《離子注入寬禁帶半導體（GaN和ZnO）的非晶化研究》是依託武漢大學，由劉昌擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：離子注入寬禁帶半導體（GaN和ZnO）的非晶化研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：劉昌
- 依託單位：武漢大學
- 批准號：10475063
- 申請代碼：A3001
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2005-01-01 至 2007-12-31
- 支持經費：32（萬元）
項目摘要
離子注入摻雜GaN外延薄膜會引起晶格膨脹，其程度正比於注入離子的劑量，過度的晶格膨脹會導致局部晶格崩潰，形成孤立的非晶核，而積累這些非晶核，直到形成連續的非晶層，應該是離子注入GaN非晶化的機理。用高解析度電子顯微鏡尋找這些被晶體包圍著的非晶核，觀察它們隨入射離子劑量的增加而長大，並和鄰近非晶核疊加，最終形成連續非晶層的全過程，從而證實並完善本課題申請人提出的GaN非晶化模型。ZnO和GaN具有相似的晶格參數和禁頻寬度，因此，檢驗上述的非晶化模型是否也適用於ZnO，並進一步推廣到一般的寬禁帶半導體，無疑具有十分重大的學術意義。同時，局部非晶化閾值劑量的確定，對於將來在工業生產中套用離子注入方法進行ｐ型摻雜，避免形成局部非晶化引起的常規熱退火處理無法消除的晶格損傷，有著重大的指導意義。
