 O.5.1 光電探測器

10.5.2 光電電晶體

10.6 Ga203氣敏感測器

10.7 Ga203其他器件套用

思考題

參考文獻

縮略詞