寬禁帶半導體材料山西省重點實驗室依託中國電子科技集團公司第二研究所。
基本介紹
- 中文名:寬禁帶半導體材料山西省重點實驗室
- 主管部門:中國電子科技集團公司第二研究所
寬禁帶半導體材料山西省重點實驗室依託中國電子科技集團公司第二研究所。
矽的禁頻寬度為1.12電子伏特(eV),而寬禁帶半導體材料是指禁頻寬度在2.3eV及以上的半導體材料,典型的是碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、金剛石等材料。寬禁帶半導體材料是被稱為第三代半導體材料。半導體材料 隨著微波器件及光電子器件的...
寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室(西安電子科技大學)是依託西安電子科技大學組建的科研機構。中文名 寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室(西安電子科技大學) 依託 西安電子科技大學 始建於 2004年 博士比例 61% ...
寬頻隙半導體技術國家重點學科實驗室依託西安電子科技大學,是在寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室的基礎上,2007年國家批准建設的國家級重點實驗室,2008年實驗室成為我國國防科技創新團隊,是中國寬頻隙半導體材料與器件研究的主要基地。
移動網際網路安全創新引智基地),依託微電子學與固體電子學國家重點學科,以國家積體電路人才培養基地、國家級積體電路實驗教學示範中心、寬頻隙半導體技術國防重點實驗室和寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室為平台。
1、二維化合物半導體材料及電晶體研究 —— 針對未來積體電路發展對新材料的需求,開展晶圓級 二維化合物半導體材料製備技術研究,並探索其在電晶體及積體電路中套用的可行性。2、寬禁帶半導體材料及紫外探測器研究 —— 針對大型配電設施...
(1)寬禁帶和超寬禁帶半導體低材料、器件及物理研究;(2)大失配異質外延襯底製備技術研究。目前重點開展GaN和AlN厚膜襯底材料的應力調控和材料製備技術研究;(3)新型半導體光電器件設計製備技術研究。目前重點開展垂直結構Si襯底GaN-LED...
1995年至2000年曾任表面物理國家重點實驗室(半導體所區)實驗室主任。2002年作為學術帶頭人加入半導體材料科學重點實驗室MOCVD組(現更名為超寬禁帶半導體材料研究組)。2011年5月退休後返聘為學術顧問。2014年4月26日下午5時30分許在...
李培鹹,男,博士,西安電子科技大學先進材料與納米科技學院教授,博士生導師。個人經歷 陝西省青年科技新星,陝西省創新創業人才,陝西省國資委二類專家。寬禁帶半導體材料與器件國家重點學科實驗室光電研究方向負責人。隸屬郝躍教授國家級創新...
2006年6月畢業於湖南城市學院,獲理學學士學位;2009年6月獲安徽大學材料物理與化學專業工學碩士學位;2009年9月進入浙江大學材料科學與工程學系矽材料國家重點實驗室攻讀博士學位, 專業為材料物理與化學, 主要從事寬禁帶半導體薄膜材料及...
五年多來在寬禁帶半導體材料GaN和ZnO的新型單晶襯底和氧化物稀磁半導體材料等方面開展研究工作。在國內率先開展白光LED螢光襯底研究,在國際上首次提出了幾種新型螢光襯底,已取得一定進展。主要成就 在Phys. Rev. B, J. Crystal Growth...
先後主持國家自然科學基金項目、國家973重點項目、陝西省自然科學基金項目、套用材料創新基金、寬禁帶半導體實驗室基金等多項課題,同時作為主要成員承擔國防973項目、國防預研項目、軍用型號項目等多項課題的研究工作。2001年後,在國內外著名...